Способ окисления кремния с p-n-переходом
Способ окисления кремния с р-n-переходами в электролите при подаче на пластину кремния анодного напряжения, отличающийся тем, что, с целью селективного окисления n-области, пластину кремния предварительно обрабатывают в химическом травителе и при окислении анодное напряжение подают на n-область.
Похожие патенты:
Способ создания защитной пленки // 316372
Способ защиты кристаллов кремния // 137893
Способ нанесения пленок // 2102814
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Способ получения борсодержащих пленок // 2129321
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов
Способ получения борофосфорсиликатных пленок // 2173912
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор и фосфор на поверхности полупроводниковых материалов
Способ получения защитных пленок // 2176421
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Ta2O5)
Способ химической обработки пластин кремния // 2228563
Способ создания диэлектрического слоя // 2274926
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи