Устройство для очистки электропровадящйх материалов зонной плавкой

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВЙДЕТЕЛЬСТВУ

Союз I:aae ских

Сониалистинеских

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 06.17.1970 (Pk 1425152, 23-26) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 10.Х1 1971. Бюллетень № 1 за 1972

М. Кл. В 011 17/08

Комитат по делам изобретений н открытий ори Совете й1инистров

СССР

УД К 669.054.002.5 (088.8) Дата опубликования описания 14.11.1972

Авторы изобретения

В. H. Нефедов, В. T. Прилипко и С. В. Цихоцкий

Заявитель (/

УСТРОИСТВО ДЛЯ ОЧИСТКИ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЦХ.:

МАТЕРИАЛОВ ЗОННОЙ ПЛАВКОЙ

Предмет изобретения

Изобретение может быть применено для очистки металлов и полупроводников зонной плавкой.

Известные устройства для очистки электропроводящих материалов зонной плавкой в лодочке, включающие расположенный коаксиально лодочке многовитковый индуктор, например, цилиндрической формы, не позволяют производить очистку перекристаллизуемого материала от шлаковых включений и окисных пленок, остающихся на поверхности слитка.

Отличительной особенностью предлагаемого устройства является то, что индуктор; выполненный в виде усеченного конуса с витками, расположенными под углом 75 — 80 к его оси, установлен большим витком к концу лодочки таким образом, что плоскости витков образуют острые углы с направлением перемещения фронта кристаллизации.

Такое выполнение устройства позволяет удалить шлаковые включения от фронта кристаллизации в процессе зонной плавки и получить слиток, не имеющий на поверхности шлаковых включений.

На чертеже изображена схема предлагаемого устройства.

Устройство включает лодочку 1, например, из графита, в которую помещают исходный материал, подвергаемый зонной плавке. Лодочку устанавливают в полости камеры, например, из кварцевой трубы 2, коаксиально которой расположен индуктор 3. Выполнение индуктора в виде усеченного конуса обеспечивается увеличением диаметра последующих витков относительно предыдущих. Плоскости витков составляют с осью индуктора угол

75 — 80 . Индуктор устанавливают большим витком к концу лодочки так, что плоскости витков образуют острые углы с направлением перемещения индуктора и фронта кристаллизации, При создании и перемещении расплавленной зоны по слитку в ней возникают потоки, оттесняющие шлаковые включения от фронта кристаллизации, в результате чего они перемещаются вместе с зоной в конец слитка.

Устройство для очистки электропроводящих материалов зонной плавкой, включающее лодочку и установленный коаксиальпо лодочке многовитковый индуктор, отличаюи1ееся тем, что, с целью удаления шлаковых включений от фронта кристаллизации, индуктор, выполненныи в виде усеченного конуса

З0 с витками, расположенными под углом 75—

323153

АЙГфй1ЯРИОР пР си щРиОЯ 30ны

Составитель Т. Фирсова

Техред 3. Тараненко

Корректор Л. Царькова

Редактор 3. Горбунова

Заказ 587/l5 Изд. ¹ 1822 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва,:.3К-35, Раушсиан, наб., д; 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

80 к его оси, установлен большим витком к концу лодочки так, что плоскости витков образуют острые углы с направлением перемещения фронта кристаллизации.

Устройство для очистки электропровадящйх материалов зонной плавкой Устройство для очистки электропровадящйх материалов зонной плавкой 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники

Изобретение относится к области получения профилированных монокристаллов кремния, на основе которых могут изготавливаться полупроводниковые приборы нового поколения

Изобретение относится к высокочастотному индуктору с фильерами для производства множества прутков из кремния

Изобретение относится к металлургии и электронике, в частности к получению особо чистых материалов и сплавов на их основе

Изобретение относится к технике получения чистых веществ и обеспечивает повышение экономичности за счет снижения требований к точности изготовления контейнера

Изобретение относится к технологии получения высокочистых полупроводниковых материалов для электронной, электротехнической промышленности и солнечной энергетики. Один из вариантов получения кремниевых филаментов в виде прутков и/или подложек произвольного сечения из высокочистого кремния включает непрерывное литье кремния из расплава вниз на затравку через фильеру, расположенную между зоной расплава и индуктором в атмосфере кислорода, охлаждение получаемого филамента погружением в охлаждающую среду, при этом затравление осуществляют ниже плоскости фильеры, уровень охлаждающей среды устанавливают и поддерживают вблизи фронта кристаллизации, а фронт кристаллизации кремниевых прутков и/или подложек удерживают ниже плоскости фильеры на расстоянии от 0,5 до 20 мм. Техническим результатом является получение кремниевых филаментов, характеризующихся низким электрическим сопротивлением (от единиц и менее 1 Ом·см), которые поддаются разогреву при пропускании через них электрического тока промышленной частоты от источника низкого напряжения (менее 1000 В), при сохранении высокой скорости литья, а также стабильных пластических и геометрических характеристик готовой продукции. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 1 ил.
Наверх