Устройство для детектирования поверхностных волн
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик,аф+ф, Зависимое от авт. свидетельства. №
Заявлено 26.Х1.1971 (№ 1718107/18-10) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 27.1Х.1973. Бюллетень ¹ 38
Дата опубликования описания 5.II.1974
М. Кл. В 06b 1/06
H 01/ 15 00
Гасударственный комитет
Совета Министрав СССР па делам изобретений и открытий
УДК 534.232(088.8) Авто рь1 изобретения
Заявитель
1О. В. Гуляев, А, M. Кмита и А. В. Медведь
Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники АН СССР
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ
ПОВЕРХНОСТНЫХ ВОЛН
Известны устройства для детектирования волн в пьсзодиэлектрических пластинах, недостатком которых является высокий уровень ложных сигналов из-за объемных и отраженных поверхностных волн.
Для устранения ложных сигналов предлагаемое устройство содержит емкостной зонд, размещенный на нижней грани образца, и полупроводниковую пластину с омическим контактом, соединенную диэлектрическими полозьями с верхней гранью пьезодиэлектрического образца, являющейся плоскостью ipacпространения поверхностной волны.
На чертеже показана схема описываемого устройства, состоящего из металлической полоски 1 {емкостной 30нд), расположенной на ни)кнсй грани пьезодиэлектрического образца
2, и полуHpot3o÷íèêîâoé пластины 3, примыкающей через создаваемый диэлектрическими полозьями 4 малый (не превышающий одной десятой длины акустической поверхностной волны) воздушный зазор к верхней грани пьезоднэлектрпческого образца 2, вдоль которой,распространяется поверхностная ультразвуковая волна. На верхней грани полупроводниковой пластины имеется омический контакт 5. Пр!!Нцип действия устройства основан на поперечном акустоэлектрическом эффекте на поверхностных ультразвуковых волнах в слоистых структурах пьезодиэлсктрик — полупроводник. Пакет поверхностных акустических волн распространяется 110 !3ерхпсй грани пьезодиэлектрцческого образца 2. Проходя
5 под полупроводниковой пластиной 3, поверхностная волна вызывает своими электрическими полями, которые проникают в прпповерхностный слой полупроводника, круговые электрические токи в прпповерхностном слое
10 последнего, появляется разность потенциалов меи<ду поверхностью полупроводника, примыкающей к пьезодиэлектрнческом1 061зазц 2, и глубинными слоями полупроводника, в частности. омическим контактом 5. Возникший
15 импульс напряжения, амплитуда которого пропорциональна интенсивности акустической ,волны. снимается чер 3 емкость. образованную емкостным зондом (четллл!!ческо!! п 10c-! ОЙ 1) It нижней Г1заныо НОЛ1 п130вддниковой
20 пластины 3. и является продстект!!ро!3!!Пн! !а! сигналом поверхностной уз!ьтрлз!зуко!30!! полHы. ПОля pHОС ь ЭTОГО II ìïìë üñ 1 за)31!С!IT ОT типа пр,зводпмости полуп130водниково1! пластины 3.
Паразитные ooьемныс ультразвуковые во ны в этом случле пе гызывлют разности потенциалов между повер Гностью полупроводнпl а и еГО Гл Оинныз1 !! слОями, ИОэтОму лож30 Hblx сигналов не ооразуется.
398200
Предмет изобретения
Составитель Г. Терехова Техред Е. Борисова
Корректор H. Стельмах
Редактор С, Хейфиц
Заказ 33!5712 Изд. № 1972 Тираж 551 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова. 2
Устройство для детектирования поверхностных волн в пьезодиэлекпрических пластинах, отлича1ощееся тем, что, с целью устранения ложных сигналов, оно содержит емкостной зонд, размещенный на нижней грани об разца, и полупроводниковую пластину с омическим контактом, соединенную диэлектрическими полозьями с верхней гранью пьезодиэлектрического образца, являющейся плоскостью распространения поверхностной волны.
