Способ пластического деформирования кристаллов типа а" b^i
О П И С А Н И Е 354496
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ оюз Советских
Социаттиститтеских
Республик
Зависимое от авт. свидетельства № 344328
Заявлено 02.11.1971 (№ 1620948/26-25) л f(H 01,1 3 20 с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 09.Х.1972. Бюллетень № 30
Дата опубликования описания 24.Х.1972 коттитет оо делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 535.35(088.8) Авторы изобретения
Ю. А. Осипьян, В. Ф. Петренко и И. Б. Савченко
Институт физики твердого тела АН СССР
Заявитель
СПОСОБ ПЛАСТИЧЕСКОГО ДЕФОРМИРОВАНИЯ
КРИСТАЛЛОВ ТИПА А" Вт
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники.
Известен способ деформирования полупроводниковых кристаллов типа А" Вт" путем приложения механического усилия и воздействия на них электромагнитным излучением из области собственного .поглащения.
Цель изобретения — управление пластичностью кристаллов.
Цель достигается за счет того, что на стадии пластической деформации, осуществляемой с определенной скоростью при заданной температуре, фоточувствительный кристалл облучают двумя источниками света — первичного (с длиной волны в области собственного поглощения), определяющего дополнительное упрочнение кристалла, и вторичного (с длиной волны в инфракрасной области), приводящего к разупрочнению, величина которого зависит от интенсивности и длины волны вторичного источника.
Деформирование осуществляется в закрытой камере на специальной машине. Виды деформации могут быть различными: одноосное сжатие, изгиб, растяжение и т. д, В камере поддерживается постоянная температура, при которой для данного кристалла наблюдается фотопластический эффект. Машина, осуществляющая пластическую деформацию кристалла, обеспечивает определенную скорость деформации, не превышающую максимально возможной скорости для данного кристалла при данной температуре деформации. Через два специальных окна в камере
5 кристалл, освещают видимым светом с длиной волны собственного поглощения или белым светом и одновременно инфракрасным невио димым светом с длиной волны 5300А. На
10 чертеже изображена кривая деформации образца сульфида кадмия (CdS) при температуре 100 С и постоянной скорости деформации 5.10 — 4 си!мин, Вид деформации — одноосное сжатие. По оси абсцисс откладывается
15 степень деформации образца, по оси ординат — напряжение. Образцы нарезаются в виде прямоугольных призм размерами 2>(3+
)610 лм.
После выхода деформации на стадию пла20 стического течения кристалл освещают первичным светом (точка 1) с длиной волны
5200А, вызывающим сильное упрочнение.
В дальнейшем пластическая деформация
25 протекает при более высоких напряжениях.
В точках 2, 4 и 6 включается дополнительное инфракрасное освещение кристалла с длиной волны 9500А. Под действием инфракрасного
ЗО освещения кристалл разупрочняется, дальней354496
Предмет изобретения
Составитель А. Кот
Техред Т. Курнлко
Корректор Г. Запорожец
Редактор Л. Мазуронок
Заказ 3579!4 Изд, Ма 1467 Тираж 406 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 шее пластическое течение происходит при меньших напряжениях.
Величина разупрочнения составляет 20—
25о/о от величины упрочнения. При выключении инфракрасного света наблюдается упрочнение в точках 8, б и 7). Это явление можно наблюдать многократно для одного и того же образца. Для получения значительного разупрочнения кристаллов под действием инфракрасного света необходимо, чтобы интенсивность инфракрасного света была больше интенсивности первичного света.
Величина разупрочнения зависит от интенсивности и длины волны инфракрасного
4 света. Для кристаллов сульфида кадмия разупрочнение максимально при длине волны
ИКС около 9500А.
При освещении кристаллов только инфракрасным светом без первичной подсветки изменения пластичности не наблюдается.
10 Способ пластического деформирования кристаллов типа А" В по авт. св. Мв 344328 отличающийся тем, что, с целью управления пластичностью, кристаллы типа А" ВУ одновременно облучают инфракрасным светом.
