Низковольтный цифровой индикатор

 

ОП ИСАНИЕ

И ЗО БР Е ТЕ Н И Я

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

МПК H Oll 1/16

Заявлено 21Л 1.1969 (¹ 1344516/26-25) с присоединением заявки № 1344517/26-25

Приоритет—

Опубликовано 16.III.1971. Бюллетень ¹ 11

Дата опубликования описания 2б.IV.1971

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.382.233 (088.8) т:- . I- Î"-Ндя

-. 1-,"11ЕСКАЯ

Автор изобретения

Л. Г. Забелина

Заявитель

НИЗКОВОЛЬТНЫЙ ЦИФРОВОЙ ИНДИКАТОР

Изобрете н1ие относится к области полупроводн|иковой техники, в частности к инжекционным электролюм инесценгным индикаторным устройст1вам.

Из вестные цифровые индикаторы изготовлены либо в виде набора светоизлучающих диодов, либо в виде семиэчементного индикатора на одной пластине.

Выпол1нение ц ифрового индикатора как IIeлого прибора на одной пластине полупроводника ограничивает габар итные размеры индикатора площадью пла,"тины выр ащиваемых

>кристаллов полупроводника; требует дополнительного расхода матер иала (полезная .площадь,NpH."Tàëëà ограничена только светящимся з1наксм); осложняется привлечением дополнительных технологических операций, обеспечивающих получение н а пластине полупроводника р-тг-перехода определенного рисунка:, возможно только на таком полупроводниковом материале, у которого осуществляется резкая локализация свечения по поверхности юр и=талла (что имеет-место у карбида кремния и пока невозмож ио у фосфида галлия вследствие сильного рассеяния света в кристалле); всегда влечет за собой наличие одного базового вывода .и семи изолированных; приводит к тому, что при выходе пз строя одного элемента, выходит из строя весь индикатор.

Предлагаемый цифровой индикатор отличается тем, что отдельные элементы инднка5 тора выполнены,в фо рме линий, ра"положенных по очертанию восьмер1ои. Цифровой индикатор набсврается в корпусе нли 1на |плите из семи линейчатых кристаллов (двух типов) фосфида галлия со сформированньгми в них

10 излучательнымп р-ï-переходами с красным ц1ветом свечения.

Конструкция поясняется чертежом. кристаллы = р-п переходами паяются на дно корпуса 1, выполняемого из ковара, Кор15 пус имеет один общий 1вывод и семь изолированных (с помощью стекля1нных бус). Внутри корпуса расположены .кри сталлы 2, имеющие напыленные контакты 8. Поверхности .кристаллов защищаются полимерным покрытием.

20 Корпус сверху покрывается крышкой-маской с прорезямн для вывода излучения. Маска представляет собой тонкую зачерненную пластину, имеющую семь прорезей, точно соогветсгвующпх прй наложении на борта корпуса

25 светящимся поверхностям кристаллов. Общая технологическая по."ледовательность операции при выполнении образцов следующая. получение р-и-перехода на пластине полу. проводника (фосфида галлия) способом дифф1 знн и 1н жидкостной эп 1!Таксин;

298942

Составитель Н. И. Таборко

Редактор Н. Г. Михайлова

Корректор Н. Л. Бронская

Зак 110/459. Изд. № 338. Тираж 473

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Подписное

Москва, ?К-35 Раушская наб.. д. 46

Тип, Харьк. фил. пред. «Патент» нанесение путем химического осаждения многослойного оми ческого контакта по всей поверхности р-области кристалла; шлифовка,с од ной стороны пластины с целью удаления метал.тического покрытия и диффузионного слоя (если р-гг-переход получается способом диффузии); па несение через маску линейчатого омического контакта.к гг-обла|сти; резка кри=таллов, например, с помощью ультразвука на,napaëëiåëenèneäû; напаивание кристалликов (|сплошным ко нтакТо?t вниз) на дно коваро вого корпуса; монтаж выводов и покрытие защитным лаком; покрытие;корпуса крышкой-маской.

