Вторичноэлектронный эмиттер

 

О П И С А Н И Е 308468

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Сове Советски"

Социалистическая

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

МПК Н Olj 21/26

Заявлено 23.1.1970 (№ 1396763/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 01 VII.1971. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 9.IX.1971

Комитет по делам изобретеиий и открытий при Совете MHHHcTpGS

СССР

УДК 621.383:537.533.8 (088.8) Авторы изобретения

Л. Ф. Афонина и Г. Б. Стучинский

Заявитель

ВТОРИЧНОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭМИТТЕР

Предмет изобретения 1

Изобретение относится к электронным приборам, а именно — к вторичноэлектронным умножителям.

Известны вторичноэлектронные эмиттеры в виде теллуроцезиевого слоя с коэффициентом вторичноэлектронной эмиссии (квээ) величиной до 4,5 (при энергии первичных электронов 100 эв) и 9 — 10 в максимуме зависимости.

Данный вторичноэлектронный эмиттер на основе теллуроцезиевого слоя обладает повышенным квээ благодаря тому, что в него введен также барий.

Эмиттер получают обработкой слоя, содержащего теллур и барий, в парах цезия.

Полученный эмиттер обладает квээ, равным 6 (при 100 эв) и 15 — 17 в максимуме.

Другим преимуществом указанного эмиттера является пониженная чувствительность в видимой области спектра.

Вторичноэлектронный эмиттер в виде тонкой пленки, содержащий теллур и цезий, отличаюатийся тем, что, с целью повышения коэффициента вторичной эмиссии, в него введен барий.