Способ контроля толщины кристаллических

 

О П И С А Н И Е 344265

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетоииа

Социалистические

Республии

Зависимое от авт. свидетельства ¹

М, Кл. G Olb 11/06

Заявлено 15.И.1970 (¹ 1452271/25-28) с присоединением заявки ¹ 1600875/25-28

Приоритет

Опубликовано 07.V11.1972. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 24Л II.1972

Комитет по делам изооретений и атнрытий при Совете Министров

СССР

УДК 531.715.1(088.8) Автор изобретения

В. И. Скоморовский

Заявитель

Сибирский институт земного магнетизма, ионосферы и распространения радиоволн

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИ НЬ1 КРИСТАЛЛ ИЧЕСКИХ

ПЛАСТИН ИНТЕРФЕРЕНЦИОННО-ПОЛЯРИЗАЦИОННОГО

ФИЛЬТРА В ПРОЦЕССЕ ДОВОДКИ

Изобретение относится и контроттьно-измерительной технике и может быть использовано, в частности, для контроля оптической толщины в процессе доводки кристаллических пластин интерференционно-поля ризационного фильтра.

Известен способ контроля толщины в процессе доводки кристаллических пластин интерференционно-поляризационного фильтра, одна из которых — опорная, а другая — подгоняемая в два раза толще или тоньше, или такой же толщины, что и опорная, при любой длине волны источника света и любой температуре.

О правильности доводки дробной части оптической толщины судят по отсчетам компенсатора Сенармона, получаемым сначала при контроле одной, а затем при контроле подгоняемой и опорной пластин вместе, Произвольная температура при контроле пластин поддерживается термостатом.

Однако разброс отсчетов, получающийся при фиксировании положения погас ания в компенсаторе Сенармона и колебания температуры в термостате от измерения к измерению, приводит к снижению точности контроля.

Предлагаемый способ контроля отличается тем, что, с целью повышения точности контроля, о правильности доводки судят по взаимному положению интерференционных полос, которые одновременно получают как на опорной пластине, так и на опорной и подгоняемой при их совместном действии.

На чертеже представлена схема, реализующая предлагаемый способ.

Опорную пластину 1 и подгоняемую пластину 2 помещают между поляроидами 8 в

10 параллельный пучок света, создаваемый источником 4 монохроматического света и коллиматором б. Если толщины пластин приблизительно отличаются в два раза, их частично взаимно перекрывают, а оптические оси раз15 ворачивают на 90 . С помощью кристаллического клина б получают интерференционные полосы на клине, на опорной пластине при совместном действии с клином и на общей части опорной и подгоняемой пластине

20 с клином при совместном действии с клином.

Интерференционные полосы наблюдают через объектив 7. Доводку пластины ведут до тех пор, пока интер ференционные полосы на опорной пластине и интерференционные по2S лосы на перекрывающейся части опорной и подгоняемой не расположатся симметрично относительно полос на клине. При этом подгоняемая пластина окажется в два раза толще опорной. Наоборот, если опорной являетЗо ся пластина 2, то доводят пластину 1 до по34426э

Предмет изобретения

5 > 1 2

Составитель Лоозова

Техред Т, Ускова

Корректор Т. Гревцова

Редактор Л. Народная

Заказ 2191/1 Изд. М 937 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 лучения такого же расположения интерференционных полос.

Пластины приблизительно одинаковой толщины помещают в пучок рядом, оптические оси ориентируют параллельно. Доводку дробной части толщины контролируемой пластины ведут до тех пор, пока интерференциоиные полосы, получаемые с помощью клина, не совпадут на обеих пластинах, Нониусное совмещение интерференционных линий обеспечивает высокую точность контроля оптической толщины. Контроль не зависит ни от длины волны источника света, ни от температуры, и при этом отпадает необходимость термостатирования пластин, так как и опорную контролируемую пластину помешают в одинаковые условия и измеряют одновременно.

Способ контроля толщины кристаллических пластин интерференционно-поляризационного

5 фильтра в процессе доводки, одна из которых — опорная, а другая — подгоняемая, в два раза толще или тоньше, или такой же толщины, что и опорная, при любой длине волны источника света и любой температуре, 1о отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, о правильности доводки судят по взаимному положению интерференционных полос, которые одновременно получают как на опорной пластине, так и на опор15 ной и подгоняемой при их совместном действии,

Способ контроля толщины кристаллических Способ контроля толщины кристаллических 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного измерения толщины и показателя преломления прозрачных слоев

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного автоматического измерения толщины прозрачных материалов, например листового стекла, в непрерывном производственном процессе

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к оптическим интерферометрам, и может быть использовано для непрерывного бесконтактного измерения геометрической толщины прозрачных и непрозрачных объектов, например листовых материалов (металлопроката, полимерных пленок), деталей сложной формы из мягких материалов, не допускающих контактных измерений (например, поршневых вкладышей для двигателей внутреннего сгорания), эталонных пластин и подложек в оптической и полупроводниковой промышленности и т.д

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщин слоев прозрачных жидкостей и может быть использован для бесконтактного определения толщин слоев прозрачных жидкостей в лакокрасочной, химической и электронной промышленности, а также в физических и химических приборах

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интерференционным способам измерения оптической толщины плоскопараллельных объектов и слоев

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в черной и цветной металлургии для измерения толщины проката в условиях горячего производства без остановки технологического процесса

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины пленок, в частности в устройствах для измерения и контроля толщины пленок фоторезиста, наносимых на вращающуюся полупроводниковую подложку в процессе центрифугирования в операциях фотолитографии

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины и измерения разнотолщинности пленок, в частности в устройствах для нанесения фоторезиста в операциях фотолитографии

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщины слоя прозрачной жидкости
Наверх