Всесоюзная патенгйо-гехййчесау
363I24
О П И СА Н И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 29.Ч.)969 (№ 1,333688r24-7) И. Кл. Í 0)c )7,00
Н Olr 508
Н Olr 1108 с присоединением заявк.t №
Намитет ло делам изобретений и открытиЯ ори Совете Министров
СССР
Приоритет
УДК 62).,316.84-181.4 (088.8) Опубликовано 20.Xl l.1972. Бюллетень ¹ 3 за 1973
Дата опубликования описания 6.11.1973
Авторы изобретения
А. С. Алферов, Э. А. Альфтан, В. В. Васильев, Л. Э. Дегтярь, 3. И. Зеликовский, А, М. Игнатьев, В. Д. Кибенко и А. М. Фи сов
ВСЕСОК);ЩАЯ
mrurggrqq <<@
Б)4
Ленинградский электротехнический институт связи им. проф. М. А. Бонч-Бруевича
Заявитель
СПОСОБ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОЕДИНЕНИЯ МИКРОПРОВОДА
В СТЕКЛЯННОЙ ИЗОЛЯЦИИ С ТОКОПОДВОДОМ
Известен способ электрического соединения микропровода в стеклянной изоляции с токоподводом, используемый, например, при изготовлении резисторов, по которому микропровод в изоляции укладывают на токоподвод, наносят на него электропроводящее покрытие и разрушают стеклянную изоляцию, Целью изобретения является повышение качества электрического соединения.
Для этого по предложеннозту способу мпкропровод укладывают в механически напряженном состоянии и покрытие наносят гальваническим осаждением.
Для осуществления предложенного способа предварительно создают микротрещнны в изоляции, укладывая микропровод на основание таким образом, чтобы на отдельных участках зоны контакта радиус изгиба микропровода был порядка 50 — 100 радиусов микропровода.
К токоподводам присоединяют микропровода диаметром 10 — 30 мк с жилой из меди и из различных сплавов сопротивления. На электропроводящие участки основания, на которые намотан микропровод, гальванически осаждают медь. Осуществляют это в растворе сернокислой меди (250 г/л) и серной кислоты (20 г/л) при плотности тока 4 а/дм в течение 10 мин при комнатной температуре. Прп наличии поверхностных микротрещин в стеклянной изоляции надежный электрический контакт получают в процессе осаждения, поскольку изоляция провода, лежащего на электропроводящем участке, разрушается полностью. Для получения микротрещин в зоне
5 контактного узла микропровод наматывают на основание достаточно малого диаметра. Например, при диаметре основания в зоне контактного узла 1 лтм надежный электрический контакт получают»о всех случаях. Если этот
)О диаметр равен 5 л м, то контакт получают примерно в 20 /о образцов.
При проведении экспериментов по гальваническому осаждению серебра, которое дает контакты на значительно больших диаметрах, 15 хотя менее удобно по технологическим и экономическим соображениям, непосредственно к осажденному металлу приваривают либо припапвают проволочные или ленточные выводы. При контактированип к микропроводу
20 диаметром 10 лтк и менее применяют намотку нспосредственно на проволочные выводы, предварительно прикрепленные к основанию (диаметр вывода 0,4 — 0,6 лтм, диаметр основания 1 — 2 лтл), Перед гальваническим осаж25 дением микропровод на основании покрывают защитным лаком.
При отсутствии микротрещин в стеклянной изоляции, погружешьой в слой гальваническн осажденного металла, контакт осуществляют
„".0 посредством сварки. Между двумя участками
363 124
Предмет изобретения
Составитель Л. Карцева
Редактор E. Кравцова Техред Т. Миронова
Корректоры: Н. Аук и A. Дзесова
Заказ 182/12 Изд. № 67 Тираж 404 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открьпий при Совете Министров СССР
Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 осажденного металла создают разность потенциалов от 100 до 1000 в, в результате чего изоляция пробивается и возникающая электрическая дуга обеспечивает получение надежного контактного узла. Внутреннее сопротивление источника напряжения подбирают таким образом, чтобы сварочный ток, протекающий по цепи: осажденный металл — жила микропровода — осажденный металл, не превышал допустимых для этого микропровода значений. Используют как постоянное, так и импульсное напряжения. Импульсное напряжение дает несколько лучшие результаты. Путем механического воздействия на осажденный металл в зоне контактного узла удается уменьшить сварочное напряжение до 10 в и менее. Гальваническое осаждение металла проводят одновременно на большом количестве изделий, что позволяет добиться высокой производительности труда на этой операции.
Предложенный способ прост в осуществлении и не требует специального оборудования.
Способ электрического соединения микро10 провода в стеклянной изоляции с токоподводом, по которому микропровод в изоляции укладывают на токоподвод, наносят на него электропроводящее покрытие, и разрушают стеклянную изоляцию, отличающийся тем, что, 15 с целью повышения качества электрического соединения, микропровод укладывают в механически напряженном состоянии и покрытие наносят гальваническим осаждением.
