Способ электролитического осаждения сплава на основе индия

 

О П И С А Н И Е 396432

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства ¹ 1. Кл. С 23Ь 5 32

Заявлено 05.V.1971 (Л" 1654257, 22-1) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 29Х111.1973. Бюллетень № 36

Дата опубликования описания 22 1.1974

1асударственный камитет

Саввта Министрав СССР аа делам изабретений и аткрытий

УДК 621.357.7:669.747 872 (088.8) Лвторы изобретения

М. А. Шлугер и Е. Г. Чмыхало

Московский вечерний металлургический институт

Заявитель

СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ

СПЛАВА НА ОСНОВЕ ИНДИЯ

Изобретение относится х области гальванических покрытий, в частности к электролитическому осажденшо сплава на основе индия.

Известен электролитический способ осаждения сплава на основе индия из электролита, содержащего соль индия.

Предлагаемый способ отличается тем, что с целью получения качественных осадков сплава индий — марганец в электролит вводят сернокислые соли марганца, аммония, трплоп Б .при следующем соотношении компоненто,в, г/л:

Сернокислый индий (в пересчете на металл) 2 — 15

Сернокислый марганец 16 — 140

Трилон Б 50 — 80

Сернокислый аммоний 100 †1 и процесс ведут при рН 3,5 — 6, температуре

18 — 25 С, плотности тока 0,5 — 3 а/дм .

Изменяя соотношение компонентов электролита и плотность тока, получают сплав с содержанием от 25 до 63% марганца при выходе по току более 60"-/О. С уменьшением соотношения индия к марганцу,в электролите увеличивается процент содержания марганца в сплаве.

Пример 1. Из электролита, .содержащего, г/л:

Сернокислый индий (в пересчете на металл) 7,5

Сернокислый марганец 16

Сернокислый аммоний 100

Трилон Б 50 при pII 3,5 — 6, комнатной температуре и плотности тока 1 а, дм - получают сплав с содер5 жаниехг 39 /о марганца.

Пример 2. Из электролита, содержащ го, г/л:

Сернокислый индий (в пересчете на металл) 7,5

10 Сернокислый марганец 110

Сернокислый аммопий 100

Трилон Б 60 при рН 3,5 — 6, комнатной температуре и плот. ности тока 1 а. дм получают сплав с содер15 жанием 60% марганца гг 40О/о индия.

Предмет изобретения

Способ электролптпческого осаждения сплава на основе индия пз электролита, содержа20 щего соль индия, от гпчпгоцпйся тем, что, с целью получения качсственпых осадков сплава индии — марганец, в электролит вводят сернокислые соли марганца, аммония, трилон Б, при следующем соотношении компонен25 тов, г/л:

Сернокислый индий (в пересчете на металл) 2 — 15

Серпокпслый марганец 16 — 140

Трилон Б 50 — 80

30 Сернокислый аммоний 100 †1 и процесс ведут при рН 3;5 — 6,- температуре

18 — 25 С, плотности тока 0,5 — 3 а, дм - .