Способ получения бикристаллов

 

365967

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Вема е

Социалистически»

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 12.VI1.1969 (М 1347858(23-26) М11К В 01j 17/00 с присоединением заявки №

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Приоритет

Опубликовано 11.VI.1971. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 29Х11.1971

УДК 548.55(088.8) 1

Б. А. Оплеснин, А. А. Ястребков, В. П. Лубенец, В. Н. Чечет1цев, В. M. Лакеенков и 10. И. Столяров

Авторы изобретения

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БИКРИСТАЛЛОВ

Предмет изобретения

Известен способ получения бикристаллов из монокристаллического прутка, заключающийся в том, что пруток делят на затравки, обрабатывают механически предполагаемые места их соединения, ориентированно совмещают и затем сваривают.

Для упрощения процесса и получения качественной межкристаллической границы предло>кено процесс вести сквозным местным проплавлением прутка, разворотом одной части относительно другой на требуемый у ол и последующим охлаждением расплавленной зоны.

Пример. Получение бикристаллов молибден а.

Мол ибденовые мопокристаллические прутки диаметром 14 — 15 .и,и и длиной до 200 лл, ось которых совпадает с одним из кристаллографических направлений (100), (110), (111), после центровки крепят в установке для электроннолучевой зонной плавки в вертикальном положении. Кольцевой катод подводят к нужному участку монокрпсталла и проводят сквозное проплавление выбранного участка монокристаллического прутка. После этого верхнюю часть прутка поворачивают относи5 тельно нижней на требуемый угол и снижают подведенную и катоду мощность до полного затвердевапия расплавленной зоны.

Плоские прямые монокрпсталлпческпе граниUbt располагаются поперек оси прутка и не

10 содержат загрязнений или пустот.

Способ получения бпкриста IëîB из моно15 кристаллического прутка, отличаюи ийся тем, что, с целью у -рощенпя процесса и получения качественной межкристаллической границы, процесс ведут сквозным местным проплавлением прутка, разворотом одной части

20 относительно другой на требуемый угол и последующим охлаждением расплавленной зоны.

Способ получения бикристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах

Изобретение относится к зонной плавке и может быть использовано для получения и очистки различных материалов

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для получения в условиях микрогравитации кристаллов различного состава, применяющихся во многих областях техники

Изобретение относится к технологии получения искусственных монокристаллов в условиях микрогравитации, используемых в различных областях техники

Изобретение относится к выращиванию кристаллов

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов методом направленной кристаллизации в замкнутом конвейере, в частности к выращиванию монокристаллов в условиях микрогравитации путем управления конвективными потоками в расплаве

Изобретение относится к материаловедению, преимущественно к космической технологии в условиях минимального воздействия микрогравитации
Наверх