Тб

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

398ÎÎ1

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 13.Х.1971 (№ 1703291/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 17.!Х.1973, Бюллетень ¹ 37

Дата опубликования описания 4.1.1974

М. Кл. Н 03k 7/02

Государственный комитет

Совета Министров СССР на делам иэааретений и открытий

УДК 621.373.43 (088.8) j= . : т

Авторы изобретения

E. Б. Алексеев и М. А. Ананян

Московский ордена Ленина энергетический институт

Заявитель

ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ

Изобретение относится к импульсной технике, может быть использовано при создании быстродействующих счетных, кодирующих и декодирующих устройств.

Известен формирователь импульсов, содержащий входной транзистор, к коллектору которого подключены две RC-цепи и выходной транзистор со включенным в его эмиттерную цепь диодом с накоплением заряда, причем база выходного транзистора через одну из RC-цепей подключена к коллектору входного транзистора.

Цель изобретения — повышение быстродействия устройства. Предлагаемый формирователь импульсов отличается тем, что в него введен дополнительный транзистор со включен ной в его эмиттер катушкой индуктивности; при этом база дополнительного транзистора через другую RC-цепь подключена к коллектору входного транзистора, а общая точка эмиттера и катушки индуктивности соединена через резистор с общей точкой эмиттера выходного транзистора и катода диода с накоп лением заряда, На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого формирователя импульсов; на фиг. 2 и 3 — диаграммы напряжений в различных точках схемы.

К коллектору входного транзистора 1 подключены две RC-цепочки. Первая RC-цепочка состоит из конденсаторов 2, 8 и резистора 4, вторая — из конденсаторов 5, 6 и резистора

7. В цепь эмиттера выходного транзистора 8 включен диод 9 с накоплением заряда. База транзистора 8 через первую RC-цепочку подключена к коллектору транзистора 1. В цепь эмиттера дополнительного транзистора 10 включена катушка индуктивностп 11. База транзистора 10 через вторую RC-цепочку под,ключена к коллектору транзистора 1. Точка соединенпя эмиттера транзистора 10 и катушки 11 соединена через резистор 12 с общей точкой эмиттера транзистора 8 и катода диода

9 с накоплением заряда.

Схема содержит также диод 18 и регистры

14 — 18.

В исходном состоянии транзисторы 1, 8 и

10 закрыты. Через диод 9 с накоплением заряда протекает ток от,источника отрицательного постоянного смещения (от клеммы 19), проходящий через катушку 11 и резистор 12.

С приходом импульса отрицательной полявности или отрицательной полуволны синусоидального сигнала транзистор 1 резко открываетея и в нем происходят предварительное усиление и формирование сигнала. Положительный перепад, возникающий на коллекторе транзистора 1, через обе RC-цепочки поступает на базу транзистора 10, который является токовым переключателем, и на базу

398007 транзистора 8. Транзисторы открываются, и на выходе 20 появляется импульс (фиг. 2, в). При открывании транзистора 10 диод 9 шунтируется его малым сопротивлением. Эффективность такого шунтирования (переключения) тем больше, чем больше соотношение сопротивления резистора 12 в цепи диода 9 и сопротивления насыщенного транзистора 10.

Таким образом выключается прямой ток, протекающий через диод 9. Катушка 11, пре,пятствуя резкому нарастанию тока, протекающего через транзистор 10, защищает его от перегрузок.

При открывании транзистора 8 через диод

9 начинает протекать обратный ток, обеспечивающий раосасывание .заряда в базе и резкое восстановление обратного сопротивления диода. . Время- включения („, транзистора 8, определяющее фронт сигнала на выходе 20, соизмеримо с длительностью, фазы 1, высокой обратной проводимости диода 9 на высоких частотах и может быть равным t., при изменении сопротивления резистора 12.

Минимально возможная длительность сигнала на выходе 20 (1У»»ин вкл +»2»1+»2, где t2 — время, резкого восстановления диода 9.

Благодаря возможности регулирования фазы l путем изменения прямого тока, протекающего через диод 9, предлагаемый формирователь не требует подбора элементов при сборке, а также может формировать импульсы в широком диапазоне частот входного сигнала.

Шунтирование транзистора 1 по перходу эмиттер — база обратно включенным диодом

18 обеспечивает закорачивание положительной .полуволны синусоидального сигнала, что предохраняет этот»переход от пробоя.

Насыщенный режим работы транзистора 1, неооходимый для лучшего предварительного формирования импульсов из синусоидального сигнала, приводит .к тому, что на достаточно высоких частотах скважность импульсов на его коллекторе может стать меньше двух (фи.г, 2 б).

Для улучшения работоспособности формирователя на высоких частотах транзистор 1 типа р-и-р следует заменить транзистором типа и-р-и. Диаграмма напряжений для этого случая приведена на фиг. 3.

Кривая а на фиг. 2 и 8 показывает напряжение на входе 21 формирователя, кривая б— напряжение на,коллекторе транзистора 1, кривая в — напряжение на выходе 20.

Предмет изобретения

Формирователь импульсов, содержащий входной транзистор, к коллектору которого

25 подключены две RC-цепи, и выходной транзистор со включенным в его эмиттерную цепь диодом с накоплением заряда, причем база выходного транзистора через одну из RC-це,пей подключена к коллектору входного транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, в него введен дополнительный транзистор со,включенной в его эмиттер катушкой индуктивности, при этом база дополнительного транзистора через другую RC-цепь подключена к коллектору входного транзистора, а общая точка эмиттера и катушки индуктивности соединена через резистор с общей точкой эмиттера выходного транзистора и катода диода с накоплением заряда.

398007 иг

Составитель Ю. Еркин

Техред Т. Курилко

Корректор О. Тгорииа

Редактор Б. Федотов

Тип, Харьк. фил. пред. сПатент»

Заказ 743/2451 Изд. № 985 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5