Всесоьознаяn^ldslko-ioli'f'ieckafи^^^бл^^отекл

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

344034

Союз Советскив йоциалистическив

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 23.!!.1971 (№ 1625710/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 07Х!!.1972. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 18 т/11.1972

М. Кл. С 23с 17/00 йоепттет ао ползи изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 621.793.8(088.8) Авторы изобретения

P. А. Алексеев, В. Ф. Антипов и А. П. Киселев

Заявитель

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ

Изобретение относится к технологии нанесения проводящих покрытий на поверхность трубчатых изделий.

Известные способы нанесения токопроводящих покрытий на внутреннюю поверхность трубчатых изделий, например пропускание паров или аэрозолей сквозь изделие при электризации распыляемых аэрозолей или введение испарителя внутрь покрываемого изделия и осуществление его осевого возвратно-поступательного движения, не обеспечивают равномерности осаждаемых покрытий или создают равномерное покрытие лишь при сравнительно небольшой длине изделий.

Цель изобретения — повышение равномерности покрытия внутри изделия при его значительной длине.

Для этого по предлагаемому способу внутри изделия последовательно перемещают заглушки, ограничивающие определенный объем покрываемой поверхности, через который пропускают рабочую среду, причем вводят и отводят рабочую среду без контакта с покрываемой поверхностью через трубки в заглушках.

На чертеже приведена схема построения процесса по предлагаемому способу, например, для случая нанесения проводящего станнатного покрытия на поверхность диэлектрической трубки методом пиролиза, где — издели е, 2 — заглушки (соединены между собой), 8 — испаритель, 4 — подводящая трубка, 5 — отводящая трубка.

Процесс нанесения проводящего покрытия

5 на внутреннюю поверхность изделия ведется в пределах ограниченного объема. Длина рабочего участка значительно меньше длины изделия. Источником газовой среды служит испаритель 8. Необходимый для процесса

10 формирования покрытия воздух подается через подводящую тру.бку 4, а образующийся поток паров отводится за пределы рабочего объема через отводящую трубку 5. Длина трубок 4 и 5 больше длины покрываемого из1S делия, что позволяет изолировать внутреннюю поверхность изделия 1 вне зоны рабочего объема от контакта с входящими и выходящими газами. Равномерность покрытия создается возвратно-поступательным движением

2Q заглушек с испарителем и вращением изделия. Задавая неравномерность движения рабочего объема, можно получать различный закон изменения толщины покрытия по длине изделия. Предлагаемый способ может при25 меняться для нанесения любых покрытий, наносимых из газовых сред (паров, аэрозолей).

Предмет изобретения

Способ нанесения покрытия на внутреннюю

30 поверхность протяженных трубчатых издеЭ44034 р 3

Составитель И. Мишустин

Техред T. Ускова

Редактор Т, Иванова

Корректоры: E. Давыдкина и А. Николаева

Заказ 2187/13 Изд, № 943 Тираж 4Об Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 лий, основанный на пропускании рабочей газовой среды внутри изделия, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности покрытия, внутри изделия последовательно перемещают заглушки, ограничивающие определенный объем покрываемой поверхности, через который пропускают рабочую среду, причем вводят и отводят рабочую среду без контакта с покрываемой поверхностью через

5 трубки в заглушках.

Всесоьознаяn^ldslko-iolifieckafи^^^бл^^отекл Всесоьознаяn^ldslko-iolifieckafи^^^бл^^отекл 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к системе токоприемника для устройства обработки подложек и/или пластин, снабженной камерой обработки, ограниченной, по меньшей мере, двумя стенками и, по меньшей мере, одним нагревательным соленоидом

Изобретение относится к аппаратурному оформлению процесса осаждения из газовой фазы кристаллических слоев на кристаллическую подложку

Изобретение относится к способу выращивания пленки нитрида металла группы (III) химическим осаждением из газовой фазы с удаленной плазмой, устройству для осуществления способа и пленке нитрида металла группы (III) и может найти применение при изготовлении светоизлучающих диодов, лазерных светодиодов и других сверхвысокочастотных транзисторных приборов высокой мощности

Изобретение относится к устройству и способу управления температурой поверхности, по меньшей мере, одной подложки, лежащей в технологической камере реактора CVD

Изобретение относится к устройствам для получения пиролизом монофиламентных карбидокремниевых волокон

Изобретение относится к устройствам для получения борных волокон
Наверх