Э. и. евко. а. п. захаров, р. и. наздзгдвд---^и 3. г. л'\енделеева институт физической химии ан ссср
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависи !ос от авт. свидетельства ¹
Заявлено 21.VI.1968 (Л 1249522, 22-1) с присоединением заягкп №
Приоритет
МПЕ С 23с
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Оиубликог(!иго 08.XI1.1970. Бюллстс;гь ¹ 1 зя 1971
Дата опубликован.!я oil!!ca!».я 26.1.1971
УДК 621.793.16:669..27(088.8) j
F 1
Лук gjjg@4, Наз г3.вторы изобретения
P. К. Чужко, И. В. Кириллов, ЕО. Н. Голованов, В. М
В. К. Петров, Э. И. Евко. А. П. Захаров, Р. И. и 3. Г. Менделеева
Институт физической химии АН СССР
Заявитель
СПОСОБ ПОЛ УЧ Е Н ИЯ ВОЛ ЬФ РАМО ВЫХ ПО КРЫТ И Й
Предмет изобретения
Изобретение относится к области получения х!еталли 1сских но!(рытий из Г11зовой фгlзы, в частности к области получения вольфрамовых покрытий.
Известен способ получения вольфрамовых покрытий восстановлением гексафторида вольфрама водородом на нагретой подложке с предварительной очисткой компонентов реакционной смеси.
По llpc.1:!0 i(c! II!0 !; Спосоо,- Ilc!! Oл ь 3% IOT х10НОКРИСТЯЛЛ11 1ССКX Ю IIОД:10ЖI(, Н 111 P".!3ЯIOT СС в токе чистого водорода прп 800 — 1200 С процссс ведут при соотношении водорода и гексафторида вольфрама 3 — 6, дявлснпп гсксафторида вольфрама 0,001 — -0,03 атлг, температуре 800 †12 С и скорости потока компонентов от !5 до 100 с.гг, ее((, что обеспечивает получение монокристяллическпх покрытий.
MoIIoI .р!1сталличecкi !o подложку из Вол!>ф р я ма 11Л11 ll lол IгбДс!!я, 1111 КОТО p 10 ОС 11 ЖДг!!ОТ вольфрамовые покрытия, предварительно очиШают от окислов путем их восстановления в потоке чистого водорода, скорость которого
15 слг еек, при температуре 800 — 1200 С в течение 30 дган. Для получения монокрпстг!ллических покрытий необходимо предотвратить гомогенное протекание реакции. Это достигается поддержанием определенного соотношения между водородом и гсксяфторпдом вольфрама, а имсгшо 3 — 6. 11ачяльнос парцияльнос .1яглсние гсксафторида вольфрама поддержи!!я!от 0,03 ат.гг, я водорода 0,09. Снижают парцпяльнос давление либо разбавленпем реакционной смеси инертным газом— аргоном, гелием, либо разрежением. Скорость !
IoToKB компонентов от 15 до 100 с11,. сек, время пребывания в реакционной камере
0,1 — -1 «(и. Гсксяфторид вольфрама предварительно очшцяют от оксифторидов и других
10 мялолетучнх примесей вакуумной дистилляцисй, водород очищают от азота, кислорода, углекислоты и паров воды с помощью катализаторов и цеолитов.
Способ обеспечивает получение тонких мо15 13 o!(p! l c T a;I:I i! Li e c I(I!. (13 о л ь ф р а х! о в 1.! . (11 о 1(13 1.1 г и 1! и и дс1 алтlх сложнои конфи г1 рац11и.
20 1. С !особ получения вольфрамовых покрытий пу! cil восстановления гексафторида вольфрама водородом на нагретой подложке, огьгггч(гг(гиггг(е.г тем, что, с целью получения 10! Io!(P:IcT(I, I 11! Ice!(I!.(по!(1>!.1тий, 25 подло (1(1! 1шпользуют монокристаллическую подложку, очищают сс от окислов путем нагpcDa и тоl(с 130+opog;1 Ilpli тех!иеряту13с
800 — -1200 С и процесс ведут при соотношеи;и водорода и гексафторидя вольфрама 3 — 6, 30 да влсгш и гекс а фто рида вольфрама 0,001—
289147
Составитель Л. Казакова
Корректор Л. В. Юшина
Редактор О. С. Филиппова
Заказ 4011)1! Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4г5
Тппогра(1>ии, пр. Сапунова, в
0,03 ат,11, температуре 800 — 1200 С и скорости потока компонентов от 15 до 100 слг/сек.
2. Способ по п. 1, отлгг гагогцггггся тем, что в качестве монокристаллической подло>кки используют монокристаллический вольфрам.
3. Способ по п. 1, отлгг гагогггггйся тем, что в качестве монокристаллической подложки используют монокристаллический молибден.
