Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора

Авторы патента:

Н. С. Лидоренко, А. П. Ландсман, А. К. Зайцева, В. В. Заддэ

, Д. С. Стребков

H01L21/761 - p-n переходов

288162

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Санз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 21.III.1968 (№ 1229069/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано ОЗ.XII.1970. Бюллетень № 36

Дата опубликования описания З.II.1971

Кл. 21g, 11/02

МПК Н Ol!

УДК 621.383.4 (088.8) Комитет па делам изобретений и открытий ори Совете зкииистров

СССР

Авторы изобретения

Н. С. Лидоренко, А. П. Ландсман, A. К. Зайцева, В. В. Заддэ и Д. С. Стребков

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА

Настоящее изобретение относится к технологии получения фотоэлектрических генераторов.

Известен способ изготовления фотоэлектрического генератора созданием р вЂ” и-переходов с трех сторон пластины полупроводникового материала, присоединением омических контактов к р вЂ” и и-областей и коммутацией полученных таким образом отдельных фотопреобразователей между областями с одноименным или разноименным типом проводимости.

При этом каждый фотопреобразователь, входящий в фотоэлектрический генератор, проходит полный технологическич цикл обработки и контроля параметров. Недостатком этого способа является большая трудоемкость изготовления отдельных фотопреобразователей и коммутации их. Фотоэлектрический генератор, полученный этим способом, имеет большие размеры и малые рабочее напряжение и ток.

Предлагаемый способ позволяет получить микроминиатюрный фотоэлектрический генератор с рабочим напряжением 50 в/см и более при рабочем токе более 10 а/см площади р вЂ” n- перехода.

Для этого фотопреобразователи с р вЂ” и-переходами, параллельными падающему излучению, коммутируют в твердотельную матрицу с последующим созданием диффузией на рабочих поверхностях готовой матрицы примесей дополнительных переходов.

Диффузию осуществляют ионной бомбардировкой.

Согласно описываемому способу пластины с р вЂ” n-переходами соединяют в заготовки так, чтобы плоскости р вЂ” n-перехода были параллельны, затем заготовки разрезают на пластины перпендикулярно плоскости р вЂ” и-nepelo ходов. После полировки и снятия шунтов пластину превращают в твердотельную матрицу из фотопреобразователей с р вЂ” и-переходами, расположенными параллельно падаюптему излучению. На рабочих поверхностях

15 готовой матрицы создают диффузией дополнительные р вЂ” и-переходы, плоскость которых перпендикулярна падающему излучению.

Таким образом, все фотопреобразователн проходят одновременно полный технологиче20 ский цикл обработки и контроля от коммутации р вЂ” и-переходов до создания р вЂ” и-переходов, например, методом ионной бомбардировки в скоммутированной готовой матрице.

25 Предмет изобретения

1. Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора созданием фотопреобразователей с р вЂ” n-переходами на

30 трех сторонах и омическими контактами с по288162

Составитель А. Б. Кот

Редактор В. Дибобес

Корректор О. Б. Тюрина

Издат. № 63 Заказ 99/1б Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Миннсгров СССР

Москва, Ж-35, Раушская паб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 следующей коммутацией областей с одноименными или разноименными типами проводимости, отличающийся тем, что, с целью получения микроминиатюрного фотоэ чектрического генератора с рабочим напряжением

50 в/смв и более при рабочем токе более

10 а/см2 площади р вЂ” n-перехода, фотопреобразователи с р вЂ” n-переходами, параллельными падающему излучению, ком мутируют в твердотельную матрицу с последующим созданием на пабочих поверхностях готовой матрицы посредством диффузии примесей до5 полнительных р вЂ” n-переходов.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что диффузию осуществляют ионной бомбардировкой.

Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора

Похожие патенты:

Тиристор // 482837

Устройство формирования изображений, система формирования изображений и способ производства устройства формирования изображений // 2589514

Использование: для формирования изображения. Сущность изобретения заключается в том, что устройство формирования изображений содержит полевой транзистор с p-n-переходом, обеспеченный на полупроводниковой подложке, при этом полевой транзистор с p-n-переходом включает в себя область канала первого типа проводимости, истоковую область первого типа проводимости, первую область затвора второго типа проводимости, вторую область затвора второго типа проводимости, третью область затвора второго типа проводимости и четвертую область затвора второго типа проводимости, первая область затвора и вторая область затвора расположены в направлении вдоль поверхности полупроводниковой подложки, третья область затвора и четвертая область затвора расположены в направлении вдоль поверхности полупроводниковой подложки, первая область затвора и третья область затвора расположены в направлении глубины полупроводниковой подложки, первая область затвора расположена между упомянутой поверхностью и третьей областью затвора, вторая область затвора и четвертая область затвора расположены в направлении глубины, вторая область затвора расположена между упомянутой поверхностью и четвертой областью затвора, область канала включает в себя первую область, которая расположена между первой областью затвора и третьей областью затвора, и вторую область, которая расположена между второй областью затвора и четвертой областью затвора, истоковая область расположена между первой областью затвора и второй областью затвора, и полупроводниковая область второго типа проводимости, имеющая концентрацию примеси, которая ниже, чем концентрация примеси третьей области затвора, и ниже, чем концентрация примеси четвертой области затвора, расположена между третьей областью затвора и четвертой областью затвора. Технический результат: обеспечение возможности улучшения характеристик полевого транзистора с p-n-переходом. 5 н. и 15 з.п. ф-лы, 9 ил.