Способ избирательного электрохилтического

 

290063

О П И С А Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства 0

Заявлено 28.11!.1968 (№ 1315928/26-9),У1ПК С 23Ь 1 00

С 23Ь 3,,00 с присоединением заявки N.Приоритет

Комитет па делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621,794.444(088.8) Опубликовано 22.Х1!.1970. Бюллетень ¹ 2 за 1971

Дата опубликования описания 22.II.1971

Авторы изобретения А. Д. Цырлин, А. Л. Николаев, В. П. Лаврищев и А. B. Клим

Заявитель ь - ИОТЕКА

СПОСОБ ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО

ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ, НАНЕСЕННОГО

НА МЕТАЛЛИЧЕСКУЮ ПОВЕРХНОСТЬ

Изобретение относится к технике проведения фотолитографических процессов.

Известен способ избирательного травления диэлектрического слоя на металлической поверхности в растворе, химическим взаимодействующем с поверхностью металла, заключающийся в том, что для защиты от химического протравливания металла, процесс ведут при таком значении потенциала на металле, при котором разряд ионов водорода не осуществляется на данном металле.

С целью электрохимической защиты поверхности металла по предлагаемому способу потенциал металла в травящем растворе смещают в отрицательную область до потенциала выделения на нем ионов водорода.

Образец погружают в травитель под отрицательным смещением от внешнего источника постоянного тока. Анодом может служить любой инертный электрод, например платиновая сетка. Напряжение на электродах должно быть равно 5 — 10 в.

В процессе химического травления слоя диэлектрика при соприкосновении травителя с поверхностью металла замыкается электрическая цепь, и начинается электролиз травитсля с выделением водорода на металлической поверхности образца, так как потенциал слоя металла, погруженного в травитель, резко сдвинут в отрицательную сторону, и тем самым подавляется процесс химического воздействия травителя на IIOBppxHocTb последнего.

На фпг. 1 показан образец до проведения

5 процесса травления, разрез; на фнг. 2— электрическая схема процесса травления; на фиг. 3 — образец со вскрытым контактным окном в слое диэлектрика до поверхности омического контакта 2 после удаления защитной

10 маски фоторезиста с его поверхности.

Образец представляет собой кремниевую пластину 1 с плапарным р-а-переходом и омическим контактом 2, вынесенным íà поверхность пленки окисла кремния 8. Омический

1s контакт к р-и-переходу представляет собой двухслойную металлическую композицию Ti—

Ag общей толщиной 1,3 — 1,4 иткс, нанесенную на поверхность кремниевой пластины методом вакуумного распыления. Структура защище20 на слоем неорганического стекла (диэлектрика) 4 толщиной 0,9 — 1,4 л1кя, характеризующего следующим элементарным составом; /О.

02 23,5, РЬО 65,5, ВазОа 8,5, А1сОа 2.5.

Перед проведением процесса избирательно25 го травления защитного слоя стекла с целью вскрытия контактного окна на поверхности образца известным методом формируется защитная маска фоторезиста 5.

Избирательное травление слоя стекла осуЗО ществляется во фторопластовой электролитн290063

Предмет изобретения

Фиг 3

Составитель Н. Степанов

Редактор В. П. Новоселова Тскрел 3. Н. Тараненко

Корректоры: О. М. Ковалева и Л. Б. Бадылама

Изд. ¹ 78 Заказ 163 4 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, OK-35, Раушская наб., д. 4,5

Типография, пр. Сапунова, 2 ческой ванне б, в которой катодом cлужнт образец 7, а анодом — платиновая сетка 8, причем расстояние между катодом и анодом составляет 50 л м. Травитель для стекла представляет собой раствор состава: HF: НКОз .

: Н«0=1: 3: 12 объемнык частей (кислоты концентрированные).

Перед погружением образца в ванну на электроды ее от внешнего источника постоянного тока подается напряжение, равное б в.

Время травления слоя стекла указанного состава и толщины составляет 2 — 3 гиии. Контакт травящего раствора с повер.;постыл металлического слоя (омического контакта), возникающий в результате стравливания слоя защитного стекла в окне маски фоторезиста, приводит к замыканию электрической цепи.

При этом потенциал металла оказывается сдзинутым в отрицательную сторону до потенциала разряда на нем ионов водорода.

По окончании процесса травления образец под напряжением извлекается нз ванны и под5 вергается тщательной промывке в деионизованной воде.

10 Способ избирательного элек грокпмического травления диэлектрического слоя, нанесенного на металлическую повер.;ность, в растворе, кимически взаимодействующем с новеркностью металла, отличающийся тем, что, с целью

15 электрокимической защиты поверкности металла, потенциал металла в травящем расгворе смещают в отрицательную область до потенциала выделения на нем ионов водорода.