Полупроводниковый модулятор

 

О П И С А H И Е З О4О

Со)оа Советс)<их

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕН g g

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое QT авт. свидетельства №

3 а я вл с но 21 Л 7Л 972 (№ 1775661/26-9 ) 1 )xx. H 03с 1/14

Н01р И6 с присосдипе !!см заявки № ——

Государственный комитет

Совета Министров СССР ве делам изобретеннй и открытий

Приоритет-4 ДК 621 3713 223 (088 8) Опубликовано 27ЛХ.1973. Бюллетень ¹ 38

Дата опубликования оии.ания 27.111. !974

Авторы изооретения

H. Е. Скворцова, Б. Г. Степанов и В. В. Круглов

Институт радиотехники и электроники AH СССР !

ЗЯ и 13ИТСЛЬ

ПОЛУПРОВОДИ И КОВЫЙ МОДУЛЯТОР

Изобретение отиос! тс5 к обля;1!i р )д:;атс .ники п ма3кет быть испальзавяHo а цепях pE! iпрострапеиия электромагнитных си" íàëîâ.

1 1звсcTc 1 пoлупpоводниi(oВьlи: Iод<л)51тор

СВЧ-мощности, содерекащий полупроводниковый элемент, вк,иоченпый в л;-!ни!о переда чи, элcмснты Ilястройl(n Е1 источH!11(:пряВля— ощего напряжения.

Нсдостя! !(Ом изВсст!ИГО;)ад3л5! dopa яв 3510 1 c5I узкий диня.,lически1! дпяпязон моду.!Ир3 см ы х м Ощно ст8Й»

С целью расширения динамического диапазона моду:н;русмых мощностей в прсдлягàcмом модуляторе полупроводниковый элемент выполнен в в!!дс бруска из однородного материала с нанесенными EIB его торцы асимметричными аи Гизапорными контакта;! п.

11а чертеже показана схема п.3сдлагасмого полупроводникового модулятора.

Модулятор содержит полупроводниковый элемент 1, выполненный в виде бру.«а из однородного материала с нанесеии 13!и ня его торцы асиммстрпчнымп аптизяпориыми (On— та;<тами 2 и 3, помещенный в лин!По псрсдя:и

4 . элементами настройки 5, и и;точгп!к 6 управляющего напря3кения.

Поступающая в лингпо передач:i 4 электромагнитная волна в отсутствие управляющего напряжения полностью поглощается в полупроводниковом элементе 1; отраженная элекТР031!1 Гп:)т!1Я!l 30 . !1 В 1 и 1! i!! I пеPOJ и ч 4 Отс3 Т03вует. ° 1олиое исгг)ощсние Ласти яется согласовянnc31 л;;:и. : передачи 4 с имиедансом поГ!упровад!!)!. 0=:o."0 элемента с помощью элемс! foa па(тро !ки 5. ЭГ!ектричес,(ое поле, соз«яваемoc n;Tonal!!(031 6 управляющего иапря3кения, из3)е!15!ОГ полиос са)1рати!33!с)и*.с полупроводникового э»емента, что пр: вод .!т к нарушению COT:!Hcî)3HEnln; в линии персдячи 4

1 0;!ОЯВ. 15lстс51 6 Г13ажснняЯ элс! "ГРОЗ! )гиит!! ЯЯ ВО;1!! я.

В ря : !30лупроиодиикoa, напр:13 ср в apcc-!

ni,û Гn,1,) li!1, В с):. Iь)lых Э.1ектри -Iссi(!!х пол51х

«Озникаст о: рип:: Гсльняя д! фференциалыи!5! праводимо т;, ч l o приводит l(сорязо33яишо

,вnn(. щ:i. (051 д03;еп013 си.зьнОГО По,":я 1! iOOÒaa1 стl ailno ко.)са!!Hiili тоня ВО !3).еn !!c:i эл 1(Tp!1 !есной nclln (эфф l(T Гnnnn)

Изменен.: с полной провод:.!мос Гil иолупро)!) ВадникОВОГО э;Iсз!еl!тя l!cnOльз сГСН для мад3— ,!5IUiln СВЧ- )iOIIEHOCTH. Однако, i(0:ICáa!IH51 TOка создают дополнительные шумы в у тройстве, которые ограничивают ()шзу 3;.Hÿìn÷ccê I!i . 3иапазан >.:ОДУлЯ Г013Я.

5 РЯСШ)1!)СПИЕ Дпн!1МИЧССКОГО Дilяиазон<1 Полупроводии;<ового модулятора обусловлено тем, что при наличии асимметричных (разных по площади) контактов движущиеся домены

В полупроводниковом элементе не возникают, э) поскольку первоначально неоднорсдное рас399040

Предмет изооретснпя!

Сост»витсль Л. Слащвнина схрсц T. Усков»

Р. иктор Т. !>зорозова

1(оррсктор Н. Стельмах

Заказ 7054 Изц. X !954 Тир»5>; 75!Г> 1!и:>виси»"

Ц1!ИИ111! осуцарствси гого комптсз ы <.ои та Министров СССР ио целым из.>5>рстсипй и откр>,>ти!!

Москвы, гК-35, аугнскыв и»о., ц. 4, 5 с)5>л. тиио,рафик Костромского уиравлсния из>Гатсльств, иолигр l(j>I>ll и кии>киой >ор,>вин пределеш5е электрического поля в элементе, вызванное асимметрией контактов, приводит к тому, что в определенном интервале напряжений, приложенных к элементу, в части элемента электрическое поле достагочно для образования домена, а в оставшейся части недостаточно для движения возникшего домена.

Интервал напряжений, в котором движущиеся домены не возникают, определяется степенью асимметрии контактов и отношением характерного размера меньшего по площади контакта, например его диаметра к толщине полупроводникового элемента.

Полупроводниковый модулятор СВЧ-мощности, содержащий полупроводниковый элемент, включенный в линию передачи, элементы настройки и источник управляющего напряжения, отличаюа!айся тем, чго, с целью расширения динамического диапазона модулируемых мощностей, полупроводниковый элемент выполнен в виде бруска из однородного материала с нанесенными на его торцы асимметричными антизапорными контактами.