Способ измерения объемного соотношения компонентов двухслойного стеклопластика

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 03.1Х.1970 (№ 1476704/26-9) с присоединением зая в ки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 25.V11.1973. Бюллетень № 31

Дата опубликования описания 10.XII.1973

М. Кл. G 01г 27/28

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

УДК 621.317.С19 (088.8) Авторы изобретения

А. С. Бернштейн, Н. Н. Каримов и Х. К. Шаков

Московский станкоинструментальный институт

Заявитель

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ОБЪЕМНОГО СООТНОШЕНИЯ

КОМПОН EHTOB ДВУХСЛОЙНОГО СТЕКЛОПЛАСТИКА

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для разработки системы автоматического регулирования соотношения наполнитель — связующее.

Известный способ измерения обьемного соотношения компонентов двухслойного стеклопластика, основанный на измерении распределения поля в линии передачи с образцом диэлектрика, характеризуется большим временем процесса измерения.

Цель изобретения — ускорение процесса измерений.

Для этого к измерительной линии подключают короткозамкнутый отрезок волновода и фиксируют частоты, при которых один из узлов поля в измерительной линии совпадает по своему положению при отсутствии стеклопластика в упомянутом отрезке и при введенной в отрезок ленте стеклопластика, нити которой ориентированы по отношению к вектору электрического поля параллельно в одном случае и перпендикулярно в другом. Объемное соотношение компонентов стеклопластика вычисляют как соотношение: где ао — частота генератора до внесения ленты стеклопластика; ь — частота генератора при параллельной ориснтации нитей ленты стеклопластика относительно вектора электрического поля; а2 — частота генератора при перпендикулярной ориентации нитей ленты стеклопластика относительно вектора электрического поля.

10 На чертеже представлена блок-схема, поясняющая сущность предлагаемого способа.

На схеме приняты следующие обозначения: генератор 1 с управляемой частотой; дстектор 2; короткозамкнутый волновод 8 со щелью; блок 4, управляющий частотой генератора 1; частотомер 5.

При измерении подбирают частоту генератора такой, чтобы в месте подключения детектора 2 к волноводу 8 находился узел на20 пряжения стоячей волны. После этого в щель волновода вводят исследуемую стеклоленту, нити которой располагаются параллельно вектору электрического поля в волноводе. Наличие в поле волновода диэлектрика вызыва25 ет смещение узлов и пучностей стоячей волны. Вследствие этого блок 4 (на вход которого поступает выходное напряжение детектора

2) вырабатывает сигнал, изменяющий частоту генератора 1 до тех пор, пока сместив30 шийся узел напряжения не вернется к точке

391498 ка, основанный на измерении распределения поля в линии передачи с образцом диэлектрика, отличающийся тем, что, с цель1о ускорения процесса измерений, к измерительной линии подключают короткозамкнутый отрезок волновода и фиксируют частоты, при которых один из узлов поля в измерительной линии совпадает по своему положению при отсутствии стеклопластика в упомянутом отрезке и

10 при введенной в отрезок ленте стеклопласти<а, нити которой ориентированы по отношению к вектору электрического поля параллельно в одном случае и перпендикулярно в другом.

15 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что вычисляют объемное соотношение компоненты стеклопластика, например, как соотношение:

" о — — 1 1 уст("ст 1) + 1см(=см 1) ) — 1

Тст/сст + тсм/=-см

25

Предмет изобретения

1. Способ измерения объемного соотпоше- 30 ния компонентов двухслойного стеклопластиСоставитель Л. Слащинина

Техред А. Камышникова

Корректор Н, Аук

Редактор А. Батыгин

Заказ 3252/11 Из,д. ¹ 840 Тираж 755 Подписное

Ц11ИИПИ Государственного комитета Совета Министров С ССР по делам изобретений и открытий

Москва, ОК-35, Раушская наб., д. 4/5

Гипография, пр. Сапунова, 2 подключения детектора 2 к волноводу 3. Затем исследуемый материал вводят в щель волновода, чтобы нити стеклоленты располагались перпендикулярно вектору электрического поля.

При последней ориентации стеклолснты относительно вектора электрического поля происходит еще одно изменение частоты питающего генератора 1. По частотомеру 5 измеряют все три значения частот (cop, озь а>з) генератора, при которых в точке подключения детектора 2 к волноводу 8 устанавливается узел напряжения.

Объемное отношение компонентов исследуемого материала определяют по формуле: где в„п е,,„— диэлектрические проницаемости стекла и смолы; ус, и у„, †объемн доли компонент, причем уст+усм=1. где <ов — частота генератора до внесения ленты стеклопластика; о — частота генератора при параллельной ориентации нитей ленты стеклопластика относительно вектора электрического поля; оз2 — частота генератора при перпендикулярной ориентации нитей ленты стеклопластика относительно вектора электрического поля.