Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов

 

387305

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 27.1Х.1971 (№ 1702907/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.VI.1973. Бюллетень № 27

Дата опубликования описания 5.Х.1973

М. Кл. G Olr 31/26

Гасударственный комитет

Совета Министрое СССР по делам иэоеретений и открытий

УДК 621.382 (088.8) Автор изобретения

В. О. Рябко

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ СТАТИЧЕСКОГО

КОЭФФИЦИЕНТА ПЕРЕДАЧИ ТОКА ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к электронной технике и может быть применено для измерения параметров транзисторов.

Известны устройства для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов Й2 +1 в схемах с общей базой, в которых на коллектор от источника подается постоянное напряжение и не учитывается падение напряжения на базовых резисторах.

Однако при больших токах эмиттера и низких напряжениях на коллекторе этим падением напряжения пренебречь нельзя, так как это вносит большие погрешности измерения параметра Й в+1, особенно в граничной области поддиапазонов измерения.

Цель изобретения — повышение точности измерения h< <+1.

Это достигается тем, что выход детектора дополнительно подключен к омическому делителю, нижнее плечо которого последовательно соединено с опорным источником стабилизатора коллекторного напряжения.

На чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства.

Коллектор испытуемого транзистора 1 подключен к стабилизатору 2 напряжения, состоящего из источника 8 опорного напряжения, делителя, собранного на резисторах 4 и

5, схемы сравнения и УПТ б, регулирующего элемента 7 и источника 8 питания. Кроме того, устройство содержит импульсный стабилизатор 9 тока эмиттера, переключатель 10 подпределов, базовые резисторы 11 и 12, усилитель 18 импульсов, детектор 14 и индика5 тор 15.

При измерении h><++1 транзисторов падение напряжения на резисторе 11 (или 12, в зависимости от подпредела) усиливается усилителем 18 и преобразуется детектором 14 в

10 постоянное напряжение, которое подается на делитель, собранный на резисторах 4 и 5.

Коэффициент деления делителя равен коэффициенту преобразования усилителя и детектора, и падение напряжения на резисторе 4 будет равно падению напряжения на базовом резисторе 11 или 12 и включено последовательно с источником 8 опорного напряжения.

Таким образом, опорное напряжение, пода20 ваемое на схему б сравнения, увеличивается на величину падения напряжения на резисторе 11 или 12, а следовательно, при коэффициенте передачи УПТ б и регулирующего элемента 7, равном единице, постоянное напря25 жение на коллекторе испытуемого транзистора также у величится на ту же величину.

Предмет изобретения

Устройство для измерения статического

30 коэффициента передачи тока транзисторов.

387305

Составитель 3. Челнокова

Техред Т. Курилко Корректор М. Лейзермаи

Редактор А. Батыгин

Заказ 2706/IO Изд. № 727 Тираж 755 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 содержащее импульсный стабилизатор тока эмиттера, стабилизатор напряжения коллектора, состоящий из омического делителя и источника опорного напряжения, который через усилитель постоянного тока соединен с регулирующим элементом источника коллекторного напряжения, переключатель пределов измерения, базовые резисторы, усилитель, детектор и индикатор, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений, выход детектора дополнительно подключен к омическому делителю, нижнее плечо которого последовательно соединено с опорным источником стабилизатора коллекторного напряжения.

Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх