Л. н. петров, а. и. ткачев и а. п. удовик
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Секта Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 19.1.1970 (№ 1397504/18-24) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 19.1.1972. Бюллетень,U 4
Дата опуоликования описания 3.111.1972,Ч. Кл. Н 031 3/24
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистрав
СССР
УДК 021.375.018.756 (088.8) Авторы изобретения
И. А. Аракчеева, Л. П. Домнин, С, A Еремин, В. И. Никишин, Г. С. Остапенко, Л. Н. Петров, А. И. Ткачев и А. П. Удовик
Заявитель
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в усилителях аналоговых электронных вычислительных машин, где требуется большое давление синфазной помехи и большое усиление, а также в усилителях постоянного тока с большим коэффициентом уси lcIIHH II высокой стабильностью.
Известны дифференциальные усилители, в которых в качестве динамической нагрузки усилитель;1ых элементов используются транзисторы. Однако в таких усилителях транзистор включается только для получения высокого динамического сопротивления, а его усилительные свойства используются недостаточно полно.
Целью изобретения является увеличение коэффициента усилсния и обеспечения термокомпенсации.
В предлагаемом дифференциальном усилителе эта цель достигается тем, что динамическая нагрузка включена в коллекторную цепь усилительного каскада и выполнена на транзисторе обратной проводимости; кроме того, в каждое плечо усилителя включены транзистор одинаковой проводимости с проводимостью транзистора усилительного каскада и диод, смещенный в прямом направлении.
Схема дифференциального усилителя изображена на чертеже.
Усилитель выполнен iio симметричной схеме
;I содержит в каждом плече эмиттерпый повторитель на транзисторе 1. К выходу эмиттершях повторителей присоединены усилительные каскады, выполненные на транзисторах
2, в коллекторные цепи которых включены динамические нагрузки на транзисторах 3 обратной проводимости. Базы транзисторов
3 соединены с резисторами 4 и коллекторами
1О транзисторов " одинаковой проводимости с проводимостью транзисторов 2 усилительного каскада. Базы транзисторов 5 соединены через диоды 6 со средним выводом источника питания. Резисторы 7 и 8 обеспечивают пеоб15 ходимый рехкпAI питания для диодов 6. Эмиттср транзистора 5 через резистор 8 соединен с источником непзменно1о тока 9, от которого п ита ется ус ил птел ь.
20 Усиливаемый сигнал подается на базы транзисторов 1, с эмиттеров KoTopblx поступает па входы транзисторов 2, усиливается и снимается с коллекторо11 дин11х111ческих нагрузок 3.
25 Затем с эмиттеров транзисторов 2 сигнал подается на эмпттеры транзисторов 5. Усиленный сигнал снимается с резистора 4 на базу. транзистора 3. Таким образом, дополнительно усиленный сигнал, полученный от
30 усиления транзисторами 5 и 8, складывается
326704
Предмет изобретения
COCT3BllTClb В. Быков
Техред Е. Борисова
Корректор Е. Усова
1 сдактор Л. Утехина
Заказ 516 8 Изд. № 91 Tll pBil< 448 Подписное
Ц1-111ИПИ Комитета ио делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР
Москва, )К-З5, Раугиская иаб., д. 4/5
Типография, ир. Сапунова, 2 в фазе на выходе дифференциального усилителя.
Переходы база — эмиттер транзисторов 1 и 2 включены по постоянному току параллельно с диодами б, и переходами база— эмиттер транзисторов 5, поэтому дифференциальный усилитель полностью термокомпенсирован.
Дифференциальный усилитель, содеркащпй два эмиттерных повторителя, два усилительных каскада с динамической нагрузкой и общий источник постоянного тока, отлича)ои1ийся тем, что, с целью увеличения коэффициента усиления и улучшения термокомпенсации, динамическая нагрузка выполнена на транзисторе обратной проводимости, и в каждую ветвь усилителя включены транзистор с проводимостью, одинаковой с проводимостью транзистора усилительного каскада, и диод, смещенный в прямом направлении, при этом эмиттер усилительного каскада соединен с
40 источником постоянного тока и эмиттером транзистора одинаковой проводимости, база которого соединена через диод со средней точкой источника питания, а коллектор подключен к базе транзистора динамической на15 ГP V3KH.
