Способ селективного нанесения металла на полупроводниковую пластину

 

1-. - . Д1т библиотек ),,.;—

И С А H ii

О П

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

355697

Союз Соеетски) Социалистикескиз

Реслувлиз

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства Ке

Заявлено 14.IV.l 969 (М 1325(!09 26-25) М. Кл. Н 01/ 7)64 с присоединением заявки No

Приоритет

Опубликовано 16.Х.1972. Бюллетень Х 31

Дата опубликования описаш1я 20.ХI.1972

Комитет ло пелен изойретений и открытий ори Совете Министров

CGCf

УЛ К 621.328.001. 3 (088.8) Авторы изобретения, В. А. Лепилин и В. С. Черняк

Заявитель

СПОСОБ СЕЛЕКТИВНОГО НАНЕСЕНИЯ МЕТАЛЛА

НА ПОЛУПРОВОДНИКОВУЮ ПЛАСТИНУ

Йзобретение может быть использовано в электронной !пров!ышлснности, в частности, при изготовлении полупроводниковых приборов и интегралыных схем.

Известен Опособ формирования омически« контактов к диффузионным областям планарных полупроводниковых приборов и интегральных схем, IlpH,IToòoðoì после диффузии в слое окисла на г)олупроводнпковой пластине вскрывают окна в тех областях, где должны быть сформированы оьмо)чес) ие контакты. На пластину наг!ыленисч !в вакууме наносят тонкую пленку металла (например, золота или алюминия), металлизированныее пластины покрывают фоторсзистом, экспонируют через QDToIIIIBQJIQII c cooTветствующнм рисунком, проявля)от и травлениекм удаляют металл с участков, не,покрытых фоторезистом. Затем металл вжигают в кремниевую поверхность путем HBгрена до температуры образо|ванин эвтектпки для получения низкого сопротивления контакта.

Недостатком известного способа является т Р Удоем к о с т ь ф От о л ит О Г РЯ ч) и c c 1 . О г 1) T I) ß II ë сния. Кроме тото, точечные дефекты в слое !

)Кисла, образу1ощисся при обработке фоторезистом, спи>кают качество приборов, снабженных удлиненными металлизированнымп контактами с перекрытием слоя окисла, так

i<éI; после вжпгйнпя металла соседние .),1!ффузион>ные области могу т оказатьc)1 зз)корi)ченны ми.

Целью изобретения является спи>кение трудоемкости, процесса изготовления омпчсских 1 Онтактов и > л>чп1с1и)е начес l вя КОИтакта.

С> щность предложенного способа за1ключается в селективном осаждении металла на

10 пол\ту!роводник тОлькО ня Окнах пмтем няlтыления металла в вакууме на по>1> пров );1IIIIковую лластк!Иу, нагрету)о до температуры, выше критической температуры осажд ппя парое этого м;-галла на кремний.

Известно, что при температуре подложки

В ы Ilj е и р II T I I ч с с к 0 й, а т Ом ы 11 с и а р е 1111 0 l !) м сталла прп напылении в вакууме н!)Лнос)ь)о отражаются от повер«ности подложки. Крн20 тнческая температура зависит в основном ol свойств испаряемого металла и п))дл))>кк)1.

При осаждении паров металла ня понср«ность аморфного материала критическая температура зная)г1ельпо ни же„чсм )11) II

25 !)са>кдении паров того же металла на кристаллическую поверхность, что объ))снястс)1 разными энергетическими состоян)гями этик поверхностей, Например, критические тcмпературы для паров золота и алюминия прп

30 напылении на двуокись кремния соста вляют

355697

Составитель В. Гришин

Редактор T. Орловская Техред Л. Евдоиов Корректор Е. Миронова

Заказ 3672/5 Изд. № 1557 Тираж 406 Подписное

ЦПИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, п р. Са пу и о в а, 2 соответственно 600 и 750 С, в то время как на кремний — выше 1000 С.

В соответствии с предложенным способом, кремниевые пластины с полупроводниковыми приборами после проведения диффузии и вскрытия Окон В Окисле В тех мc та, где должны быть сформированы 0мические контакты, помещают в камеру .вакуумного напыления. Пластины нагревают до температуры, несколько выше критической температуры осаждения паров данного металла па окисел, и напылением на нагретые пластины осаждают испаряемый,металл только на полупроводниковую пластину в окнах, Создание омических контактов предложенным способом позволяет исключить фотолитографическое травление металлического слоя для получения контактов требуемой формы. Конфигурация металлических 1Eоптактов определяется формой окон в окисле.

Исключается также операция вжига ия металла в кремний, так как одновременно с осаждением металла на кремний происходит в>кигание его (тем пература пластины при осаждении выше температуры образования эвтектики) .

В случае применения удлиненных проводящих дорожек, перекрывающих окисел, для предотвращения за корачивания соседних диффузионных областей. через точечные дефекты в окисле при вжигании металла и обеспечения качественного контакта первоначально проводят селективное осаждение (а следовательно, и вжигание) металла па кремний в окнах, Таким образом обеспе1ивается низкое сопрсти влецне контакта и устраняется закорачивание при наличии металлических дорожек на окисле, так как отпадает необходимость в дальнейшей высокотемпературной обработке. После селективного нанесения металла снижают температуру пластины, напыляют металл па всю noBeрхность пластины и проводят фотолитографическое травление напыленного слоя для получения .проводящих дорожек требуемой

I5 конфигурации.

Предмет изобретения

Способ селективного нанесения металла на полупроводниковую пластину, поверхность

20, которой покрыта окислом с окнами в местах нанесения металла, путем напыления металла в вакууме на нагретую полупро вод1гиковую пластину, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости и улучшения

25 качества контакта металла с полупроводником, напыление металла осуществляют при тем пературе полупроводниковой, пластины, выше критической температуры осаждения паров металла на окисел и ниже критиче30 ской температуры осаждения паров металла на полупроводник,