Патент ссср 401042

 

О П И С А Н И Е 40I042

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Х ПАТЕНТУ

Зависимый от патента М—

М,Кг!. С 01Ь 31. 36

В 01) 17,"28

Заявлено 19.Ч.1971 (Ме 1661466/23-26) Государстве!!ный комите

Совета )иинистров ССП

tto делам изобретений и открытий

Приоритет ()5Л 1.1970, N. 8424/70, 111в !!ня1!и>-!

Онублнков-tttn 01.Х.1973. Б!Ог)лс тень М 40 УДК 546.28:261.(088.8)

Дата опубликования описания 8Л.1974

Авторы изобретения

Иностранцы

Эдуард Тальманн и Бруно Вельти (Швей)цария)

Иностранная фирма

«Ловца АГ» (Швейцария) Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИГЛОВИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ

КАРБИДА КРЕМНИЯ

IIpедмет изобpeтсния

Известен способ получения игл0ьчläíüti itонокристяллов карбида кремния выращиванием их на подложке из парогазовой смеси, котору)о получают пропусканием газа, содержащего водород и галогсн, над нагретым совместно до

1100 — 1600 C кремнием и углем.

Однако по известному способу необходимо использовать кремний высокой степени чистить!.

Цель изобретения — обеспечение возможI toe TH использования технического крем пня.

Для этого газ, содержащий водород и га.и>ген, пропускают последовательно сначала няд кремнием, взятым в виде порошка, затем над углем, после чего его подают на подложку, температура которой ниже температуры кремния. Кроме того, используют в процессе технический кремний, например, с чистотой 98 — 9!) вес. /о. Предпочтительно использовать кремний в виде порошка с размером частиц

1 — 20 л!к. Применяемый газ содержит предпочтительно 1,5 — 9 ат. /О галогена. В качестве галогена используют хлор. Наряду с vëoðoit можно также использовать бром или фтор.

Газ пропускают со скоростью 10 — 20 с.!!/.!!ин.

Пример 1. В реакционную трубку из плотно спеченной окиси алюминия вводят 4,5 г углерода и 8 г порошксобразного кремния технического качества так, что по направлению пропускания газа, кремний находится непос2 редственно пере.l углеродом. Зятем через peакциош!у)о труоу ронускают реакционный яз, который состоит из 72 )О Не, 20 Хе и 8", С1е, B To вре>!я !

«Приблизителы!о но истечении 8 час реакция окончена. Реактор охлаждают и открывают, В результате получают t:t ëoâèäíые монокристаллы карбида кремния диаметром от 3 до 5.ttt u длиной в несколько миллиметров.

)0 Пример 2. Опыт проводят аналогично примеру 1. Состав газа 840/!, Ilе, 120/О Хе и

4 /ц Fg. Температура реакции 1100 С. В результате получают игловндные монокристяллы карбида кремния диаметром 5 — 10 .ик н дгцшой в

l5 несколько миллиметров или сантиметров.

20 1. Спосоо по ti чения ttt ловидиых моно! рнсталлов кароидя кремния выращиванием их ня подложке из парогазовой смеси, получаемой пропусканием газа, содержащего водород и галоген, над нагретым до 1100 — 1600 С крем25 нием и углем, от.шча!Ощайсч тем, что, с целью обеспечения возможности использования технического кремния, газ, содержащий водород и галоген, пропускают последовательно сначала над кремнием, взятым в виде порошка, затем

30 над углем, после чего его подают íя подложку, 401042

Составитель В. Безбородова

Техред 3. Тараненко

Корректор Е. Зимина

Редактор Ю. Агапова

Заказ 7552 Изд. М 2024 Тирагк 523 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Л!инггстров СССР по делам изобретений и открытий

Л!осипа, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Загорская типография

3 температура которой ниже температуры кремНЕ!Я.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для выращивания используют кремний чистотой 98 — 99 вес. %.

3. Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что для выращивания используют порошок кремния с размером частиц 1 — 20 дгк.

-1. Способ»о пп. 1 — 3, от.ггнгающийс.г тем, что в газе, содержащем водород и галоген, последний составляет 1,5 — 9 ат. %.

5. Способ по пп. 1 — 4, от.гичающийся тем, что в качестве галогена используют хлор.

6. Способ по пп. 1 — 5, отличающийся тем, что газ, содержащий водород и галоген, пропускают со скоростью 10 — 20 с.ьг/дгин,

Патент ссср 401042 Патент ссср 401042 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения

Патент ссср 401042

Наверх