Двухтактный импульсный усилитель

 

Q Е:: С -«»» - 1 л . " . ч; . а

ДА: сйт .мб =г.ио-;":-.э. i:I A

О П

320035

Союз Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 14.ll.1970 (№ 1403780/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 02.XI.1971. Бюллетень № 33

Дата опубликования описания 7.1.1972

МПК Н 03k 5/02

Комитет ло делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Ъ ДК 621.375,127(088.8) Автор изобретения

Л. И. Хлюнев

Заявитель

ДВУХТАКТН Ы Й ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛ ИТЕЛЬ

Изобретение относится к области радиотехники, а именно к двухтактным импульсным усилителям на транзисторах, Известен двухтактный импульсный усилитель на транзисторах, содержащий входной и выходной трансформаторы. Однако в нем при усилении импульсов с высокой частотой следования значительно понижается к.п.д.

В предлагаемом устройстве база каждого нз транзисторов подключена ко вторичной обмотке входного трансформатора через диод, включенный в пепроводящем направлении, и ко вторичной обмотке выходного трансформатора — через последовательно соединенные резистор и диод, включенный в проводящем направлении для тока базы транзистора.

На чертеже представлена электрическая схема предлагаемого устройства.

Двухтактпый усилитель содержит два транзистора 1 и 2, входной трансформатор 8 со вторичными обмотками 4 и 5 и выходной трансформатор б со вторичными обмотками

7 и 8. Для подключения базовых выводов транзисторов к обмоткам трансформаторов служат диоды 9 — 12. Начальное смещение для диодов и транзисторов образуется посредством делителей, составленных из резисторов

И вЂ” 18. Резисторы 14 и 17 служат также для ограничения базовых токов транзисторов при работе их в режиме усиления.

В исходном состоянии при отсутствии сигнала на входе транзисторы 1 и 2, а также диоды 9 и 10 открыты, а диоды 11 и 12 закрыты напряжением смещения, имеющем место на резисторах 14, 15 и 17, 18 соответственно.

При возникновении входного сигнала на первичной обмотке трансформатора 8, на конце обмотки 4, подключенном к катоду диода 9, появляется напряжение одного знака, а на

10 конце обмотки 5, подключенном к катоду диода 10, напряжение другого знака.

Допустим, что на конце обмотки 4, а следовательно, и на катоде диода 9, появляется напряжение со знаком минус. Тогда возника15 юший под воздействием появившегося напряжения ток потечет через диод 9 и резистор 15.

Падение напряжения на резисторе 15, обусловленное этим током, снизит потенциал базы транзистора 1 и вызовет спад его коллек20 торного тока. В результате на концах вторичных обмоток выходного трансформатора б появится напряжение. Прп этом па конце обмотки 8, подключенном к аноду диода 12, появляется напряжение со знаком плюс, а на

25 конце обмотки 7, а следовательно и на аноде диода 11 — напряжение со знаком минус. Под воздействием этих напряжений диод 12 открывается, а диод 11 остается закрытым. Ток, текущий через диод 12 и резисторы 17 и 18, 30 создает на последнем напряжение, смещаю320035

Предмет изобретения

Составитель Л. Багян

Техред 3. Тараненко

Корректор 3. Тарасова

1оедактор F. Tончар

Заказ 3796!15 Изд. № 1534 Тираж 473 Подписное

ЦКИ11Г1И Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, 1заушская аб., д. 4/5

Типография, »р. Сапунова, 2

3 щее эмиттерный переход транзистора 2 в прямом направлении. В результате происходит нарастание коллекторного тока транзистора

2. Изменение токов транзисторов сопровождается переходом транзистора 1 в режим отсечки, а транзистора 2 в режим насыщения, При смене знаков напряжения возбуждения на концах обмоток 4 и б диод 10 открывается, а диод 9 закрывается. Ток, текущий через диод 10 и резистор 18 снижает потенциал базы транзистора 2. В результате происходит рассасывание избыточных носителей в базе транзистора 2 с последующим спадом его коллекторного тока. При этом происходит смена знаков напряжений на концах обмоток выходного трансформатора, в результате ко.торой диод 12 закрывается, а диод 11 открывается. Ток, текущий через диод 11 и резисторы 14 и 1б, создает на последнем напряжение, смещающее эмиттерный переход транзистора 1 в прямом направлении. Это вызывает нарастание коллекторного тока транзистора 1.

Изменение токов транзисторов сопровождается переходом транзистора 1 в режим насыщения, а транзистора 2 в режим отсечки.

При очередной смене знаков напряжения на обмотках входного. трансформатора цикл изменений состояний диодов и транзисторов повторяется.

Таким образом, исключается возможность нахождения транзисторов устройства одновременно в состоянии насыщения, исключается излишнее потребление тока и повышается к.п.д, 10

Двухтактный импульсный усилитель на транзисторах, содержащий входной и выход15 ной трансформаторы, отлича ощийся тем, что, с целью повышения к.п.д. при усилении импульсов с высокой частотой следования, база каждого из транзисторов подключена ко вторичной обмотке входного трансформатора

20 через диод, включенный в непроводящем направлении, и ко вторичной обмотке выходного трансформатора — через последовательно соединенные резистор и диод, включенный в проводящем направлении для тока базы тран25 3 исто ра.