Образцы цифровых индикаторов выполняются на оонове р-гг-inepexogoB из фосфида галлия с длиной волны в максимуме излучения о

7000А п р и комнатной температуре и цветом свечения кра(оным. Все составные элементы работают как обычные светодиоды. Отобр ажение десятичных цифр получается пгри подаче набуря?кения в прямом напра влении н а кристаллы с р-л-пе реходам и («+» на корпус, « — » на изолирова нный вывод) при определенном их сочетаниями с помощью системы коммутации. Потребляемая мощность определяется из учета необходимого для питания диода напряжения U=2,5 —:3,6 b прои токе 1100,иа на всю семиэлементпую

5 восьмерку.

К достои н ств ам о писа нного и нди катор а следует отнести возможность упростить технологию изготовления прибора., экономно использовать материал полупроводника и у ни10 фииировать форму крксталла, с тем, чтобы олуч ить iBce ци фры от 0 до 9, а возможно и буквы (при использовании сочетания большего чи,"ла элементо в).

15 Предмет изобретения

Низковольтный ц иф ровой:и нд икатор, построе нный по принципу синтезирования отображаемых десятичных цифр путем подклн>чения в определенном сочетаниями дискретных

20 элементов, изготовленных на основе p — n-переходов в фосфоде галлия, отличающийся тем, что, с целью экономичного использования материала полу проводника, взаи мозаменяем ости и унификации эл емснтов, последни е

25 выполнены в виде отдельно светящихся кристалло в, имеющих форму линий, располо?«embrх в кор пусе-кри сталлодержателе по очертанию восьмерки.

Низковольтный цифровой индикатор Низковольтный цифровой индикатор 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к солнечным батареям на основе прямого преобразования солнечной энергии в электрическую с помощью фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), а именно к охлаждаемому модулю, входящему в их состав

Изобретение относится к устройствам автономных источников электропитания, использующих энергию солнца

Изобретение относится к применению пластикового композита, содержащего материал-носитель, выбранный из группы полиэтилентерефталата (PET), полиэтиленнафтената (PEN) или сополимера этилена с тетрафторэтиленом (ETFE), а также слои полиамида-12, граничащие с материалом-носителем по обеим сторонам, для получения фотоэлектрических модулей

Изобретение относится к применению полиамида в качестве герметизирующего материала для изготовления фотоэлектрических модулей

Изобретение относится к прямому преобразованию излучения Солнца в электрическую энергию и может быть использовано в фотоэлектрических модулях, эксплуатируемых в наземных условиях

Изобретение относится к гелиотехнике, в частности к фотоэнергетике, и может быть использовано в энергосистемах с большим сроком активного существования
Изобретение относится к фотоэлектрическому модулю, содержащему ламинат из a) прозрачного переднего покрытия, b) одного или нескольких фоточувствительных полупроводниковых слоев, c) по меньшей мере одной содержащей пластификатор пленки на основе поливинилацеталя с содержанием поливинилового спирта более 12 вес.% и d) заднего покрытия

Изобретение относится к области электронно-оптической и полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении оптико-электронных наблюдательных и регистрирующих приборов, предназначенных для эксплуатации в условиях естественных освещенностей (от сумерек до глубокой ночи)

Изобретение относится к изготовлению модулей солнечных элементов, а также к соответствующим модулям солнечных элементов. Предложено применение а) по меньшей мере одного полиалкил(мет)-акрилата и b) по меньшей мере одного соединения формулы (I), в которой остатки R1 и R2 соответственно независимо друг от друга означают алкил или циклоалкил с 1-20 атомами углерода, для изготовления модулей солнечных элементов, прежде всего для изготовления световых концентраторов модулей солнечных элементов. Заявлен также модуль солнечных элементов и вариант модуля. Технический результат - температура эксплуатации модуля солнечных элементов составляет 80°C и выше, полное светопропускание формовочных масс в диапазоне волн от 400 до 500 нм предпочтительно составляет по меньшей мере 90%, полное светопропускание формовочных масс в диапазоне волн от 500 до 1000 нм предпочтительно составляет по меньшей мере 80%. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 4 ил.
Наверх