Тг- - • ..леская , ёйш^^отена i/ibai::м. а. мовшович

 

ОП ИСА Н И Е;,З 1т

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Соеетснин

Социалистических

Республин

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

3»з!!Ст!з!ое от авт, свидетельства ¹ 221773

3!!явлено 22.V1.1970 (№ 1451694/26-9) М.Кл. Н 03k 3i22 с при оединенпем з!!явки ¹â€”

Комитет по делам изобретений и открытий ири Совете Министров

СССР

11рпорптс!—

0:!у!!л!!ков»! о 21.IV.1972. 1 !Ог!;!етспь № 14

;1 д К 681 325 5 (088 8) Да.!» Ог!:.бликования онис»ния 17.Х.1972

Автор изобретен.ия б1 СЕСОЮ ЗН Ая

11Д,! .. 1ССКЛй . од !!дотеиа Ы1=.тА «1

М. А. Мовшавич

Заявитель

СХЕМА СРАВНЕНИЯ

Изооретение ОтнОсится K радиотехнической аппаратуре и является дальнейшим усавершенствованием из!вестного;изобретет!Ия по оснавному а!вт. св. № 221773.

Цель изобретения — повышение точности, исключение влияния величины диффузионного тока туннельных диодов на чувствительное!ь схемы сравнения и обеапечение сравнения сит;!алов независимо от их полярности.

Для этого коллектор каждого транзистора обрaòíîãî типа проводимости, эмпттер которо-! О чсрез резистор .подкс!!Очен и источнику питания балансного каскада, а коллектор через резистор соединен с общей шиной и через последавательно соединенные дифференцирующую цепь и,диод подключен к коллен !ору другого транзистора балансного каскада, эмиттер и база транзистора-стабилизатора тока соответственно через резистор и переменный резистор соединены с минусовой шиной дополнительного источника питания, а параллельно туннельным диодам включены диоды.

1-1а чертеже приведена принципиальная электрическая схема одного из вариантов схемы сравнения.

CXCMB сравнен!!я C01(pjlwklT TIp»H3HCTOpbl 1 H

2 баланспого,каскада, тун:!ельные диоды 8 н 4, включанные между коллекторами этих транзисторов и сссточ!!иком литания, транзистор-стабилпзатop тока 5, коллектор которого соединен с эмиттсрами транзисторов 1 и 2, .резистор 6. включе!!ный между эмиттером транзистора 5 и источником пита:шя, п.резистор 7, включенный между базо!! транзистора 5 il общей шиноп

К коллектору транзистора 1 подключе-Ia оазт! TpallallcTopa ycllë«ITe;Iьпo! o каскада !у, между эмпгтером и источником которого включен резистор 9.

l0 Между коллектором транзистора 6 и оощей шиной включен резистор И, являющ:!йся нагрузочным сопротивлением усилителя. К коллектору транзистора 8 подсоединен конденсатор 11, образующий дифференцирующее звено

l5 с pc3IIcTopoll 12,:включенным между конденсатором 11 и источником, питания. Между точкой сосди!!е!гия конденсатора 11 с резистором 12 и коллектором транзистора 2 включен диод 1 >, !!рсдназначенный для пропуска I!Is! импульсов

20 одной пз двух полярностеи, получающихся при дифференцировании сигнала усилителя 8. Аналоги шая цепь обратной связи, содержащая дифференцирующее звено, включена между ко..!лекторами транзисторов 2 и 1.

25 К коллектору транзистора 2 IIupco IIIle»a база транзистора 14, у которого эмпттер подсоединен к источнику питания через резистор

15, а коллектор — к общей шине через резистор 16. Между коллектором транзистора 14 и

30 источником питания включено диффсренциру336778

15

35 ющее звено, состоящее из конденсатора 17 и резистора 18, точка соединения которых через диод 19 подключена а< коллектору транзистора 1. Между базой транзистора 5.и источником питания эмиттера транзистора 5 включен переменный резистор 20.

Полярности источников питания эмиттера транзистора 5 и коллекторов транзисторов 1 и .2 противоположны. База транзистора 1 соединена с клеммой подключения источника измеряемого сигнала 21 (Вх. I) и через:резистор

22 подключена к общей шине. База транзистора 2 соединена с клеммой подключения источника уравновешивающего (порогового) сигнала 23 (Вх. II) и через резистор 24 подключена к общей шине.

Коллекторы транзисторов 1 и 2, транзисторов 8 и 14 соединены соответственно с выходными клеммами 24, 25, 2б и 27.

В случае необходимости на выходе можно снимать сигналы с эмиттеров транзисторов 8 и 14.

Параллельно туннельным диодам 8 и 4 включены соответственно шунтирующие диоды

28 и 29; которые открываются при переходе туннельных диодов в область диффузионного тока.

При увеличении тока через транзистор 1 после перехода туннельного диода 8 в область диффузионного тока отпирается шунтнрующий диод 28, и увеличение тока через транзистор сопровождается незначительным увеличением диффузионного тока туннельного диода, так как большая часть тока транз lcTopB 1 протекает через. диод 28, KoTopbIH работает.в режиме стабилизатора на пряжения. Поэтому амплитуда,напряжения сигнала на коллекторах транзистора 1 и 8 определяется напряжением стабилизации диода 28.

При шунтировании туннельного диода полупроводниковым диодом, у которого напряжение отпирания меньше, чем напряжение раствора туннельного диода, диффузионный ток туннельного диода будет меньше, чем величина пикового тока туннельного диода, Положительные фронты сигналов на коллекторах транзисторов 8 и 14 (клеммах 2б и 27) соответствуют моментам пересечения сигналом па входе порогового уровня, соответственно, в положителыном и отрицательном направлении.

Отрицательный фронт ситнала на коллекторе транзистора 8 соответствует моменту, пересе;ения сигналом на входе порогового уровня в отрицательном направлении.

Предмет .изобретения

Схема сравнения по а вт. св. № 221773, отлиаюи аяся тем, что, с целью повышения точности, исключения влияния величины диффузионного тока туннельных диодов на чувствительность схемы сравнения и обеспечения сравнения сигналов независимо от их полярности, коллектор каждого транзистора баланс. ного каскада соединен с базой дополнительного транзистора обратного типа проводимости, эмиттер которого через резистор подключен к источнику питания балансцого каскада, а коллектор через резистор соединен с общей шиной и через последовательно соединенные дифференцирующую цепь и диод, подключен к коллектору другого транзистора балансного каскада, эмиттер и база транзистора-стабилизатора то ка соответственно через резистор и переменный резистор соединены с минусовой шиной дополнительного источника питания, а параллельно тунпельным,диодам включены диоды.

336778

Составитель Н. Герасимова

Текред Л. Богданова Корректор Г. Запорожец

Редактор Л. Мазуронок

Об tQcT!Ii i гнпографня Костро i iol о у!I i" в тенин IIQ Tl lатп

Заказ 3041 Изд. go 537 Тира>к 448 Подписное

ЦНИИПИ .Комитета но делам изобретений н опрытяй при Совете Министров СССР

Москва, K-35, Раушская паб., д. 4/5