Способ изготовления мококристаллическихпризм
ОПИСАНИЕ
ИЗОЬЕЕтЕНИЯ
К АВТОРСХОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
2907 65
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельстга ¹
МПК В ОЦ 17/00
Заявлено 04.IV.1969 (№ 1323177/22-1) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 06.I.1971. Бюллетень № 3
Дата опубликования описания 24.П.1971
НЭМИТЭТ ПЭ ДЭЛЭМ
НЭЭФВЭТЭННЙ и OtKpblTNA
НВН ЭВВЭТЭ МНННВТРЭЭ
ФООР
УДК 669.054-172(088.8) Авторы изобретения
Г. А. Доброхотов и Ю. В. Данковский
Заявитель
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОИОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ
ПРИЗМ
Описываемый способ может быть использован преимущественно при изготовлении затравочных кристаллов для выращивания»з расплава монокр»сталлических слитков полупроводников.
В известном способе изготовления монокристаллических призм слитки сначала подвергают поперечной резке на части, полученные части разрезают в продольном направлении на пластины, которь|е затем разрезают на призмы; пластины псред резкой склеивают одну с другой.
Отличием описываемого способа является то, что продольную резку частей слитка производят на расстояние. меньшее длины разрезаемой части. Осуществление резки описываемым способом дает возможность сохранить жесткую связь между пластинами и призмами в процессе резк», в связи с чем повышается точность ориентации полученных призм; все полученн;-Ie пз одной части слитка монокристаллические призмы имеют одинаковую ориентацию.
На чертеже изображена схема осуществления описываемого способа.
Для резки слитков могут быть использованы станки, снабженные алмазным кругом с внутренней режущей кромкой.
Заготовку l — часть слитка, подвергаемую резке, приклеивают торцом на поверхность затравкодержателя 2, снабженного хвостовиком 8. Затравкодержатель крепится к планке 4 при по.,:ощ» гайки 5; планка имеет два гнезда б, ос» которыi взаимно перпендику5 л..рнь:. Орие»тирован»ую в требуемом кристаллографическом »аправлении заготовку, например, кремния, наклеивают торцовой плоскостью»а поверхность кристаллодержатсля» устанавливают планку так, чтобы ре10 ж . щая плоскость алмазного круга была параллельна требуемому направлению кристаллографической ор»е»тации затравочных кристаллов. После этого часть 1 слитка разрезают на плоскопараллельные пластины задан15 ной толщины, причем расстояние, на которое разрезают заготовку, меньше ее длины на
2 — 2,5 лтл, благодаря чему пластины остаются жестко связанными одна с другой. Кристалл<держатель с разрезанной на пластины заго20 товкой переставляют в том же гнезде планки, повернув на угол 90, производят резку плаcTIIH на призмы, также на расстояние, меньшее длины заготовки. По окончании разрезан»я заготовк» на призмы их отрезают попе25 речной резкой, переставив затравкодержатель
В ДР.IOe ГНЕЗДО.
Описываемым способом на станках
ЖК-10-08 могут быть получены затравки сеЗО че»ием (1Х1) лтл- — (ЗОХЗО) млт- при длине
2907С5
Составитель Т. Г. Фирсова
Техред А. А. Камышникова
Корректоры: В. Петрова и М. Коробова
Редактор Е. Дайч
Изд. № 150 Заказ 262/8 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4(5
Типография, пр. Сапунова, 2 до 45 лм, ориентированные с точностью до
20 — 1 .
Предмет изобретения
Способ изготовления мопокристалличсскнх призм поперечной резкой монокристаллического слитка на части с последующей продольной резкой частей слитка в двух взаимно перпендикулярных направлениях, от,пиаюп1пйся тем, что, с целью получения серий затравочных кристаллов с одинаковой ориентацией и нов!» Пения точности 01)нснтации, продольн io резку частей слитка производят на расстоя ие, мспьшсс длины разрезаемой части.
