Способ получения защитного диэлектрического покрытия на поверхности германия
ОЛИСАНИ1с
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Ц дЩРР Ц ЩУ ЩЦДЕТЕЛЬС18>
Зависимое от авт. свидетельства М
Заявлено 23.И.1971 (№ 1672236/26-25) с присоединением заявки М—
М.Кл. Н 011 7/36
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изооретений и открытий
Приоритет—
Опубл икова но 23Х.1973.
Дата опубликования описания 3.Х.I!,173
Л. Л. Васильева, Б. 3. Кантер, С. М. Репинский, К. К. Свиташев, О. Г. Мисуркин, Ю. В. Осокин и Д. Л. Миха:!ович
Авторы изобретения
Заявитель Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАЩИТНОГО ДИЗЛЕКТРИЧЕСКОГО
ПОКРЫТИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ГЕРМАНИЯ
Изобретение относится к области ф1зи:!и и техники полупроводни!ков и может быть,.споль!зовано при разрабопке и !!сследовян!1!! полусррввонникковы прибс!ров и ио!тегральных схем на основе Бе!р!мания.
Известны спосооы лолу!ен1!я за!дптвых диэл ектр ичес!ких !покрытий н а,г1овepх» ости германия путем обработ!кп его в расплавленных солях сульфидов или в безводном сероводороде. П ри этом нг поверхности германия образуется плотная пленка сульфпда германия. Однако в силу плохой управляемости процесса сульфидирования в расплаве этот мета!д не может быть !!ополb30lBBFI в техно".огии полупроводниковых приборов.
Способ обработки поверхности полупроводников действием безводного сероводорода прп температуре 430 — 450 С является ближайшим прототипом предлагаемого способа. Однако слои сульфида германния обладают большим вст!рoGHFIbllivl зарядом, который приводит к IIFIверсии поверхностной про!водимости германия и появлению:каналов на при!борах с р — n-переход!ом. С этим явлением связано резкое увеличение обратных токов биполярных приборов.
Цель изобретения — создание на поверхности пол!управодни!ка, наприте!ер германия, плен!ки диэлеиврика для стабилизации .параметров б1!поляра!ых приборов.
Б1о !лете!и М 4 УДК 621.382.002(088.8)
Цель достиг!1с!гс!! путем ьоздействия ня германий газообразного сероводорода в прпсутств11п паров серы при температуре
460 — 470 С.
Процссс сп11тезя диэ IcKTplliIBcK011 пленки ведется слсду!0!цпм образом.
Образец (монокристалл, пр;!оор;1ли пнтсгряльнуlо схем ) после трав, 121! пя, промывKII и сушки пох!ещ11ют на кварцевую Ilcioñêóiî пластину; на расстоянии 5 — 10 с.!! перед образцом помещаioT IiaBeol 0,05 — 0.1 истолченной серы (марки OC I) . Пластину
Бл!есте с Обрязц01! 11 11язеокой серы вводят Б предварптсльну:о продутую ссроводородом !
5 кварцевую труоу, разогретую печью пакалпвя ния до гемпературы 460 — 170 С. При этой температуре обраоотку ведут в течение
10 — 15 !!ия.
П!редлягаемый способ получения дпэтек20 трического покрыт!1я на поверхности германия был прпменсп для защиты интегральных схсМ типа P-12-2. Прп этом удалось увел 1чпть макс!!маль!!ое обратное напряжение перехода ба3B — Ko лектор с 10 — 12 0 10 25 — 30 0, а так25 же уменьшить и стабилизировать обратные токи этого перехода в условиях повышенной влажности и температуры.
Предмет изобретения
30 CII oc об Il 0, I i i! CI I !IF! з Я !цп тп о го $113,i! cêòð пч с384162
3 ского покрытия на поверхности германия путем обработки, поверхности в атмосфере безводного сероводорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения защитных и электрофизи4 чеаких свойспв покрытия, обработку поверхности осуществляют в присутствии eaipoia серы с концентрацией 0,001 — 0,03 г/смз при
460 — 470 С в течение 10 — 15 мин, Составйтель М. Сорокина
Редактор И. Орлова Техред 3 Тараненко Корректоры Е. Михеева и С. Сатагулова
Заказ № 4236 Изд. № 1578 Тираж 780 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раун:окая наб,, д, 4/5
Загорская типография
