Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду

Авторы патента:

H01L21/40 - сплавление примесных материалов, например легирующих материалов, материалов электродов, с полупроводниковой подложкой

3ЮЭ@ra с- - -::, с,@ в,,своев

- «ЧЫ

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

СОюз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 27.1Ч.1967 (№ 1151672/26-25) М.Кл. Н 011 7/20 с присоединением заявок ¹ 1211921/26-25, 1223126/26-25 и 1228174/26-25

ПриоритетвЂ”

Гооударотвеииый комитет

Совета Мииистров СССР оо делам иэобретеиий и открытий

Опубликовано 23.Ч.1973. Бюллете»ь ¹ 24

УДК 669.22(088.8) Дата опубликования описания 23.Х.1973

Автор изобретения

О. П, Ксенофонтов

Заявитель

СПЛАВ ДЛЯ ПРИПЛАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ К

ТЕРМОКОМПЕНСИРУ1ОЩЕМУ ЭЛЕКТРОДУ

2 ся в .кремнии, вызывая большие внутренни. пап ряжения.

Цель изобретен»л вЂ” снижение температу ры сплавлен»л ti улучгце»»с характер»сто.

5 полупроводникового прибора.

Цель достигается добавлением в сплав н,. основе серебра и свинца с примесью легнрующих элементов никеля в количеств

0,2 вЂ” 5 вес. %.

1. Сплав длл при»давления кремния к термокомпенсирующему электроду на основе се15 ребра» с винца с примесью лег»1рующнх элементов, от.1ачаюпшася тем, что, с целью улучшения хара ктерпст»к почупpовoд uн<овогг. прибора н сн»жен»л температуры сплавлен»л, в него введен никель.

20 2. Сплав по п. 1, отлнча о цийсл тем, что содержа»!1е инке.1л составляет 0,2 вЂ” 5 вес, ", a, 1

Изобретение относится к полуп роводниковой элвктрони ке и может бьвть использовано при изготовлении:полупроводниковых приборов.

При и зготовлении полупроводниковых приборов из кремния в качестве омического конта|кта прыменяют спла в, в аооторый входят Ag, Pb, Sb. Кремний п рнпла вляют этим сплавом к тврмаком пенси рующему электроду (из вольфрама или молибдена), имеющему примерно такой же коэффициент термического расширения, ка|к и кремний. Для качественного сплавления (серебро плохо смачивает вольфрам» моли бден) термокомпенсн рующ»е электроды никелируют, а затем свреорят.

Однако никель при сплавлении может отслаиваться;:Kipоме того, необходимо весьма точно .поддерживать температурный режим: повышение тем пературы приводит к тому, что гальванически осажденный никель растворяетПредмет изобретения

Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду

Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых терморезисторах // 281650

Способ изготовления выпрямительного элемента // 256875

Способ получения контакта // 243740

Способ соединения металлической заготовки с полупроводниковым кристаллом // 192297

Способ изготовления омических контактоввсгсц»я11>&|1 .ffm^m^^т*фб:';щ1?а(а„. // 174276

Патент 157439 // 157439

Патент 154960 // 154960

Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых кристаллах или фотосопротивлениях // 151260

Патент 150940 // 150940

Способ создания омического контакта // 1589942

Способ сплавления // 2564685

Использование: для сплавления электродными материалами кремниевых полупроводниковых пластин и полупроводниковых подложек с термокомпенсирующими электродами. Сущность изобретения заключается в том, что способ сплавления электродными материалами кремниевой полупроводниковой подложки с термокомпенсатором ведут алюминием/силумином через прослойку окиси кремния, выращенную на поверхности полупроводниковой подложки. Технический результат: обеспечение малой глубины проникновения электродного материала в полупроводниковую подложку. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.