Способ изготовления полупроводниковыхприборов
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Сок>з Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства «¹
Кл. Н 011 7 34
Заявлено 14 т111!.1967 (№ 1177640/26-25) с присоединением заявки чо
Комитет ло делам иаобретвиий и открытий ври Совете Министров
СССР
Приоритет
Опубликовано 20.Х11.1972. Бюллетень Ы 3 за 1973
Дата опубликования описания 1.11.1973
УДК 621.382.002(088.8) Авторы изобретения
А. А. Шевцов, Э. Е. Пахомов, Л. И. Полова и Э. О. Тизенберг
Заявитель
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИ КОВЫХ
ПРИБОРОВ
Изобретение может быть использовано при изготовлении диодов, транзисторов, элементов интегральных схем, матричных устройств и т. п.
Известны способы изготовления полупроводниковых приборов, например транзисторов, с использованием эпитаксиального выращивания одной из активных областей полупроводниковой структуры. При этом требуется многократное проведение процессов эпитаксиального осаждения в сочетании с последующими процессами диффузии.
Цель изобретения — повышение производительности процесса и обеспечение возможности изготовления полупроводниковой, например транзисторной, структуры за одну технологическую операцию.
Цель достигается тем, что по предлагаемому способу в процессе эпитаксиального осаждения монокристаллического полупроводникового материала, являющегося активной, например эмиттерной, областью транзисторной структуры, производят его легирование одновременно примесями двух типов проводимости с различными коэффициентами диффузии до концентраций примесей, разность которых превышает по крайней мере два порядка.
В процессе дальнейшей диффузии примесей из выращиваемого эпитаксиального слоя в исходный полупроводниковый материал (подложку) одновременно с эпитаксиальным выращиванием (либо в процессе дальнейшей термообработки) в теле подложки возникают два р — n-перехода, расположенные так, что устройство обладает транзисторным эффектом.
Процесс осуществляют следующим образом.
Иа пластине германия р-типа проводимости с базовым соединительным слоем и-типа про10 водимости известными методами фотолитографии и маскирования германия, например пленкой Si02, локально путем, например, травления в газообразном НС1 создают окна (углубления) для эмиттера, в которые эпитаксиально осаждается, например, хлоридным методом монокристаллический слой германия, легированный в процессе эпитаксиального осаждения акцепторной примесью, например бором, концентрации Na 10 с — 10 о с.и — и донорной примесью, например сурьмой, концентрации Yd (1 — 2) .10ьт с.я — . Донорная примесь, легирующая монокристаллический эпитаксиальный эмиттер, диффундирует в процессе эпитаксиального наращивания в материал коллектора, образуя активную базу; так образуется транзисторная структура. Эпитаксиальный эмиттср создается на глубине около
10 .чкль Эпитаксиальное наращивание эмиттера проводится при температуре =810 С в
ЗО течение -5 лин.
344777
Предмет изобретения
Составитель М. Лепешкина
Редактор И. Орлова
Техред T. Миронова
Корректоры: А. Дзесова и Е. Талалаева
Заказ 106/5 Изд. Ме 72 Тираж 404 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Режим наращивания эпитаксиального эмиттера выбирают так, чтобы обеспечить монокристалличность структуры выращенного эпитаксиального слоя, а также воспроизводимость по концентрации легирующих донорных и акцепторных примесей и ширине активной базы.
Способ изготовления полупроводниковых приборов путем эпитаксиального осаждения и последующей диффузии примесей в полупроводниковую подложку, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса и обеспечения возможности изготовления транзисторной структуры за одну технологическую операцию, в ппоцессе эпитаксиального осаждения полупроводникового материала производят его легирование одновременно примесями двух типов проводимости с различными коэффициентами диффузии до концентраций примесей, разность которых превышает по крайней мере два порядка.
