Запоминающее устройствобснсоюзнаяпм?111но=-1ех^шн!селе библиотша,

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое or авт. Виде|сльства ¹

Заявлено 30.111.1970 (¹ 1420421, 18-24) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 02.11.1972. Бюллстснь Л1 6

Дата опубликования оп||сания 3.1!.1972

Кл. О 11Ь 5,,00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 681.327(038.8) Авторы изобретения

T. В. Груц, В. Л. Манжело и К. Г. Самофялов

Киевский политехнический институт

Заявитель

ЗЛПОМИ НЛЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к вычислительнои технике и предназначено для использования в системах памяти на сегнетоэлектриках.

Известные запоминающие устройства, содержащие пластины керамического сегнетоэлектрика, объединенные в акустически монолитную конструкцию, на сопрягаемые плоскости которых нанесены соответственно ленточные разрядные электроды и перпендикулярно к ним экранирующие электроды и электроды возбуждения, обладают недостато иным быстродействием и значительной входноЙ емкостью, что снижает эксплуатационные характеристики устройства.

В предлагаемом устройстве элсктроды возбуждения выполнены в виде сосдпнс;иых последовательно квадратных участков металлизацип, стороны которых не больше ширины экранирующих электродов и ориентированы соответственно параллельно разрядным экранирующим электродам в зоне их перекрытия, а отдельные участки металлизац;и расположены на расстоянии b= (2а+1) а, где

a — длина стороны квадрата участка металлизации, /г — целое число. Это позволяет повысить эксплуатационные xàðàêòåðiiñòèêEI устройства за счет сокращения времени нарастания напряжения на разрядных электродах ll сш!жсния входной емкости.

1-1Я фиг. 1 изображено предлагаемое устP 011 0 T B O > 0 О Щ И Й В ||Д > (i:. С Р Я М П >| С С К И Е 11.1 3 0 T I I IE bi усло|зно разнесены); на фпг. 2 — форма и пр остр а|| с г вен нос р испол ож си и с электродов в пределах четырех разрядов одного адреса (кода) . .1!с?кду дьумя отпос||тсльно 105!с |ымп керамическим:| пласти||амп !1 " (фпг. 1) распо;lожr .!!b! |Они||с (20 — - 100 .I!к.l!) 11,1I!OTliilbl 8 El 4, )0 выllогl!I! ilнl.lе |13 сегнстокс1?ямl|к|1, 001ядяюI ЦЕ Й 1> bio O i> O i i 1! Ь С 3 0 Я КТ I i ii i!O . Т ЫО В П ОЛ Я Р И 3 0B3!IIIOi11 oOOTO51liii!i. 11,11!!. T il,b! 1 il 8, 2 и 4 ра3делсны сло51х111 лс!1то !Ных разрядны. . электродов соотвсгсгвс|ио 6 и 6.. |1с?кду пластинами

15 8 и 4 расноложс||ы пьсзокср;!Ми>!еские пластпl!bl 7 и 8, отдсляс iblp. Oi пластин 8 II 4 слоям|| лснточи>|х экра!!!!р5юн,:ix электродов .) и 10, Рас|!О,lожеl!Iiыx llс11110!Iд!!к>,15|Рно и Рl!ЗРЯ т нь|м электродам 6 и 6. Слон электродов iio32р б? ж |е1!1 51 1 1 р ЯЗ;|е. Iяст пьсзокер Ям| 1ческ|lе

I. iàoTiIIib! 7 li 8. 1;Яждый электрод возбужден н51 сос Гo! IT 113 ÎT I orlbllbIX 111, Тков х!сТЯЛЛН-;;! !и!!l форме:. !Ядрятоь> сосди|енных провоДЯ!ЦСЙ ПОЛОСКОЙ X!111111 .>12ЛЬI-:О ВОЗМОЖНОЙ ШИ

