Патент ссср 320921

 

ОП ИСАНИЕ 32092I

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Света Советски»

Социалистически»

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

3 ая влено 22.Х11.1969 (М 1388322/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Оп1 бли»ковано 04.Х1.1971. Бюллетень № 34

МПК Н 03h 13/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621 372 54(088 8) Дата опубликования описания 27.1.1972

В. Д. Дмитриев и А. И. Меркулов

Авторы изобретения

Казанский ордена Трудового красного Знамени авиационный институт

Заявитель

ФИЛЬТР НИЖНИХ ЧАСТОТ

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании микросхем на основе тонкопленочной технологии.

Известные фильтры нижних частот для мик- 5 роэлектронной аппаратуры, представляющие собой RC-структуру с распределенными параметрами, позволяют получить крутизну спада амплитудно-частотной характеристики не более 17 дб/окта,ву. 10

Предложенное устройство позволяет получить большие крутизны спада амплитудно-частотной характеристики за счет нанесения на вторую сторону резисти вной пленки RC-структуры дополнительной диэлектрической пленки 15 и размещения на ней дополнительных взаимно не связанных проводящих пленок.

На фиг. 1 показан фильтр нижних частот; на фиг. 2 — эквивалентная схема; на фиг. 3— амплитудно-частотные характеристики. 20

Фильтр нижних частот состоит из RC-структуры, включающей в себя проводящую пленку

1, диэлектрическую пленку 2 и рез истивную пленку 8, на вторую сторону которой нанесена дополнительная диэлектрическая пленка 4 с 25 размещенными на ней взаимно не связанными .дополнительными проводящими пленками 5.

Эквивалентная схема фильтра нижних частот может быть изображена как каскадное включение ячевк, каждая из которых состоит из режекторного фильтра 1 и фильтра нижних частот II с параметрами C>, R>, NC>, R >, C I,..., NC„, C, где N = 0,2189.

Кривая 1 на фиг. 3 изображает амплитудночастотную характеристику фильтра 1, кривая

2 — амплитудно-частотную характеристику фильтра нижних частот II, кривая 3 — суммарную амплитудно-частотную характеристику.

Форма амплитудно-частотной характеристики фильтра зависит от соотношений

««>

С увеличением числа дополнительных проводящих пленок избирательность фильтра увеличивается.

Предмет изобретения

Фильтр нижн их частот, содержащий RCструктуру с распределенными параметрами, отличающийся тем, что, с целью повышения избирательности, на вторую сторону резистивной пленки RC-структуры нанесена дополнительная диэлектрическая пленка, HB которой размещены взаимно не связанные дополн>ительные проводящие пленки.

320921 .Е Фиг. 1

Гl iГi 1 bc, gi т г

Фиг. 3

А fov/ о

Составитель В. Пономарева

Редактор Л. Утехина Техред Л. Богданова Корректоры Н. Коваленко л Е. Усова

Заказ 841 Изд. № 1586 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Тлпография № 24 Главполиграфпрома, Москва, Г-19, ул. Маркса — Энгельса, 14.