Одновибратор

 

3Б276

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Соеетских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 05.111.1970 (№ 1408473126-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.!Х.1971. Бюллетень j¹ 28

Дата опубликования описания 01.XI.1971

МП1 Н 03k 3!286

Комитет по делам иаобретеиий и открытий при Спеете Мииистрае

СССР

УД1 621.374.44(088.8) Авторы изобретения

И. А. Заморин и В. А. Бровкин

Заявитель

ОДНОВИ БРАТОР

Известный одновибратор содержит два нормально запертых транзистора, в котором эмиттерная цепь входного транзистора подключена к источнику питания через полупроводниковый диод, а база подключена через конденсатор к источнику запускающих импульсов.

Для повышения надежности между эмиттером входного транзистора и упомянутым диодом включен переход коллектор-эмиттер дополнительного транзистора, к базе которого подключен резистивно-емкостный делитель напряжения.

На чертеже изображена электрическая схема предлагаемого одновибратора.

Одновибратор содержит два нормально запертых транзистора 1 и 2, проводящий диод

8, конденсатор 4 и резистор 5 цепи запуска, транзистор 6 каскада задержки запуска и делитель напряжения, состоящий из резисторов

7 и 8, шунтированный накопительным конденсатором 9.

Резистор 10 играет роль выходного сопротивления генератора запуска.

Предлагаемый одновибратор работает следующим образом.

При включении напряжения питания Ек конденсатор 4 запуска заряжается через выходное сопротивление генератора запуска и резистор 5 цепи запуска. В начальный момент заряда конденсатор 4 запуска потенциал базы входного транзистора 1 оказывается равным потенциалу +Е„..

Если бы эмиттер входного транзистора был подключен к аноду проводящего диода 8, то

5 транзистор 1 оказался бы смещенным в прямом направлении и открылся бы током базы, определяемым потенциалом Е,< и величиной выходного сопротивления 10. Между транзисторами 1 и 2 возникла бы положительная

10 обратная связь и одновибратор произвел бы ложное срабатывание.

Однако эмиттер входного транзистора 1 подключен к коллектору транзистора 6 каскада задержки запуска.

15 Проводимость транзистора 6 в переходном режиме зависит от величины потенциала накопительного конденсатора 9, а в установленном режиме от величины резисторов 7 и 8.

При включении напряжения питания Е„нако20 пительный конденсатор 9 заряжается через резистор 7. В начальный момент заряда накопительного конденсатора 9 потенциал базы транзистора 6 при включении напряжения источника питания сразу же установился не25 большой положительный потенциал, равный потенциальному барьеру диода 8.

Благодаря этой разности потенциалов транзистор 6 оказывается смещенным в обратном направлении и проводимость его от30 сутствует. Цепь связи эмиттера входного

315276

3 транзистора 1 с источником питания Еи. оказывается разомкнутой.

Постоянная времени цепи заряда накопительного конденсатора 9 через резистор 7 выбирается значительно больше постоянной времени цепи заряда конденсатора 4 через резистор 5. На время заряда накопительного конденсатора 9 транзистор б обеспечивает задержку запуска одновибратора и предотвращает ложное срабатывание при включении напряжения питания.

По мере заряда накопительного конденсатора 9 на базе транзистора б появляется положительный потенциал и эмиттерный переход транзистора б становится проводящим.

С появлением на входе одновибратора импульсов запуска в общей цепи транзисторов

1 и б появляется коллекторный ток, равный току базы транзистора 2, Возникает положиПредмет изобретения

-Е„

Г Генерптпр ь мпуяьспд

Составитель H. Герасимова

Текред 3. H. Тараненко Коррсктор H. Рождественская

Редактор И. Квачадзе

Заказ 3030!8 Изд. № 1270 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, %-35, Раушская наб., д. 4!5

Типография, пр. Сапунова, 2

1 !

1

1

1 ! !

L тельная обратная связь между коллектором транзистора 2 и базой транзистора 1, и одновибратор вырабатывает прямоугольный импульс заданной длительности.

Одновибратор, содержащий два нормально запертых транзистора, в котором эмиттерная

Т0 цепь входного транзистора подключена к источнику питания через полупроводниковый диод, а база подключена через конденсатор к источнику запускающих импульсов, отличаюи ийся тем, что, с целью повышения на 5 дежности, между эмиттером входного транзистора и упомянутым диодом включен переход коллектор — эмиттер дополнительного транзистора, к базе которого подключен резистивно-емкостный делитель напряжения.