Всесоюзная 5nai;lht!w->&^-xu.rt.{;as|б'-^ л 1-ю г на

Авторы патента:

H01L27/06 - содержащие несколько отдельных компонентов, конфигурация которых не повторяется

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетскиз

Социалистические

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹-вЂ”Заявлено 04.Х11 1968 (№ 1288170 26-25} с присоедияенисх! заявки М-М. Кл. Н 0ll 11/00

Н 05k 1 00

Ко!ентет по делам нзооретений и открытий арн Совете есннистрое

CCCP

ПриоритетвЂ”

Опубликовано 08.1.1973. Б10лг!Отеки ¹ 6

Дата опубли! овани» Описания 17.1т .1973

УДК 621.382.34 (О88.8) Авторы изобретения

1О. Н. Дьяков, В. Я. Кремлев, В. Н. Струков и Д. О. Чутуев

Заявитель

ЭЛЕМЕНТ ТРИГГEPHÎA ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ

Изобретение относится к области производства быстродействующих интегральных полупроводниковых запоминающих устройств.

Известны конструкции многоэмиттерных транзисторов, в которых для нсклю- ения паразитного тока между закрытым информационным эмиттером и открытыми адресными эмиттерами используется специальная конфигурация базовой области с вытянутым отростком от областей эмиттеров к базовому контакту.

Недостатки таких конструкций вЂ” высокое остаточное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора в проводящем соотношении и большая площадь базовой области.

Цель изобретения вЂ” создание многоэмиттерного транзистора с уменьшенным остаточным напряжением и малой площадью.

Для этого коллекторпая область многоэмиттерного транзистора выполняется таким образом,;To 11;1;10:111е пот снцна;!я ь тече коллекторной области при протекании тока от смещенного в прямом направлении адресного эмиттера обеспечивает запиранпе участка р-л,-перехода коллектор вЂ” база, распоio)«eiiiioio под информационным эмиттером, устраняя прн

ЭТОМ ПЯРЯЗИТНЫЙ ТОI, а СН! Налlэи1>11! КОНТЯКТ К! Ол,1cliTOplIOIi Oб lBcTII pQcIIo.IIII 20Tc)I II 00,IIIcTil минимального потенциала поля растекания.

Многоэмиттерный транзистор выполнен !то планарно-эпптаксиальной технологии па «рем,> нпевой пластине р-типа и содержит эпитаксиальный коллектор с высоким удельным сопротивлением, в котором диффузней сформирована базовая область с омнческим контактом.

В базовой области расположены два или бо10 лее диффузионных, адресных эмиттсров н один информационны!!. Коллектор имеет два невыпрям,чяющих контакта, один из которых является сигнальным, а второй вЂ” токозадающим.

В данной констр кцни Tol 0;1H010 и,чн Iicclio;Ib15 кнх открытых адресных эмиттеров, протекя» через коллекторную область к токозадающему коллекторному контакту, создает и коллекторной области поле потенциала, запирающее у«асток р вЂ” и-перехода коллектор вЂ” оазя под Об20 ратно смещенным информационным эмиттсром, что обеспечивает устранение и!)р!1:1пт1!Огi) тока. Поскольку между адресным)! эмиттерами и токовым КОчлекторным коптя! том разность потенциалов велика, что исключает воз2 можность использования этого вывода для съема потенциала в схеме триггера с непосрсдствештыми связями, вводится дополните II !I!Ill сигнальный выгод коллектора, расположенный в области поля, имеющей мгишмальный по00 тенциал.

310597

Предмет изобретения

Составитель A. Кот екред Т. Миронова

"<;,àêòDð Н. Караванская

Корректор О. Тюрина

Заказ 926 11зд ¹ !25 Тираж 780 Ho,i I Hoã!.!1-!11ИПИ Коиитега,го делан изоб.)i i.ëèé ii о:,крьггий гари Совстс Мииистзов СССР

Москва, Ж-35, Раушскаи паб., д. 4, 5

Обл. тип. 1 острогиского управлении издательств, полиграфии и книжной торговли

Элемент триггерной ячейки памяти на основе многоэмиттерного транзистора, содержащий адресный и информационные эмиттеры, базовую область и коллекторную область с потенциальным и токозадающим выводами, отличаюи ийся тем, что, с целью устранения паразитных токов и микроминиатюризации, адресный эмиттер расположен между информационными эмиттерами и токозадающим коллекторным контактом на таком расстоянии, что участок коллекторного перехода, лежащего под инфор5 мационным эмиттером, смещен в запорном направлении, при этом потенциальный коллекторный контакт расположен в точке наименьшего потенциала тока коллектора.

$Всесоюзная 5nai;lht!w->&^-xu.rt.{;as|б-^ л 1-ю г на$ $Всесоюзная 5nai;lht!w->&^-xu.rt.{;as|б-^ л 1-ю г на$

Бикмоп-прибор и способ его изготовления // 2106719

Интегральный логический элемент // 2115998

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, к интегральным логическим элементам БИС

Структура биполярного транзистора в составе бикмоп ис // 2210838

Структура кремний-на-изоляторе для сбис // 2230393

Бикмоп-прибор и способ его изготовления // 2282268

Изобретение относится к области микроэлектроники

Безэпитаксиальная структура биполярного транзистора // 2368036

Изобретение относится к микроэлектронике

Микроэлектронная схема управления // 736222

Интегральная схема // 858494

Монолитная интегральная схема защитного устройства // 2581764

Изобретение относится к СВЧ монолитным интегральным схемам и предназначено, преимущественно, для защиты малошумящих усилителей на входе приемных устройств СВЧ аппаратуры. Технический результат, на который направлено изобретение, состоит в упрощении конфигурации исходной эпитаксиальной структуры, из которой изготавливают схему, снижении ее стоимости, а также упрощении технологии изготовления схемы. Отличительной особенностью монолитной интегральной схемы защитного устройства, содержащего на входе группу pin-диодов, соединенных через отрезок микрополосковой линии с группой диодов на выходе схемы, является то, что выходные диоды выполнены в виде диодов Мотта, активные области которых сформированы из части слоя i-типа проводимости исходной эпитаксиальной структуры, состоящей из следующей последовательности слоев: слоя р+-типа проводимости, слоя i-типа проводимости, либо ν-, либо π-типов, и слоя n+-типа проводимости, лежащего на полуизолирующей подложке. 1 ил.