Запоминающее устройство на тонких л\агнитныхпленках

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимый от патента №

М. Кл. б 11с 11/02

Заявлено 29.1Ч.1970 (№ 1434740/26-9) Конвенционный приоритет 30. IV.1969, ¹ WP21a /139554, ГДР

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистров

СССР

УДК 681.327.63(088.8) Опубликовано 22.VI 1972. Бюллетень № 20

Дата опубликования описания 17.Ч11.1972

Автор изобретения

Иностранец

Гюнтер Зальцманн (Германская Демократическая Республика) Иностранное предприятие

«Феб Комбинат Роботрон» (Германская Демократическая Республика) Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО HA ТОНКИХ МАГНИТНЫХ

ПЛЕНКАХ

Известны запоминающие устройства на тонких магнитных пленках.

Однако в известных устройствах необходимо пропускать через электрические проводники ток значительной величины.

С целью уменьшения величины тока, пропускаемого через электрические проводники, в предлагаемом устройстве первый из магнитных слоев выполнен корытообразным, охватывающим один из первых проводников и обладающим достаточно малыми коэрцитивной силой и анизотропией для того, чтобы он перемагничивался магнитным полем, создаваемым вторым из магнитных слоев.

На чертеже дано предлагаемое устройство.

Устройство состоит из магнитного слоя 1, анизотропного магнитного запоминающего слоя 2 и проводников 3, 4 для создания управляющего магнитного поля в направлении другой оси запоминающего слоя 2. С помощью проводников 5, б создается магнитный импульс щита управления Н. з направлении оси магнитного запоминающего слоя 2. Магнитный слой 1 и запоминающий слой 2 образуют замкнутый магнитный контур так, что магнитный поток замыкается через слой 1, служащий обратным магнитопроводом. Магнитный слой

1 обладает незначительной коэрцитивной силой и анизотропией, в результате этого он может перемагничиваться благодаря магнитной силе поля, создаваемой запоминающим слоем 2 и частью магнитного импульса щита управления, проникающего через проводник 4.

Слой 1 состоит из электропроводного матс5 риала, вследствие чего между проводниками

3, 4 через магнитный слой возникают контакт.

Неэлектропроводный слой 7 служит в качестве изоляции между проводниками 8, 4 и проводниками 5, б.

10 Считывание информации без ее разрушения осуществляется следующим образом.

Электрическим импульсом Lq в проводнике 5 создается магнитный импульс щита управления Н„который в плоскости запоминающего

15 слоя 2 в направлении оси вызывает магнитную силу поля, превосходящую анизотропную силу поля Н запоминающего слоя 2, и поворачивает вектор намагничивания М запоминающего слоя 2 от одной оси в направлении

20 другой оси, что приводит к изменению магнитного потока в магнитном слое 1 и индуцированию напряжения между проводниками 3, 4.

Так как между проводниками 8, 4 через электропроводящий магнитный слой 1 возникает

25 контакт, то проходящий ток ., в свою очередь, снова создает компонент магнитной напряженности поля Н в направлении вектора намагничивания М запоминающего слоя 2, который действует как управляющее магнитное

30 поле Н при исчезновении импульса щита уп343478

Предмет изобретения

Составитель А. Мерман

Техред A. Камышникова

Корректор Т. Миронова

Редактор Т. Морозова

Заказ 2163/14 Изд. № 896 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская паб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 равления Н„ при этом вектор намагничивания запоминающего слоя 2 снова возвращается в исходное положение, т. е. информация записывается снова.

В предлагаемом запоминающем устройстве 5 импульс щита управления О„создаваемый электрическим током i, в проводниках 5, б, может беспрепятственно достигать запоминающего слоя 2. Для получения высокой плотности поверхностей запоминающих элементов 10 и большой области стабильности считывания информации без ее разрушения магнитный контур из запоминающего слоя 2 и магнитного слоя 1 необходимо плотно замкнуть, поэтому целесообразно снабдить узкие стороны проводника 4 магнитным материалом. Слой 1 может состоять из анизотропного магнитного материала и иметь большую толщину, чем запоминающий слой 2.

В качестве обратного провода для электри- 2О ческих импульсов 4 и -4 под проводником8 помещается металлическая пластина, изолированная от проводников 8, 4. Однако можно также противофазно возбудить проводники

8 — б, в результате чего они действуют как прямой и обратный провод, причем запоминающий элемент состоит из четырех тонкослойных элементов соответственно с четырьмя точками пересечения проводников.

В предлагаемом устройстве запоминающий слой накладывается на проводник 4, однако возможна также другая схема, у которой запоминающий слой наложен на нижнюю сторону проводников б, б, над которыми может быть помещен второй обратный магнитопровод из ферритного материала, улучшающий замыкание магнитного потока запоминающего слоя 2 и концентрирующий импульс со щита управления Н, на запоминающем слое 2, Запоминающее устройство на тонких магнитных пленках, содержащее анизотропный магнитный слой из электропроводного материала, два расположенных с обеих его сторон прямоугольных электрических проводника, выполненных создающими магнитное поле вдоль оси легкого намагничивания второго анизотропного магнитного слоя, который сопряжен с одним из проводников и соединен через изолирующий слой с другими прямоугольными электрическими проводниками, выполненными создающими магнитное поле вдоль оси трудного намагничивания второго из магнитных слоев, отличающееся тем, что, с целью уменьшения величины тока, пропускаемого через последние из проводников, первый из магнитных слоев выполнен корытообразным, охватывающим один из первых проводников и обладающим достаточно малыми коэрцитивной силой и анизотропией для того, чтобы он перемагвичивался магнитным полем, создаваемым вторым из магнитных слоев.

Запоминающее устройство на тонких л\агнитныхпленках Запоминающее устройство на тонких л\агнитныхпленках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике

Изобретение относится к технике стирания записи с магнитных носителей, таких, как жесткие и гибкие диски, магнитооптические диски, магнитные ленты и др

Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Изобретение относится к проектированию ячеек энергозависимой магнитной памяти

 // 362347
Наверх