Патент ссср 319319

 

(t t) 3l93l9

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 28.04.70 (21) 1422306/29-33 с присоединением заявки (32) Приоритет

Опубликовано 25.03.74. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания 21.08.74 (51) М. Кл. В 01d 9/00

В 011 17/06

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изаоретений и открытий (53) УДК 66.065.5 (088.8) (72) Авторы изобретения

Г. А. Шмелев, А. А. Бобр-Сергеев и В, И. Сердюков (Ивановский химико-технологический институт .. -,-., . Я(,;", (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ СИНТЕТИЧЕСКОЙ

СЛЮДЪ| ТИПА ТЕНИОЛИТА

Предмет изобретения

Известен спосоо получения кристаллов синтетической слюды типа тениолита из расплава шихты.

Цель изобретения — увеличи1ь количество дифференцированных и ограненных кристаллов.

Достигается это тем, что кристаллизацию ведут из расплава шихты, содержащей сверх стехиометрии тениолита 0,2 — 10 вес. ч. фторидов, в интервале от 1000 †11 С до 750—

900 С.

В исходную шихту, соответствующую стехиометричес кому составу тениолита

KMgqLi (8,0tp) F2 (компоненты KF, К СОз, MgFg, MgO, SiOg, А1 0 ) добавляют один из фторидных LiF (0,3 — 1 вес. ч.), NaF (0,2—

0,3 вес. ч.), или одну из фторидпых смесей эвтектического состава: MgF2+ LiF (0,3—

10 вес. ч.), MgF + NaF (0,2 — 0,3 вес. ч.), LiF + CaFq (0,3 — 5 вес. ч.) и др.

Шихту перемешивают и помещают в тигель, который герметизируется и окружается теплоизоляционной засыпкой. Шнхту плавят при

1180 С и ниже, кристаллизацию осуществляют путем медленного охлаждения до температуры застывания остаточного фторидного расплава (750 — 900 С) . Полученные таким способом слюдяные слитки характеризуются большим количеством дифференцированных и ограненных кристаллов тениолита. Чем медленнее охлаждение расплава, тем больше размеры кристаллов и лучше их качество. Продукт синтеза сравнительно легко расщепляется на отдельные блоки и кристаллы. Фторид10 ная фаза, за исключением NaF и Мд2Г+ NaF, после извлечения из нее кристаллов тениолита может повторно использоваться в качестве фторидной добавки для получения слюды предлагаемым способом.

Способ получения кристаллов синтетической слюды типа тениолита из расплава шихты, о т20 л и ч а ю шийся тем, что, с целью увеличения количества дифференцированных и ограненных кристаллов, кристаллизацию ведут из расплава шихты, содержащей сверх стехиометрии тениолита 0,2 — 10 вес. ч. фторидов в

25 интервале от 1000 — 1160 С до 750 — 900 С.

Патент ссср 319319 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангалиевого силиката
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката (ЛГС), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов на основе оксидов для выращивания монокристаллов, в частности лантангаллиевого силиката
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката, обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к области неорганической химии, в частности к способам получения синтетических драгоценных камней

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов лантангаллиевого силиката, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах

Патент ссср 319319

Наверх