Полупроводниковый мостовой датчик температуры

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республии

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

М. Кл. 6 01k 7/24

Заявлено 15.Х.1970 (№ 1483981/18-10) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 28.V111972. Бюллетень ¹ 23

Дата опубликования описания 4ХП1.1972

Комитет по делам изооретений и открытий при Совете Миииотроа

СССР

УДК 530.5(088.8) Авторы изобретения В. И. Воросколевский, Б. А. Заварнов, И. П. Куликов, С. Н. Панов и A. И. Пляченко

Заявитель

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОСТОВОЙ ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ

Изобретение может быть использовано в с»стемах трехпозиционного регулирования температуры различного назначения, работающих в диапазоне от — 30 С до +70 С.

Известны полупроводниковые мостовые датчики температуры, в одном или двух плечах которых включены терморезисторы (терм»вторы) . Выходной сигнал датчика, являющийся функцией окружающей температуры, снимается с одной из диагоналей моста. В качестве двух плеч мостового датчика при питании постоянным током могут быть использованы полупроводниковые стабилизаторы напряжения (стабилитроны).

Применяемые мостовые датчики температуры даже при использовании терморезисторов имеют относительно низкую чувствительность и требуют при использовании в системах регулирования температуры достаточно сложных усилительно-преобразующих устройств для усиления и формирования трехпозпционной характеристики регулятора.

Для увеличения выходных сигналов датчика, формирования в самом датчике трехпозпционной характеристики, необходимой для управления регулятором температуры, и упрощения его схемы в предлагаемом датчике к общей точке стабилнтронов подключены эм»ттеры транзисторов разного типа проводимости, базы которых соединены с термостабильньтм сопротивлением, включенным мехкду терморезнстором и вторым термостабпльным сопротивлением, При этом мощность выходных сигналов датчика увеличивается в десятки раз, а требуемая трехпозициопная характеристика регулирования определяется параметрами мостового датчика, что существенно упрощает схему управляющего устройства регулятора и

1Q значительно повышает его надежность.

Схема описываемого датчика пр»ведена на чертеже.

Четырехплечий мост ооразуется терморезнстором (плп группой терморезисторов) 1, тер15 мостабильными сопротивлениями 2, 3 н двумя

cT30»литронами 4, 5. К 1 онцам рез»сто1за подключены базы транзисторов 6, Т разного типа проводимости, эмнттеры которых соед;1нены с общей точкой стаб»лнтронов 4, 5, Пн2Q танпе для датчика подается через ограничивающее сопротивление на выводы 8, 9. Выходные сигналы датчика снимаются с выводов го, п.

При температ ре настройк», ког l,à со»ро23 тивление терморезпстора l равняется сопротивлению термостабпльного резистора Л, оба транзистора 6 11 / заl pыты, так 1 ;1 к I;lя открытия кремниевого транзистора необходимо, чтобы напряжение между эмнттером и базой

3Q превышало величину 0,67 в, Прн повышештн

ЗаЕООо.

Составитель И.,цубсон

1е. род Л Uu< ji.éiÎíû! еда!стор С. Хейфии

Коррек гор О. ю1>ипа

Заказ 2479(6 Изд. ¹ 1076 THIja>r 406 11одписное

11НР111П11 Комитета по делам изобретений и открьпий1 при Совет Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография,. пр, Сапунова, 2 температуры относительно температуры настройки сопротивление терморезистора 1 уменьшается и открывается транзистор 6. Если вывод 10 подключен к минусу источника питания, то в коллекторной цепи транзистора 6 появляется ток, которым может быть вкЛючено элект ромеи аническое реле через транзисторное реле. Транзистор 7 остается прп этом закрытым. При снижении темперагуры относительно температуры настройки потенциал общей точки резисторов 2 и 8 повышается и открывается транзистор 7. Если вывод 11 подключен к плюсу источника питапи>1, fo B lIo.tI. текторной цепи транзистора 7 IIOBB 111ется ток, достаточный для х правления fpa;Iзпсторным реле. Транзистор 6 остается при этом закрытым. Ширина зоны нечувствительности устройства (когда закрыты оба трапзистора 6 и 7) определяется величиной сопротив. и и и я резистора 2.

11редме1 изобретения

11олупроводннковый мостовой датчик температуры, содержащий мостовую схему с включенными в ее плечи терморезистором, термостабильными сопротивлениями и стабилитронами, отл11чаютчи11ся тем, что, с целью увели10 чения его выходнык сигналов, формирования в самом датчике трехпозиционной характеристики для управления регулятором температуры и упрощения его схемы, к общей точке стабилитронов подключены эмиттеры транзисто15 ров разного типа проводимости, базы которых соединены с термостабильным сопротивлением, включенным между терморезистором и вторым термостабильным сопротивлением.