Устройство для испытания клипперных диодов

 

3l4I6l

О ПИ „А Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Реслубаа

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

За виси»ое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 16.|!.1970 (№ 1405167/26-25) с присоединением заявки ¹вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 07.!Х.!971. Бюллетень ¹ 27

Дата опубликования onnñànèÿ 09.Х11.1971."1ПК G 01r 31/26

Комитет по делам

«зобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 621.317.61:621.385 (088.8) Авторы изобретения

Н, H. Зубарев и В. И. Пшеничников

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИСПЪ|ТАНИЯ КЛИППЕРНЪ|Х ДИОДОВ

Изобретение относится к области радиотехники и хвожет быть использовано в электровакуумной промышленности для измерения электрических параметров, тренировки и испытания на надежность газоразрядных приборов, например, тиратронов и клипперных диодов.

|Известны схемы для испытания клипперных диодов, содержащие коммутатор, формирующую линию, клипперный диод, нагрузку клиппе|рного диода и зарядный дроссель. Эти lp устройства громоздки и потребляют большую мощность за счет энергоемкости конденсаторов формирующей линии.

Цель изобретения — снижение энергоемкости конденсаторов формирующей линии, 15 уменьшение потребляеиой мощности при сохранении необходимых технологических режимов для испытания клипперных диодов.

Для достижения указанной цели между формирующей линией и клипперным диодом -p включена первичная обмотка импульсного трансформатора, один из выводов вторичной обмотки которого через дополнительный коммутатор и нагрузку соединен с клеммой для подключения анода испытуемого клипперного 25 диода, а другой вывод вторичной обмотки трансформатора соединен с клеммой для подключения катода испытуемого клипперного диода.

Схема предлагаемого устройства изображена на чертеже. Устройство состоит из фо рмирующей линии 1, коммутатора 2, подключенного в начале формирующей линии 1 анодом к плюсовому выводу формирующей линии 1, а катодом — к корпусу.

В конце формирующей лиш1п к ее плюсовому выводу подключен конец первичной обмотки импульсного трансформатора 8, другой конец — к клемме 4 для подключения катода клипперного диода Д и к одному из выводов вторичной обмотки трансформатора 8. При этом клемма 5 для подключения анода клипперного диода подключена к минусовому концу формирующей линии 1, второй конец вторичной оомоткп трансформатора 8 подключен к аноду вспомогательного тиратрона б. Последний катодом через нагрузку 7 импульсного тран "ôîðìàòîðà 8 подключен к клемме 5 для подключения анода клипперного диода и соответственно к мпнусовому концу формирующей линии 1.

При подаче сигнала на управляющую сетку коммутатора 2, последний открывается и через него проходит ток перезаряда формирующей линии 1. Когда волна перезаряда достигает конца формирующей линии 1, она отражается, и при этом формирующая линия 1 начинает заряжаться напряжением с обратной полярностью, При нарастании напряжения перезаряда испытуемый диод поджигается, через не314161 4,т

Составитель О Афанасенкова

Текред Л. В. Куклина

Редактор Ю. Полякова

Корректор О. Б. Тюрина.Заказ 6484 Изд. № 1222 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Обласгная типография Костромского управления по печати го и первичную обмотку импульсного транс"форматора 3 начинает протекать ток разряда формирующей линии 1, при этом на вторичной обмотке импульсного трансформатора 8 возникает напряжение, которое плюсом приклады.вается к аноду вспомогательного тиратрона б, а минусом — к катоду 4 испытуемого диода.

Тиратро н б открывается; через него, нагрузку 7 и испьгтуемый диод протекает ток вторичной обмотки импульсного трансформатора 8, а на .активной нагрузке 7 выделяется мощность формирующей линии 1. Импульсный ток формирующей лин ии 1 суммируется с импульсным током вторичной обмотки импульсного TpBIHcформатора 8 через испытуемый клипперный диод, что позволяет снизить энергоемкость формирующей линии 1.

Использование данной схемы даст возможность уменьшить в (n+1) раз энергоемкость конденсаторов формирующей линии, в (и+1) раз потребляемую мощность и мощность, (и+1) выделяемую в.напрузке; в раз ток через коммутатор, в и раз величину сопротивления нагрузки клипперного диода (и — коэффициент трансформации импульсного трансформатора).

Предмет изо!бретения (Устройство для испытания кли1пперных диодов, содержащее формирующую ливонию, коммутатор, например тиратрон, клипперную цепь, отличающееся тем, что, с .целью снижения энергоемкости конденсаторов форм|ирующей линии и уменьшения потребляемой мощности, между формирующей линией и клеммой для подключения катода испытуемого клипперного диода включена первичная обмотка импульсного трансформатора, один из выводов вторичной обмотки которого через дополнительный коммутатор и нагрузку соединен с клеммой для подключения анода испытуемото клипперного диода, а другой вывод вторичной обмотки трансформатора соединен с клеммой для подключения катода испытуемого клипперного диода.

Устройство для испытания клипперных диодов Устройство для испытания клипперных диодов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх