Устройство для нанесения полупроводящего слоя

Авторы патента:

Н. С. Розин, Б. Н. Брагин, В. К. Переверзев, А. Ф. Васина, В. А. Штыканов , Т. М. Караджали

C23C18/12 - характеризуемые осаждением неорганического материала иного, чем металл

C23C16/54 - устройства, специально приспособленные для непрерывного покрытия

390203

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

М. Кл. С 23с 17/ОО

Заявлено ЗО.Х.1970 (№ 149607?/22-1) с присоединением заявки №вЂ”

ПриоритетвЂ”

Опубликовано 11 VII.1973. Бюллетень . А ЗО

Дата опубликования описания 19.XI.1973

Гасударственный камитет

Совета Министрав СССР па делам изааретеннй и аткрытий

УДК 621.793.06(088.8) Авторы изобретения

Н. С. Розин, Б. Н. Брагин, В. К. Переверзев, А. Ф. Васина, В. А. Штыканов и T. М. Караджали

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОЛУПРОВОДЯЩЕГО СЛОЯ

НА ОСНОВЕ ДВУОКИСИ ОЛОВА АЭРОЗОЛЪНЪ|Ч МЕТОДОМ

HA ВНУТРЕННИЕ ПОВЕРХНОСТИ КАНАЛОВ

Изобретение относится к технологии изготовления электронных приборов, имеющих электропроводящие полупроводниковые слои на основе двуокиси олова, нанесенные на внутренние поверхности цилиндров или каналов.

Известно устройство для нанесения полупроводящего слоя на основе двуокиси олова аэрозольным методом на внутренние поверхности каналов, содержащее испаритель с раствором четыреххлористого олова и легирующими добавками, соединенный посредством газопровода с герметизированной рабочей камерой, расположенной в жаровом пространстве нагревательной печи.

Предложенное устройство отличается от известного тем, что внутри рабочей камеры укреплены поджимаемые шайбой уплотпяющие прокладки, между которыми установлены обрабатываемые каналы, причем в уплотняюших прокладках выполнены отверстия, совпадающие по форме с торцовой поверхностью каналов. Это позволяет сокращать расход рабочей смеси и эффективно защищать боковую поверхность каналов от воздействия этой смеси.

На чертеже показано описываемое устройство.

Устройство состоит из испарителя 1 с раствором четыреххлористого олова и легирующими добавками, соединенного посредством газопровода 2 с герметизированной рабочей камерой 8, расположенной в жаровом пространстве нагревательной печи 4. Внутри рабочей камеры 8 укреплены поджимаемые шай5 бой 5 уплотняющие прокладки 6, между которыми установлены обрабатываемые каналы 7.

В уплотняющих прокладках б выполнены отверстия, совпадающие по форме с торцовой поверхностью каналов 7.

10 Испаритель представляет собой баллон, имеющий патрубок 8 для подачи в испарител воздуха или кислорода. Испаритель оборудован также подогревателем 9 для подогрева раствора. Рабочая камера 3 снабжена двумя

15 патрубками. Патрубок 10 соединяется газопроводом 2 с испарителем, а патрубок 11 с устройством для создания разрежения.

Рабочую камеру с установленными в ней каналами 7 вводят в жаровое пространство нагревательной печи 4 и прогревают до температуры 450 вЂ” 550 С. Раствор хлорного олова разогревают в испарителе 1 до температуры

85 C при помощи подогревателя 9. Устройство для получения разрежения, например во;оструйный насос, подключенный к натрубку II рабочей камеры, создает разрежение в рабочей камере, газопроводе, соединяющем paGoчий объем с испарнтелем, и в само.{ испарителе, куда одновременно подается также отфиль30 троганный воздух или кислород.

390203 б;

Типография, пр. Сапунова, 2

Рабочая смесь, образующаяся в испарителе. засасывается в рабочий объем за счет разрежения, создаваемого водоструйпым насосом.

Поток паров рабочей смеси полностью проходит сквозь каналы, равномерно омывая их внутренние IIoBEpxEIOcTH. При этом на внутренних поверхностях каналов и их торцах происходит гидролиз солей хлорного олова с образованием полупроводящего слоя. Точные значения температуры разогрева рабочего ооъема, 10 величины разрежения и количества подаваемого воздуха или кислорода устанавливаются в зависимости от материала каналов (стекло, керамика, кварц и т. п.) и требуемого сопротивления полупроводящего слоя. 15

Так как для работы предлагаемого устройства не требуется получения высокого вакуума, требования к материалам для уплотняющих прокладок не являются жесткими. Прокладки могут быть изготовлены из любого до- 20 статочно мягкого материала, выдерживающего рабочие температуры, при которых идет процесс образования полупроводящего слоя, например из асбеста, стеклоткани и т. д.

Предмет изобретения

Устройство для нанесения полупроводящего слоя на основе двуокиси олова аэрозольным методом на внутренние поверхности каналов, содержащее испаритель с раствором четыреххлористого олова и легирующими добавками, соединенный посредством газопровода с герметизированной рабочей камерой, расположений в жаровом пространстве нагревательной печи, отличающееся тем, что, с целью сокращения расхода рабочей смеси и эффективнои защиты боковой поверхности каналов от воздействия этой смеси, внутри рабочей камеры

5 креплены поджимаемые шайбой уплотняю.цие прокладки, между которыми установлены обрабатывас мые каналы, причем в уплотняющих прокладках выполнены отверстия, совпадающие по форме с торцовой поверхностью каналов.