25 р!!Ны. В целом все шесть ксрам||ческпх пластин соединены тяк, что соразуют акустически монолит!!м!о I;0110Tpx кцшо, В местах перс:ечения разрядных электродов 6 (6) с экран:|рующпмп электродами 9

;>О (lO) Оо,,i!!Зх|oтс51 сеl I! oòoýëol>TР11>!сскпс 331!0328502 мппающпс конденсаторы, диэлектрик которых полярпзовап в заданном направлении при записи. Под действием механических напряжений электрический заряд этих конденсаторов может прпооретать положительное нли отрицательное приращение в зависимости QT !,àïðà;.ëå;! ия яоляризаци;! сегнетопьезоэлектр ка, и ца разрядных электродах возникают положнпгельныc илп отрицательные импульсы напряжения.

Источником механических напряжений являются пьезоэлектрические пластины 7 и 8, расположенные между электродом возбуждения 11 и экранирующими электродами 9 и 10, в случае подачи на них импульса считывания.

Время установления максимума механического напряжения в области некоторого запомишпощего конденсатора, т. е. длительность фронта импульса на выходе разрядной шины, раич à ремепи распространения фронта акустической волны от каждой стороны квадра а к его середине для рассматриваемого учас гка ме галл изацпп электрода возбуждения. где а — сторона квадрата участка металлпзацип электрода возбуждения; с — скорость звука в керамическом матер нале конструкции.

При достаточно малой ширине полосок 12, соединяющих отдельные участки металлизации электрода возбуждения, достигнуто только их гальваническое соединение (электрическая синфазпость), а конструктивная емкость практически равна сумме конструктивных емкостей отдельных активных участков (квадратных участков металлизации) .

Экранирующие электроды 9 и 10 экранируют разрядные электроды 5 (или б) от проникновения на них емкостной помехи, вызываемой опросным сигналом, приложенным к соответствующему электроду возбуждения. Поэтому площади отдельных участков металлизации электродов возбуждения не превышают площади перекрытия электродов 5, б и 9, 10.

Минимальное значение перекрестных помех, причиной которых являются акустические волны, порождаемые отдельными активными участками (участками металлизации электро5 дов возбуждения и прилегающих частей пьезоэлектрических пластин) в случае их акустической синфазностп, достигается тем, что отдельные участки металлизации электродов возбуждения расположены на расстоянии, 10 выбираемом из соотношения:

b= (2k+1) а, где а — сторона квадрата участка металлизации;

15 А — любое целое число.

При Й=О устройство обеспечивает максимальную плотность хранения информации (b =а).

В качестве примера можно указать, что при

20 а=6=1 мм и размерах керамического запоминающего устройства 20 мм) 10 ммр, 2 мм, любой из восьми восьмиразрядных двоичных кодов может быть считан без разрушения за

300 †4 нсек.

Предмет изо бр етения

Запоминающее устройство, содержащее пластины керамического сегнетоэлектрика, объединенные в акустически монолитную

30 конструкцию, на сопрягаемые плоскости которых нанесены соответственно ленточные разрядные электроды и перпендикулярно к ним экранирующие электроды и электроды возбуждения, отличающееся тем, что, с целью

35 повышения эксплуатационных характеристик устройства, электроды возбуждения выполнены в виде соединенных последовательно квадратных участков металлизации, стороны которых не больше ширины экранирующих элек40 тродов и ориентированы соответственно параллельно разрядным и экранирующим электродам в зоне их перекрытия, а отдельные участки металлизации расположены на расстоянии b= (2!:+1) а, где а — длина стороны

45 квадрата участка металлизации, k — целое число.

328502

11 б

Ри8 1

Уиг 2

Корректор Л. Царькова

Редактор Д. Пинчук

Заказ 711/4 Изд. _#_e 174 Тираж 448 Подписное

1ЛНИИПИ Комитета по делам изооретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, K-35, Раушская наб., д. 475

Типография, пр. Сапунова, 2

Составитель А. Соколов

Техред 3. Тараненко

9 б