Всесоюзная :л» rvntfjip^'^t^-;''?'- , ".[! !:,-:li.ishtb i'- .ns....^ .- .: ;>&][ ?йь;;ис7?:нд |

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ 1 ..ЗКр., ."сТЕДЬС1ВУ

Со1оа Сскетстгик

Социалистическик

Республик

Заи1спмое от авт. свпдетельсгза №

Заявлено 12.XI I.1969 (№ 1384784 18-10) с присоединением заявки №

Приоритет

Оп1 бликовано 19.ХI.1971. Бюлл тень ¹ 35.1 г11К 6 01k 7,22

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 536.531(088.8) Дата опубликования описания 25.1.1972

Авторы изобретения

P. Г. Мгебрян и Ю. Р. Носов

Заявитель

СПОСОБ ИЗМЕРЕН ИЯ ТЕМП ЕРАТУРЫ p — и-П ЕРЕХОДА

ПОЛУПРОВОДН ИКОВЬ1Х ДИОДОВ

Изобретение относится к области тепловых измерений и может найти применение для исследований тепловых режимов полупроводниковых диодов в импульсном режиме работы.

Известные способы измерения температуры р — n-перехода полупроводниковых диодов путем разогрева их импульсами прямого тока характеризуются погрешностью измерения, обусловленной конечным временем (спада послеинжекционной э.д.с.) рассасывания заряда неравновесных носителей, накопленного в базе за время протекания тока нагрева.

По предлагаемому способу шунтируют исследуемый диод резистором, величину сопротивления которого выбирают не менее Icм на порядок больше сопротивления диода, при протекании через него тока нагрева, производят температурную калибровку вышеуказанной цепочки, пропускают через нее ток нагрева и по измеренному изменению падения напряжения на ней судят об искомой величине.

Предложе1шый способ позволяет повь1ап ь точпссть измерения.

Калибровку прямого падения напряжения на цепочке диод — параллельное сопротивление проводят при малом измерительном токе, подаваемом от генератора постоянного тока.

Сопротивление выбирают в пределах 0,5 — 1 сопротивления диода при протекании через пего пзмерптельно1о тока.

Например, при импульса тока через диод более 100,11а, сопротивление его падает до едгшпц озь Прп подключении napaллельно диоду сопротивления 100 оз1 выполняется необходимое условие и практически весь разогрсвающпй ток протекает через пспы гывасмый диод. После окончания разогрева1ощсго импульса тока диффузионную емкость диода (послсп жскцпош1ую э.д.с.) разряжают через параллельное сопротивление за время, меньшее 1 11ксек, до импульсов тока

2 — 3 а. Прп этом возникает возможность пз15 мерсния температуры р — и-перехода рассматрпваемсго д;1ода через время меньшее

1 11кеек после окончannч разогревающего импульса прямого тока. Без данного сопротивления послеин.кекциош1ая э.д.с. спадает в те1еппс 11есколькпх десятков микросекунд.

Прп измерении температуры р — и-перехода выполняют следующие операции: устанавливают температурную зависимость пря.; ого падения напряжения диода с napaллельно подключенным и нему сопротивлением npll малом прямо;1 токе; разогревают диод импульсом прямого тока; подключают параллельно испытываемому диоду указанный резистор, величина которо30 го много больше сопротивления диода в моСоставитель И. Дубсои

Текред 3. Тараненко

Редак гор С. Хейфиц

Коррек|ор H. Коваленко

Заказ 3944, 10 Тираж 473 Подписное

1(НИИПИ Когнитста по дедам изобретений ii открытий при Совстс Чииистров СССР

Москва, Ж-35, Раушскап паб., д. 4 5

Типографии, гр. Гаи. иова, 2 мент протекания греющего импульса тока и в то же время мала для обеспечения быстрого спада послеинжекционной э.д.с.; измеряют температуру р — n-перехода по величине изменения прямого падения напряжсния, соответствующего малому измерительномv ток\ .

Предмет изобретения

Способ измерения температуры р — n-п. р»хода полупроводниковых диодов путем ра;:огрена его импульсами прямого тока, от..пнаюцийся тем, что, с целью повышения |очности, шунтируют исследуемый диод резисто ром, величину сопротивления которого BbIGilрают не менее чем на порядок больше сопрстивления диода, при протекании через не о тока нагрева, производят температурную калиоровку вышеуказанной цепочки, пропускают через нее 10K нагрева и по измеренному

10 изменению падения напряжения на «ей судки оо искомой величине.