Полупроводниковый ключ

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

332573

Союз Соеетскик

Ссдмзлистическик республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 20.VII.1970 (№ 1470316/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 14Л11.1972. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 21.1V.1972

М. Кл. Н 03k 17/08

Комитет по делам изобретеиий м открытий ори Соеето Министров

СССР

УДК 621.318,57(088.8) Авторы изобретения

В. П. Майборода и Д. И. Трофимов

Заявитель

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЛЮЧ

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для переключения тока или напряжения.

Известен полупроводниковый ключ, состоящий из и последовательно соединенных элементарных транзисторных ключей — звеньев.

Однако в известной схеме при последовательном во времени включении транзисторов возникают перегрузки по напряжению, кроме того, переходы база — эмиттер транзисторов закрыты ненадежно из-за отсутствия источников обратного смещения.

Целью изобретения явлеятся устранение возможности превышения максимально допустимых обратных напряжений на р-и-переходах транзисторов как в статическом состоянии, так и в переходных режимах, а также повышение надежности запирания транзисторов.

Для достижения этой цели параллельно коллекторно — эмиттерному переходу подключены стабилитрон и резистивный делитель напряжения, вывод от средней точки которого через резистор подсоединен к базе транзистора следующего звена.

На чертеже приведена схема предложенного полупроводникового ключа, Полупроводниковый ключ состоит из и звеньев, идентичных одно другому за исключением и-го и первого. Первое звено отличается от стандартных звеньев отсутствием развязывающего диода 1 в базовой цепи и наличием диода 2 смещения в эмиттерной цепи транзистора 8. В и-ом звене отсутствуют резисторы 4 и 5. Базовые управляющие цепи

5 звеньев сведены в одну точку соединения катодов диодов 1 и резистора б первого звена, что обеспечивает управление ключа от одного общего для всех звеньев источника управляющего напряжения. Коллектор транзистора

10 каждого звена соединен с эмиттером транзистора каждого следующего звена, в коллектор и-го звена соединен с резистором 7. Резистор

8 базового смещения каждого последующего звена соединен с общей точкой резисторов 4

15 и 5 делителя напряжения промежутка коллектор — эмиттер предыдущего звена. В первом звене резистор 8 подсоединен к общему проводу схемы ключа. Кремниевые стабилитроны 9 ограничивают напряжение на промежут20 ке коллектор — эмиттер при запертом транзисторе 8.

В закрытом состоянии ключа переходы база †эмитт транзисторов 8 от второго до а-го звена имеют необходимое обратное сме25 щение, равное падению напряжения на резисторе 4. Для транзистора первого звена аналогичное смещение обеспечивается напряжением на диоде 2. Ключ имеет один управляющий вход 10 и два выхода 11 и 12. Выход 11

30 используется при коммутации напряжения, а

332573

Составитель Н. Степанов

Текред А. Камышникова

Корректор Т. Миронова

Редактор T. Орловская

Заказ 1014 9 Изд. № 410 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 выход 12 является выходом токового ключа.

При подаче на вход схемы нулевого потенциала транзистор 8 первого звена запирается, так как его переход база — эмиттер смещается в обратном направлении за счет падения напряжения на открытом диоде 2. Напряжение между эмиттером и коллектором транзистора 8 первого звена не превышает напряжения пробоя кремниевого стабилитрона 9, Транзистор 8 второго звена заперт, так как потенциал базы, снимаемый с резистора 8, больше потенциала эмиттера. Транзисторы 8 от третьего до и-ro звена заперты подачей на базу каждого следующего транзистора напряжения с делителя, образованного резисторами

4 и 5 предыдущего звена. Развязывающие диоды 1 в базовых цепях заперты.

При подаче на вход ключа отрицательного импульса транзисторы 8 открываются последовательно во времени, начиная с транзистора первого звена. При этом стабилитроны 9 предохраняют транзисторы 8, включаемые позднее других, от перегрузок по напряжению.

5 Предмет изобретения

Полупроводниковый ключ, состоящий из а последовательно соединенных элементарных транзисторных ключей — звеньев, отличаю10 щийся тем, что, с целью устранения возможности превышения максимально допустимых обратных напряжений на р-и-переходах транзисторов как в статическом состоянии, так и в переходных режимах, а также с целью повы15 шения надежности запирания транзисторов, параллельно коллекторно — эмиттерному переходу подключены стабилитрон и резистивный делитель напряжения, вывод от средней точки которого через резистор подсоединен к ба20 зе транзистора следующего звена.