Многоотводная линия задержки

 

О П И С А Н И Е 333678

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 13ЛЧ.1970(№ 1426721/26-9) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 21.lll.1972. Бюллетень № 11

Дата опубликования опуса пня 19.V.1972

М, Кл. Н 03h 7/30

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.374.5 (088.8) Автор изобретения

М, А. Солоха

Заявитель

МНОГООТВОДНАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ

Предлагаемое устройство может быть использовано в аппаратуре обработки дискретных и аналоговых сигналов.

Известны многоотводные линии задержки, содержащие цепочку из последовательно соединенных дросселей и канальные (полевые) транзисторы, в сток или исток которых включена нагрузка.

Известные устройства обладают недостатком, заключающимся во влиянии параметров нагрузки на стабильность параметров линии задержки.

С целью исключения влияния параметров нагрузки на стабильность параметров линии задержки и реализации емкостных элементов линии задержки в интегральном исполнении в предлагаемой многоотводной линии задержки затворы транзисторов подключены между общей точкой соединения дросселей, а выводы от подложки каждого из транзисторов соединены с общей шиной.

На чертеже показано предлагаемое устройство. Линия задержки содержит дроссели 1, канальные транзисторы 2.

Принцип работы линии задержки состоит в том, что в ней роль обычно применяемых

S конденсаторов играют емкости переходов транзисторов, одновременно служащих для исключения влияния нагрузки на параметры линии задержки.

Предмет изобретения

Многоотводная линия задержки, содержащая цепочку из последовательно соединенных дросселей и канальные (полевые) транзисторы, в сток или исток которых включена на1 грузка, отличающаяся тем, что, с целью исключения влияния параметров нагрузки на стабильность параметров линии задержки и реализации емкостных элементов линии задержки в интегральном исполнении, затворы

20 транзисторов подключены между общей точкой соединения дросселей, а выводы от подложки каждого из транзисторов соединены с общей шиной.

Редактор Т. Морозова

Составитель E. Чуркин

Техред Л. Богданова Корректор Л. Царькова

Заказ 1408/18 Изд. № 575 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2