Составитель А, Смирнова

Редактор Н. Корченко Техред Е. Борисова

Корректоры: Н. Стельмах и Н. Учакина

Заказ 3018/5 Изд. № 1747 Тираж 826 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета

Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Устройство для нанесения полупроводящего слоя

Похожие патенты:

Патент 191001 // 191001

Установка для нанесения покрытий на стекловидные подложки из газовой фазы // 348644

Установка для получения покрытий и деталей // 333225

Аппарат для осаждения материалов из газовойфазы // 245731

Устройство для нанесения защитных покрытий на изделия сложной конфигурации // 2192503

Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к формированию защитных покрытий из газовой фазы на изделиях сложной конфигурации при термическом разложении паров тетракарбонила никеля на защищаемой поверхности, и может найти применение для металлизации как металлических, так и неметаллических деталей с повышенной хрупкостью

Устройство для нанесения защитных покрытий на малогабаритные изделия // 2192504

Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к формированию защитных покрытий, и может найти применение для металлизации деталей, полученных как с помощью металлообработки, так и порошковой металлургией

Способ эксплуатации вакуумных установок с изменениями давления // 2308539

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способу эксплуатации вакуумной установки с изменениями давления между рабочим и окружающим пространством

Устройство вакуумного осаждения и способ получения пленки вакуумным осаждением // 2332523

Изобретение относится к устройству и способу вакуумного осаждения для образования осажденных в вакууме пленок на несущей пленке и может найти использование в различных отраслях машиностроения

Устройство для нанесения покрытия методом химического осаждения из газовой фазы // 2338006

Изобретение относится к устройству и способу для нанесения покрытия методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) и может найти использование при изготовлении пластмассовых контейнеров с защитным покрытием

Простая система химического осаждения из паров и способы нанесения многометаллических алюминидных покрытий // 2352685

Изобретение относится к простой системе химического осаждения из паров и, в частности, к простой системе химического осаждения из паров, оснащенной для создания защитного слоя на деталях реактивного двигателя

Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа // 2371515

Изобретение относится к устройству плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке

Источник для методов осаждения из газовой фазы, устройство для монтажа этого источника и способ монтажа и извлечения этого источника // 2398048

Изобретение относится к источнику твердого или жидкого материала для реакторов для осаждения из газовой фазы, устройству для установки источника в реакторе для осаждения из газовой фазы и способу установки источника в реакторе

Реактор // 2405063

Изобретение относится к реактору для послойного атомного осаждения

Устройство непрерывного формирования пленки // 2417275

Изобретение относится к устройству для плазменного химического парофазного осаждения пленки на поверхности полосообразной подложки и может найти применение при изготовлении дисплеев

Способ получения тонкопленочного диэлектрика оксида алюминия в производстве металл-диэлектрик-полупроводник устройств // 2129094

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и может быть использовано для получения металл-диэлектрик-полупроводник устройств

Способ получения частиц легированных оксидов металлов // 2404119

Способ получения тонких пленок диоксида олова // 2446233

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении дисплеев, светоизлучающих диодов, затворов полупроводниковых структур типа металл-диэлектрик-полупроводник и защитных покрытий

Способ получения трис(n,n-диалкилкарбаматов)органоолова и их использование для получения модифицированных тонких пленок оксида олова (iv) // 2447192

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении дисплеев, светоизлучающих диодов и защитных покрытий

Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего покрытия // 2081937

Изобретение относится к области сверхпроводимости и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных сверхпроводящих проводов и других сверхпроводников, которые могут найти применение в вычислительной технике, радиотехнике, энергетике

Способ обработки подложек для выращивания на них нанокристаллических алмазных пленок большой площади // 2471886

Изобретение относится к начальной стадии технологии осаждения алмазных пленок и может быть использовано для подготовки плоских подложек из различных материалов для дальнейшего осаждения на них однородных нанокристаллических алмазных пленок

Золь-гель способ формирования сегнетоэлектрической стронций -висмут-тантал-оксидной пленки // 2511636

Изобретение относится к технологии полупроводниковой микро- и наноэлектроники, а именно к золь-гель технологии получения сегнетоэлектрических тонких стронций-висмут-тантал-оксидных пленок на интегральных микросхемах, применяемых в частности в устройствах энергонезависимой памяти типа FRAM. Техническим результатом изобретения является обеспечение однородности изготавливаемой сегнетоэлектрической пленки, упрощение контроля над процессом приготовления золя и увеличение срока хранения исходного золя, снижение энергоемкости процесса и снижение его стоимости. В золь-гель способе формирования сегнетоэлектрической стронций-висмут-тантал-оксидной пленки готовят исходные растворы хлорида стронция, хлорида висмута и хлорида тантала. Каждый полученный раствор подвергают ультразвуковой обработке в течение 20-40 минут, выдерживают в течение суток при комнатной температуре и фильтруют. Смешивают растворы в один и выдерживают его в течение суток при комнатной температуре. Образуется пленкообразующий раствор, который наносят на подложку, сушат подложку с нанесенным пленкообразующим раствором при температуре 50-450°С и отжигают пленку в присутствии кислорода при температуре 700-800°С в течение 1-2 часов. В результате получают сегнетоэлектрическую стронций-висмут-тантал оксидную пленку. 5 ил.