Библиотека 1

 

358963

ОПИСАНИЕ

ИЗОЬРЕтЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

М, Кл. G 01п 19/08

G 01п 27/60

Заявлено 26.Х.1970 (№ 1487603/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 05.1V.1973. Бюллетень ¹ 17

Дата опубликования описания 26Лг1.1973

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 549.1:548.523 (088.8) Автор изобретения

Л. С. Захаров

Заявитель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ

НАПРАВЛЕНИЙ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПРОВОДЯЩИХ

И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ

Предмет изобретения

Изобретение относится к способам контроля монокристаллических материалов, в частности полупроводниковых.

Известные способы определения кристаллографических направлений в монокристаллах с помощью рентгеновских измерений или путем осаждения на гранях изучаемого монокристалла микрокристаллов какого-либо вещества, которые ориентируются по кристаллографическим осям монокристалла, длительны и трудоемки. Кроме того, для их осуществления требуется сложное оборудование.

Предлагаемым способом можно быстро и просто без использования сложного оборудования определить направления кристаллографических осей с фиксацией их на поверхности изучаемого проводящего или полупроводникового монокристалла.

Этот способ заключается в том, что на некотором расстоянии от полированной поверхности образца устанавливают электрод. Через образованный таким образом промежуток осуществляют электрический разряд небольшой емкости через сопротивление. При этом ооразец является катодом.

После пробоя на полированной поверхности образца остаются следы катодных пятен в виде прямых лишш, opIMHTHpOBBHHbIx определенным образом по отношению к крнсталлографпческим направлениям монокрнсталла.

Длительность разряда можно примерно оце5 нить по формуле t = RC, где R — величина сопротивления, С вЂ” емкость конденсатора.

За время t = 10 лгксек катодные пятна проходят расстояние, измеряемое миллиметрами.

В одном монокристалле следы катодных пя10 тсн ориентированы одинаково, если получаются на одной и той же плоскости.

15 Способ определения кристаллографцческпх направлений в монокристаллцческих проводящих и полупроводниковых материалах, от.ггг(гагогггийс.г тем, что, с целью непосредстленной фиксаци г на пове1-.хностн ооразца на2Q правлений крцсталлографцческих осей, образец полируют, над полированной поверхностьго устанавливают электрод, подают напряжение на электрод и образце, ц, осуществляя электрический разряд между ними, опреде25 ляют крцсталлографическпе направления по прямолинейным п ориентированным следам катодных пятен.

Библиотека 1 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам для внутритрубного неразрушающего контроля трубопроводов, а именно для контроля профиля полости уложенных магистральных нефтегазопродуктопроводов путем пропуска внутри контролируемого трубопровода устройства с установленными на корпусе средствами измерения дефектов полости трубопровода, средствами обработки и хранения данных измерений, продвигающегося внутри трубопровода за счет транспортируемого по трубопроводу потока жидкости (газа)

Изобретение относится к неразрушающему контролю длинномерных изделий, в том числе труб, и может быть использовано при сканировании наружной поверхности длинномерных изделий

Изобретение относится к активным методам акустического контроля упругих конструкций, использующих вынужденные механические колебания, и может найти применение, например, в двигателестроении

Изобретение относится к области испытательной техники и предназначено для обнаружения и измерения распространения дефектов в детали или конструкции

Изобретение относится к средствам для контроля целостности конструкции, расположенной в окружающей среде, содержащей текучую среду под давлением окружающей среды

Изобретение относится к активным методам акустического контроля упругих конструкций, использующих вынужденные механические колебания, и может найти применение в машиностроении, в частности авиадвигателестроении

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных микросхем на активных и пассивных подложках и в дифракционной оптике при производстве элементов дифракционной оптики

Изобретение относится к неразрушающему контролю внутренних дефектов изделий, а именно к способам контроля валов, в частности для обнаружения накопленных усталостных повреждений коленчатых валов автотракторной и компрессорной техники
Наверх