Магниторезистивный датчик

 

ОП ИГРАНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства K:—

М.K.ë.

Заявлено 30.111.19?l (И 1640117!18-10) с присоединсн исв1 заявки ¹â€”

Комитет по делам изобретений и открытия при Совете 1;";иннстрое

СССР

Приоритет ——

Опубликовано 22 11.1973. Бтоллетснь № 12

УДК 621.317.44 (088.8) Дата опубликования описания 28Х.1973

Ав"горы изобретен ия

В. Ф. Рахманов, С. Л. Ротарь и Ю. Л. Козлов

Московский ордена Ленина авиационный институт им. Серго Орджоникидзе

Заявитель

МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ддТт1ИК

Магниторезистивный датчик пред. азначен для использования в устройствах автоматики и вычислительной техники, а также в системах управления, контроля и измерения.

Известны элементы, чувствительные к магнитной индукции, основанные на изменении электрического сопротивления, например магниточувствительные сопротивления. на базе которых разработаны магниторезистивные датчики.

Кратность изменения электрического сопротивления таких чувствительных элементов не может быть больше кратности изменения удельного сопротивления используемого материала, которос определяется его фюзи-IccKQH природой.

Получение непрерывной зависимости кратности изменения выходного напряжения от геометрических размеров элемент",;çÿçàíî с трудностями подбора пары материя.-ов, один из которых при действии магнитного поля увеличивает, а другой уменьшает сопрогивленис электрическому току, и соединения двух ра=-породных полупроводниковых слоев.

Предложен магниторезистивный датчик, выполненный в виде прямоугольного бруса, в котором перпендикулярно к поверхности бруса расположен выступ, например Г-образнои формы, на боковой стороне основания которого, перпендикулярно расположенной к плоскости бруса, нанесен третий омический контакт.

На чертеже показана конструкция магниторезистивного датчика (стрелками показано направление магнитного поля).

Внешние омические контакты 1 и 2 равноправны при включении датчика в электрическую цепь, а третий омический контакт д является общим при включении датчика в электрическую цепь.

Датчик представляет собой линию передачи с переменными параметрами элекгрическои энергии от источника 4 к сопротивлению 5 нагрузки. Параметры, определяющие внутреннис потери электрической энергии в линии, зависят от напряженности магнитного поля в окружающем линию пространстве. Если потери энергии в линии малы, то мало и падз ощее на ней напряжение, а напряжение, выделяющееся на сопротивлении 5 нагрузки, составляет существенную часть напряжения питания.

Прп больших потеря.: электрической энергии, т. е. при большом падении напряжения в линии, напряжение, выделяющееся на зажимах сопротивления нагрузки, составляет значительно меньшую часть напряжения питания. Отношение напряжения на сопротивлении нагрузки в первом случае к напряжению на том же со1 ротивлении во втором, принято называть кратностью изменения выходного напряже30

371539

Предмет изобретения

Составитель Л. Устинова

Редактор T. Рыбалова Техред Л. Богданова Корректоры г1, Стельмах и Г. Агаян.

3 .каз 1944 Изд. «¹ 1219 Тираж 755 Поди свое

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, 1 аушска я н а б., д. 4/5

Обл, тпп. Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговли

Магниторезистивный датчик выполняют из однородного материала феррита, у которого знак изменения омического сопротивления при воздействии магнитным полем зависит от взаимной ориентации линии протекающего по ферриту электрического тока и магнитного поля. При наложении магнитного поля, направленного параллельно линиям электрического тока, омическое сопротивление феррпта возрастает, а при наложении магнитного поля перпендикулярно к линиям тока уменьшается.

Такое конструктивное выполнение обеспечивает параллельность линии тока, протекающего от контакта 1 к контакту 2, и перпендикулярность линии тока, протекающего к контакту 8, к направлению магнитного поля, приложенного к датчику.

Магниторезистивный датчик из полупроводникового материала, выполненный в виде бру5 са, например, прямоугольного сечения, на каждый торец которого нанесен омический контакт, отличающийся тем, что, с целью получения непрерывной зависимости кратности изменения выходного напряжения от длины датчика

10 и повышения чувствительности, пер:ендикулярно к поверхвости бруса расположен выступ, например, Г-образной формы, на боковой поверхности основания которого, перпендикулярно расположенной к плоскости бруса, нанесен

15 третий омический контакт.

Магниторезистивный датчик Магниторезистивный датчик 

 

Похожие патенты:

Феррозонд // 368559

Изобретение относится к магнитометрам и может быть использовано для измерения напряженности магнитного поля и вектора магнитной индукции в науке, промышленности, медицине

Изобретение относится к магнитоизмерительной технике и позволяет в широком диапазоне и с высокой точностью формировать на выходе устройства величину измеряемой магнитной индукции

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для определения положения объекта в системах управления

Изобретение относится к устройствам для определения положения подвижного транспортного средства

Изобретение относится к технике магнитных измерений и может быть использовано для обнаружения объектов из ферромагнитных материалов

Изобретение относится к области электроизмерительной техники и предназначено для измерений магнитных полей судов на стационарных и временных (маневренных) стендах

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для обнаружения на фоне помех сигналов различной физической природы: акустических, электрических, магнитных и др., в частности для обнаружения магнитного поля, создаваемого работающей звукозаписывающей аппаратурой

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для создания средств измерения координат и угловых величин объекта в автоматических системах управления, в геомагнитной навигации, в прецизионном машиностроении и приборостроении и т.д

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в магниторазведке для поиска полезных ископаемых, в области космических исследований для измерения магнитного поля околоземного пространства и магнитного поля планет, в магнитной навигации для определения скорости и местоположения судна и т.д

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам для измерения напряженности переменного магнитного поля с высокой чувствительностью в широком диапазоне частот
Наверх