Управляемый линейный резистор

 

р

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН Ия

Союэ Советских

Социалистических

Респуелик

Зависимое от авт. свидетельства №

МПК Н 01с 7/14

Заявлено 14.Х.1969 (№ 1368081/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Комитет по делам иэооретемий и открытий при Совете Мииистров

СССР

Опубликовано 26.Ill.1971. Бюллетень № 12

Дата опубликования описания 27.IV. 971

УДК 621.316.723.2 (088.8) Авторы изобретения

А. Н. Крештал и М. А. Розенблат

Заявитель Институт автоматики и телемеханики (технической кибернетики)

УПРАВЛЯЕМЫЙ ЛИНЕЙНЫЙ РЕЗИСТОР

Изобретение относится к технологическим средствам автоматики и кибернетики и предназначено для бесконтактного регулирования величины сопротивления в электронных устройствах х.

Величина сопротивления обычно регулируется механическими переменными резисторами-потенциометрами, основными недостатками которых являются: необходимость приложения вращающего момента к оси потенциометра для изменения положения движка, низкое быстродействие, невысокая надежность, малый срок службы.

Цель изобретения — расширение пределов изменения сопротивления лицеаризованного полевого МДП-транзистора и повышении его помехозащищенности.

Для этого в предлагаемом устройстве подложки полевого МДП-транзистора через резистор подключена к среднему выводу делителя напряжения.

На фиг. 1 изображена принципиальная электрическая схема управляемого линейного резистора с фиксированной подложкой; на фиг.

2 — принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства, в которой полевой

МДП-транзистор показан схематически, Устройство содержит полевой МДП-транзистор 1, делитель напряжения, состоящий из двух, по возможности равных по величине ре2 зисторов 2 и 8 и дополнительного резистора 4, E êëþ÷åíHîãо между подложкой транзистора и средней точкой делителя. Управляющее напряжение U включено ме>кду затвором тран5:зистора и средней точкой делителя.

Линеаризация полевого транзистора 1 осуществляется при помощи делителя на резисторах 2 и 3. При отсутствии резистора 4 потенциал подложки неопределен («плавает») и

10 нижняя граница проводящего канала имеет при этом вид, показанный на фиг. 2 пунктирной линией 5. При подключении резистора 4 потенциал подложки во всех точках определен (фиксирован) и нижняя граница канала пока15 зана линией б, т. е. при U= const сопротивление канала линеаризованного полевого МДП-транзистора с фиксированной подложкой меньше чем с плавающей.

20 Определенность потенциала подложки приводит также к устранению гистерезисной зависимости между током через транзистор и напряжением приложенным к нему, а также значительно повышает помехозащищенность

25 транзистора. так как подложка соединена с корпусом полевого транзистора.

Следует отметить, что при достаточно большой величине сопротивления (порядка нескольких сотен килоом) резистора 4, линей30 ность управляемого резистора не изменяется, 299874

Предмет изобретения

Юг. 2

Составитель Н. Герасимова

Тсхрсд Л. Я. Левина

Редактор T. Иванова

Корректор Н. Л. Бронская

Заказ 1032!3 1Лзд. ¹ 431 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4п5

Типография, пр. Сапунова, 2

Управляемый линейный резистор, содержащий полевой МДП-транзистор и делитель нагряжения на двух резисторах, подключенный между его истоком и стоком, отлачаюи ийся тем, что, с целью расширения пределов изменения сопротивления и повышения его помехозащищенности, подложка транзистора через резистор подключена к среднему выводу

5 делителя напряжения.

Управляемый линейный резистор Управляемый линейный резистор 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при точных измерениях малых 1 I величин давления и разрежения

Изобретение относится к КМОП-структуре

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и микроэлектронике, классу многофункциональных приборов

Изобретение относится к области изготовления защищенных интегральных схем, а именно к способу изготовления полупроводникового элемента с проходящей, по меньшей мере, частично в подложке разводкой, а также самому полупроводниковому элементу

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при создании аналоговых К-МОП интегральных схем, например, JC-MOn аналого-цифровых преобразователей

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В КМОП-транзисторе объединены два комплементарных транзистора в компактную структуру с вертикальными каналами с p- и n-типами проводимости, которые расположены параллельно друг другу и имеют общий затвор. Затвор изолирован от каналов диэлектриком и сформирован на непроводящей области, расположенной между транзисторами. Стоки каналов МОП-транзисторов соединены между собой с помощью омических контактов на нижней стороне структуры, а истоки транзисторов имеют отдельные выводы на верхней стороне. Изобретение позволяет упростить конструкцию, уменьшить размеры и повысить быстродействие КМОП-транзистора. 1 ил.
Наверх