Патент ссср 399050
О П И С А Н«И Е
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
» >, .Л .Кл. И 931I 3 28! !
Завис»мое ol BHT. свидетельства J¹l
Заявл >»о 12Л 11.19. 1 (- 1674287/.6-9)
t с 11р> 1со. д:lite;-iitf. » заявки
Гесудерственнь1й комитет
Сееета Министрее СССР
ItO дел:-.:и нзебретений
И III« -н>тИИ
I 1>tэиnр» т; : ! i. 1К 621 - 73. (v88.8)
0it >, бл . : ов<ч»:, 27.1, .. 97.":. Б1, х-;,- ст(;1»,<<. > з -i I ": о:» б 1»к „;:><»;!>;"; а»»<:, 29 11 j
/ ;>то >ь< .! .. .> <
Г. И. Зайдмаи, С. А.. айгмаи и 19. В. михалкин
Орденов Октябрьской революции и Трудового Красного Знамени
Томский политехнический институт пм. С. М. Кирова
33.I! I1>:1Тt, 1>
МУЛ ЬТИ В И БРАТОР
Предмет изобретения
Изобретение относится к импульсной техн1— ке и может быть использовано „качестве форм:1рователя прямоугольных импульсов.
Иззестен мультивибратор с коллекторно-базовыми емкостными связями на транзистора: типа р-п-р.
Однако известный мультивпбратор обладает низким коэффициентом полезного действия it малой скважностью генерируемых импульсов.
С целью повышения с1сважности генерируемых импульсов и увеличения коэффициента полезного действия в предлагаемый мультивибратор введены дополнитель1тые транзисторы типа п-р-п, коллекторы которых подкл1очсны соответственно к коллекторам основных транзисторов мультпвибратора, а эмиттеры— к отрицательному полюсу источника питания.
lIpII Ipi>I 633bl этих дополнительных транзисторов через параллельно соединенные конденсатор и .резистор подключены к коллекторам основного и дополнительного транзисторов противоположных плеч мультивибратора.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого мультивибратора.
Коллектор тра>нзистора 1 типа р-и-р подсоединен к коллектору дополнительного тра<нзистара 2 типа п-р-п. Коллектор транзистора 3 типа р-п-р,подсоединен к коллектору дополнительного тра>нзистора 4 типа и-р-и. Эмиттеры транзист, ров 2 и 4 подключены к отрицатель»ому полюсу источника питания — -Е . База транзистора 2 через параллельно соединенные кс<иденсатор 5 и резистор 6 подсоединена к коллекторам тра»зисторов 8 и 4. База транз .тора 4 через параллельно соединенные конденсатор 7 » резистор 8 подсоединсна к коллекторам транзисторов 1 и 2.
Если после включения источника питания то транзистор 1 открыт, а транзистор 8 закрыт, то база транзистора 2 обесточена, а следовательно, ои закрыт. База транзистора 4 через конденсатор Т » резистор 8 оказывается подсоединенной к Ilo.÷oæèòåët>ttîìó полюсу +Е <
1:-> .tñòî В начале следующего периода транзистор 1 закрывается, а транзистор 8 открывается. Ба3;1 транзистора 2 через конденсатор 5 <и рези20 стор 6 оказывается подсоединенной K положительному полюсу +Е источника питания. Протекающий базовый ток вводит транзистор 2 в режим насыщения. Одновременно базовая цепь транзистора 4 обесточивается, что 25 приводит к закрыванию транзистора 4. Мультивибратор с коллекторно-базовыми емкостнымп связями на транзисторах типа 399050 E„ Состав»ге»ь Ю. Еркин Тех(«ед T. Ускова 1«едакто!«А. Морозова Кг«!«!«нкао(«Л. 0(«,:гоп 3 »к ««з 7079 1 lзд. М (948 Тираж 780 (1((1(1(((И Государственно«о кочи гет;«Совета Мин:«сг!«о««ССС! llo деда«и ««зоб!«етеш«(«и открытий Мооква, Ж-35, Раугнскан наб., д. 4/5 (То;(«н«снов 061. I iii. пестро««с«тг«го v««(«««i«, IQ!IHR ii «iii«« i 15« I i«. !!0, iilt (««ф» « il к. «,«ж««ой i oi)l «нгнi р-п-р, отличающийся тем, что, с целью повы(пения скважности ге нерируе«мых импульсов и увеличения коэффициента полезного действия мультивибратора,.в него в!ведены дополнительные транзисторы типа п-р-п, коллекторы которых подключены соответственно к коллекторам основных транзисторов мультивибратора, а эмиттеры — к отрицательному полюсу исто шика питания, причем базы этих дополнительных транзисторов через параллельно соедпнсIIные конденсатор и резистор подключе5 ы к коллекторам основн ого и дополнительного транзисторов противоположных плеч мультивибратора.
