Способ контроля качества пленочных резисторов

Авторы патента:

H01C17 - Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления резисторов (для заполнения корпусов или оболочек H01C 1/02; уменьшение изоляции вокруг резистора путем заполнения порошком H01C 1/03; изготовление терморегулируемых резисторов H01C 7/02, H01C 7/04)

G01R31/18 - с поочередной подачей однотипных изделий на испытание, например шаговые испытания в массовом производстве

3I4236

ОП КСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕН Ия

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ союз Соеетских

Саииелистичесиих

Респуалии

Зависимое от авт. свидетельства М

МП К G 01г 31/I S

Н 01с 17/00

Заявлено 30.1.1970 (М 1402950/26-9) с присоединением заявки МвЂ”

Комитет со йалем иеаоретеиий и отирытий ари Саеете ссинистао.

СССР

Приоритет -вЂ”

Опубликовано 07.1Х.1971. Бюллетень Хо 27

Дата опубликования описаш1я 27.XII.1971

УДК 621.396.692 (088.8) Авторы изооретения

В. Н. Гулящев и Н. М. Тихомирова

Заявитель

СПОСОБ КО11ТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПЛЕНО IHbIX РЕЗИСТОРОВ

Изобретение отноаится к технологии производства элементов радиоаппаратуры и может быть, использовано для контроля качества резистивной пленки и контактных пере одов ненарезанных неокрашенных резисторов.

Известен способ контроля качества пленочных резисторов путем сравнения, внешнего ваада резистора с некоторым эталоном.

Целью изобретения является объективная оценка качества пленочных резисторов, позволяющая обнаружить дефекты ненарезанных неокрашенных резнсторов и их контактных переходов, Это достигается использованием четырехзондового метода измерения, когда токовые зонды элект р1ичеоки со змещают с кстнтактным и узлами резисторов, потенциальные зонды располагают,в птоскоспи,,неперпендикулярной оси резистора, параллельно один другому, к токовым зондам прпкладывают определенное напряжение, резистсру пр идают .вращательно-поступательное движение с шагом, равным расстоянию между потенциальными зондам и, с помощью которых непрерывно определяют градиент напряжения вдоль резистивного элемента, резистора, а о дефекпности резистора судят по вел ичине отклонения напряжения на потенциальных зондах от эталонного уровня, 2

На фнг. 1 изображена, схема контроля пснарезного неокрашенного резистора; на фиг. 2--cxeAIB linnTp01я дефектов ных переходов,резистора.

Для обнаружения дефектов ненарезанного неокрашенного резистора токовые зонды 1 электрически совмещают с контактными узламги 2,резистора 3. Потенциальные зонды 4 устанавливают на небольшом расстоянии

)o друг от друга в плоскости, неперпендикуляр<ой оси рез истора, параллельно один другому. Этэ положение потенциальных зондов позволяет обнаружить наиболее опасные дефекты 5, которыми являются неоднородности го направляющей цилиндрической поверхности резистора. Потечциальные зонды 4 прсизодят,в упругое соприкосновение с .резистивным элементом 6 резистора, к токэвым зондам прикладывают определенное напряжено нис, а к потенциальным зэндам вЂ” сэответствующее компенсационное напряжен не. Рези стэру 3 придают вращательно-поступательное движение с шагом, равным расстоянию между потенциальными зондам и, что обеспечива25 ет однократное прохождение каждого участка резисгивного элемента между этими зондами. По показаниям .регистрирующего прлбора 7 судят о величине отклонения напряже-is>a на потенциальдых зондах от эталон,р ного уровня, определяя тем, самым дсфект314236

Предмет изобретения

Фиг.1

Составителв Г. Челси

Редактор C. Е)ккова Текред T. Курилко Корректор.л Е, ))сов!! и О. Волков)1

Заказ 5587 Изд. ¹ 1235 Тираж 473 1lодгпспое

ЦНИ!ЧПИ Ко lolTcTB го делам изобретений и открытий при Совете М)ипк) ров С С1 ,Чосква,,)К-35, 1)аушскаи, нао., д: 4/5

Зпг )рек 1)I гппогp;l((1151

IIOC l b 1)сзпс l 01) cl. 11 1)Ill l(011) 1)о, I:: l(O1113 1 1 11 bl Y переходов, неокрашенного резистора обнару)кен1ие дефектов произ водят одноврсмснно,иа обоих переходах. Для этого токовые зсгнды 1 п одпоимен,ныс,им потенциальные зонды 4! совмещают с контактными узлам и 2, два дру,гих потенциальных зонда 4 располагают на резистивном элементе 6 у края соответствующего контактного перехода. К токовым зондам .прикладывают соответствующее папря)кение, к потенциальчым вЂ” соответст вую!цсс

1(омпеисациониое напряжение, а рез истору, ) придают вращательное дви)ке1нис. По показан 1I)II)! реметрщру)олго прибора 7 судят о ве.!ич|ине откло1нения папря)кеп ия па ка)идой парс потенциальных зондов от эталоне)ого уровня, определяя дефектность перехода.

1. Способ контроля качества плс1ючных резисторов, основанный на четырехзопдовом методе измерения, отличающийся тем, что, с целью обнаружения дефектов пенарсзап41ых псокраше1нных резисторов, токовые зонды эле! Тричсск1и ссВмеща10т с контак))пым1и g 3лами рез истора, г)отснц)!алыные зонды располагают в плоскости, испср1!Снд!1кулярной оси резистора, параллельно один другому, к токовым зондам прикладывают определегнное напряжение, резистору пр идают вращательно-поступатель1ное,движение с шагом, равным расстоянию между потенциальными зондами, с помощью которых непрерывно определяют градиент напряжения вдоль резистивного элемента .рез истора, а о

fQ дефектиости резистора судят по величине отклонения напряжения на потенциальных зондах от эталонного уровня.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью обнаружения дефектов контактных

15 псрсходов неокрашенных .резисторов, токовыс и одноименные им потенциальные зонды совмещают с контактными узлам!и, два друг!их потенц1иалыны (зонда располагают на резист ивном элементе вбл1изи краев

20 соответствующего контактного перехода, к токовым зондам прикладывают определенное ))аг)ряжепие, резистору придают вращательное движение, а о дефект(ности перехода судят по величине отклоиенгия папряже25 пия на каждой паре потенциальны.: зондов от эталонного уровня.