Устройство для управления параметрами электромагнитного излучения
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
357634
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 17.1V.1971 (№ 1647594!26-9) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано ЗI.X.1972. Бюллетень № 33
Дата опубликования описания 29.XI. 1972
М. Кл. Н 01р 3:20
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.372.43(088.8) Авторы изобретения
Ю. Г. Альтшулер, Л, И, Кац и P. М. Ревзин
Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете
Заявитель
УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПАРАМЕТРАМИ
ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Изобретение относится к области радиотехники субмиллиметрового диапазона, а именно к устройствам, позволяющим менять амплитуду, фазу и поляризацию, Известные устройства для управления параметрами электромагнитного излучения, состоящие из двух квазиоптических волповодов, имеющих общу1о стенку, в отверстие которой помещена полупроводьчтковая пластина, и управляющего магнита, имеют большие габариты.
В предлагаемом устройстве, с целью уменьшения габаритов, в каждом из волноводов в области расположения полупроводниковой пластины установлены отражающие зеркала под углом 45 к оси волновода таким образом, что направление внешнего магнитного поля совпадает с направлением распространения излучения в пластине полупроводника.
На чертеже представлена конструктивная схема предлагаемого устройства.
Электромагнитные колебания субмиллиметрового диапазона возбуждаются в квазиоптическом волноводе 1. Падающее па зеркало 2 излучение направляется на полупроводниковую пластину 3 (поскольку в волноводе повышенного сечения распространяется плоская волна, то зеркало изменяет направление распространения на 90 ), 2
Таким образом, направление распространения волны совпадает с направлением магнитного поля электромагнита 4. Вследствие происходящих в полупроводниковой пластине 3
5 магнитоплазменных эффектов, т. е. зависимости параметров распространения волны от величины приложенного магнитного поля, электромагнитное излучение, прошедшее через полупроводникову1о пластину 3, характери10 зуется изменеьн1ем амплитуды, фазы и угла поляризации.
Конкретное изменение того или иного параметра определяется соотношением между параметрами полупроводниковой пластины 3 и
15 величин..й магн11тного поля.
Зеркало 5 еще раз изменяет направление излучения, прошедшего через полупроводниковую пластину 3, на 90, и излучение распространяется через волновод б в виде пло20 ской электромагнитной волны.
Предмет изобретения
25 Устройство для управленн1я параметрами электромагнитного излучения, состоящее из двух квазиоптических волноводов, имеющих общую стенку, в отверстие которой помещена полупроводниковая пластина, и управляюще30 ro магнита, отличающееся тем, что, с целью
357634
Составитель Ю. Еркин
Текред Л. Богданова
Корректор 3. Тарасова
Редактор А. Батыгин
Заказ 3846l16 Изд. № 1624 Тираж 406 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 уменьшения габаритов, в каждом из волноводов в области расположения полупроводниковой пластины установлены отражающие зеркала под углом 45 к оси волновода таким образом, что направление внешнего магнитного поля совпадает с направлением распространения излучения в пластине полупроводника.
