Патент ссср 401938

 

О П И--С:-А.Н И Е 401938

ИЗОБРЕТЕН ЙЯ

Союз СоветскиМ

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

М. Кл. б-01г 31/26 ..

Н Oll 7/00

Заявлено 26Л 11.1971 (№ 1683926/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий

Приоритет

УДК 621.317.799(088.8)

537.311.3 (088.8) Опубликовано 12.Х.1973. Бюллетень № 41

Дата опубликования описания 18.П.1974

Авторы изобретения

В. А. Пономарев и В. А. Шпирт

Заявитель

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ОГРАНИЧИТЕЛЪНОГО

СВЧ-ДИОДА

Изобретение относится к способам контроля электрических параметров полупроводниковых приборов в процессе их изготовления.

Известны способы контроля порога ограничения ограничительных СВЧ-диодов на полупроводниковых эпитаксиальных структурах, при которых контроль проводится на завершающей стадии изготовления этих диодов. В результате отбраковываются готовые СВЧ-диоды, на изготовление которых затрачены средства.

Цель изобретения — разработка способа, позволяющего проводить контроль ограничительных СВЧ-диодов по порогу ограничения на ранней стадии их изготовления на низкой частоте и тем самым избежать проведения дорогостоящих технологических операций.

Цель изобретения достигается за счет того, что, согласно предложенному способу, на части эпитаксиальной пленки типа р+пп+, предназначенной для изготовления ограничительных СВЧ-диодов, со стороны двух эпитаксиальных пленок, нанесенных на подложку, вытравливают меза-структуры на глубину, большую суммарной толщины эпитаксиальных пленок, но меньшую толщины пластины, получают омический контакт на обратной стороне пластины и измеряют вольт-фарадные характеристики р — n-перехода при нулевом смещении Со ч прямом смещении Сс напряжения, величина которого определяется экспериментально для типа испытуемого диода. Качество диода определяется отношением, допустимая вес

СО личина которого определяется также экспериментально.

Способ реализуется следующим образом.

От пластины с эпитаксиальной структурой

1о типа р-пп отрезают сегмент высотой примерно 3 — 5 мм, на котором изготавливают мезаструктуры. Для этого со стороны пленки р+типа наносят несколько капель защитного кислотостойкого лака, например ХСЛ, структуру

15 травят в растворе HF:НХОз..СНзСООН=2:9:5 на глубину, несколько превышающую толщину двух эпитаксиальных слоев. Полученные меза-структуры защищают сплошным слоем защитного лака, подложку подшлифовывают

20 и затем химически никелируют в стандартном растворе.

Защитные слои лака растворяют в толуоле и измеряют прямую вольт-фарадную характеристику меза-структуры на мостовом измери2s тельном приборе в двух характерных точках: при нуле (C0) и при выбранном значении прямого смещения (C ). Оптимальная величина напряжения смещения определяется экспериментально для данного типа СВЧ-ограничи3О тельного диода с целью получения максималь401938

Составитель М. Л е пеш кина

Техред T. Миронова

Редактор Т. Орловская

Корректоры: А. Дзесова и 3. Тарасова

Заказ 265!15 Изд. У. 127 Тираж 755 Подписное

ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и огкрытий

Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ного отличия значении для диодов с разс„

С0 личными порогами ограничения. Например, для ограничительных СВЧ-диодов, имеющих диаметр р — и-перехода 80 мкм, U равно 0,45 в.

При этом величина соотношения опредес„

СО ляет пригодность эпитаксиальной структуры для изготовления ограничительного диода, так как непосредственно связана с величиной порога ограничения.

Таким образом создается возможность до изготовления прибора вести разбраковку пленок по одному из основных параметров ограничительного диода — порогу ограничения.

При использовании мостового измерителя емкости более качественным по порогу ограничения эпитаксиальным структурам соответствует большее соотношение, ее минимальная с

СО допустимая величина для данного типа диодов определяется экспериментально. Пряму1о вольт-фарадную характеристику р — и-перехода можно также измерять на установках с емкостно-омическим делителем, широко распространенных в полупроводниковой промышленности и предназначенных для снятия обратных вольт-амперных характеристик диодов. Однако при этом следует учитывать влияние, активной составляющей в общем импедапсе диодной структуры, которая не позволяет измерять истинных значений величин емкости, и это, в конечном счете, приводит к обратной зависис мости качества структуры от соотношения— с, 19 т. е. более качественным эпитаксиальным структурам соответствует меньшее соотношение Сс СО.

Предмет изобретения

15 Способ контроля параметров ограничительного СВЧ-диода, например порога ограничения, путем приложения к пластине эпитаксиальной структуры прямого смещения напряжения и последующего определения емкости, от2р личающийся тем, что, с целью обеспечения ко троля прибора на низкой частоте, предварительно на части пластины создают мезаструктуру, измеряют емкость p — и-перехода при нулевом смещении напряжения и при

25 выбранном, по отношению которых судят о пороге ограничения диода.