Патент ссср 402073

Авторы патента:

H01C17/232 - регулированием температурного коэффициента; доведение величины сопротивления регулированием температурного коэффициента

402073

ОПИСАН И-Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социвлистимеских

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Завиаимое от авт. свидетельства ¹

Ч. К.ч, Н Olc 17 00

Заявлено 14.F111.1970 (№ 1468031/26-9) с присоединением заявки _#_

Приоритет

Опубликовано 12.Х.1973, Бюллетень № 41

Дата опубликования описания 23.III.1974

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изаоретений и открытий

1 ДК 621.31/.8.621.396.6-181.5 (088.8) Лвторы изобретения

А. Н. Руднев, Ю. В. Третьяков и H. Л. Соколов

Заявитель

СПОСОБ ПОДГОНКИ ТОНКОПЛЕНОЧ llhlX РЕЗИСТОРОВ

В НОМИНАЛ

Изобретение относится к технологии производства радиоаппаратуры. Способ может быть использован при изготовлении пассивных элементов интегральных схем.

Известен способ подгонки тонкопленочных резисторов в номинал, основанный на удалении части резистивного материала под воздействием напряжения, приложенного к резистору и электроду, разделенным диэлектрическим, например воздушным, слоем.

Цель изобретения вЂ” повышение точности подгонки резисторов в номинал.

Предлагаемый способ отличается тем, что плоский электрод размещают параллельно поверхности резистора, а напряжение с системы «электрод вЂ” диэлектрик вЂ” резистор» снимают в момент возникновения в ней пробоя.

Способ поясняется чертежом.

Диэлектрический зазор между резистором и накладным электродом устанавливают микрометрической подачей накладного электрода (пробой в вакууме или газе). Накладной электрод, выполняющий функции электрода высокого напряжения электроэрозии, может иметь любую конфигурацию, соответствующую конфигурации резистора, но должен быть обязательно плоским, что обеспечивает статистический характер распределения эрозиопных кратеров по тонкопленочному резистору. Его размещают параллельно поверхности подгоняемого резистора.

Статистический характер распределения микровыступов на поверхности резистивной

5 пленки и местное усиление электрического поля па них при приложении к системе «накладной электрод вЂ” диэлектрик вЂ” резистор» напряжения дают возможность провести в этой системе большее число пробоев. Это

10 существенно улучшает временную и температурную стабильность юстированных резисторов, так как в результате юстировки резистивные дорожки приобретают структуру с равномерно расположенными в ней отвер15 стиями вЂ” кратерами, ибо в момент пробоя вылетают в первую очередь слабые места в резистивной пленке.

Предлагаемый способ подгонки резисторов состоит в ограничении мощности, рассеивае20 мой в канале пробоя диэлектрического промежутка в момент взрыва микроострия вЂ” катода, расположенного на поверхности резистивной пленки вЂ” дорожки, что предотвращает перегор ание дорожки при большом

25 числе пробоев. Вс.чедствие малости размеров послепробойного кратера в резистивной пленке сопротивление тонкопленочного резистора незначительно увеличивается, что дает возможность выполнять подгонку с любой треЗ0 буемой точностью прп последовательном

4(32() 73

//аклдоу(та .улеепрФ

ГиЗ Очный прожарок иксапыр пРог ежул7ка

>ОРЗП(, Л70>(7

Лодлима ((,"О77аЛл) Сост(пп(гсг(ь Е. Ковалева

Текред Л. Грачева

Корректор Е. Зимина

Редактор Ь . Федотов

Заказ 0I8 8 Изд. ¹ 175 Тираж 780 Подписное (1НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К-З5, Раушская наб., д. 4 5

Т((погра((п(я, пр. Сапунова, 2 проведении пробоев одного за другим с их одновременным счетом и при выборе необходимой площади резистора. Ограничения мощности,)(ост(!Гают 0((51 TI(01(I нан(ря?кснпя В мО мспт l(1)0()05I с помощью Гс!(О!)1! (ора отсечки.

Д Л 51 ЭТО Г 0 13 к <гч С С 13 0 13 и С и l н (. . ГО 1 Ст О 1(l l l I(!1

1(а((Р5!?3(ОПИЯ ИСIIОЛ1>ЗУЮТ ГСНЕРa 0P 1(МI(УЛ1>СО(3 напряжения со схемой отсечки напряжения в момент пробоя. Диаметр кратера пробоя тонкопленочных систем «металл вЂ” диэлектрик вЂ” металл», зависящий от скорости подачи энергии в канал пробоя, лежит в диапазоне 0,5 вЂ” 10 3! при использовании схемы отсечки. При последовательном проведении необходимого числа пробоев с точностью до одного .(счет импульсов) и использовании генератора отсечки появляется возможность прецизионной подгонки тонкопленочных резисторов (с точностью до 0,001 о(о ) . Принципиальные схемы генераторов отсечки могут быть различными, но функциональное назначение их должно быть одно: ограничение мощности, выделившейся в канале пробоя, причем не принудительной ее регулировкой до начала пробоя, а протеканием самого процесса пробоя и параметрами разрядного канала, образующегося при пробое. В качестве источника напряжения; ожет быгь использован генератор импульсов равномерно нараc1ающего напряжения, совмещенный со схем О!! О! 00 (кн на!((ря ж 11115(и 3(0(>(01!т ВОзllикнОl3(. l i 1 I 5l l l f) 00051 . 1 (!кпм обр!1:30)1, предлагаемый с(н)соб подГО(!Кп ТОIIКОI("101(OЧIIЫХ РСЗПСТОРОВ ПОЗВОЛЯСТ производить практически неограниченное число пробоев на резистивпых дорожках ши10 риной до 50 и с минимально возможным для данного типа резистивной и диэлектрической пленок шагом подгонки.

Предмет изобретения

Способ подгонки тонкопленочных резисторов в номинал, основанный на удалении части резистивного материала под воздействием напряжения, приложенного к резисто20 ру и электроду, разделенным диэлектрическим, например воздушным, слоем, отлича>ои(ийся тем, что, с целью повышения точности подгонки, плоский электрод размещают параллельно поверхности резистора, а снятие

25 напряжения с системы «электрод вЂ” диэлектрик вЂ” резистор» производят в момент возникновения в ней пробоя.

Устройство для подгонки тонкопленочных прецизионных резисторов // 371621

Устройство для подгонки тонкопленочныхрезисторов // 341097

Устройство для подгонки величины сопротивления тонкопленочных резисторов // 338923

Патент 162878 // 162878

Узел крепления стекол к металлической оконной раме // 729331

Способ подгонки сопротивления проволочных резисторов // 907591

Способ изготовления резисторов // 1051591

Способ балансировки и температурной компенсации мостовых схем тонкопленочных тензорезисторных датчиков // 1373079

Способ изготовления проволочного измерительного резистора // 2504035

Способ изготовления резистора включает намотку резистивной проволоки на цилиндрический каркас двумя секциями различных типов проволоки, которые электрически соединяют металлическим хомутом. Место их соединения разделяет каркас в отношении, близком по предполагаемому отношению температурных коэффициентов сопротивления (ТКС) материалов проволоки секций, полученных по температурным характеристикам отжига. Осуществляют регулировку характеристики температурной зависимости сопротивления путем сматывания проволоки с каркаса. Выполняют термообработку резистора, добиваясь получения заданных ТКС резистивных секций различного знака, регулируя режим термообработки. Определяют отношение величин ТКС секций и поочередным сматыванием с них проволоки, используя промежуточные измерения сопротивлений секций, обеспечивают выполнение соотношений: R=R1+R2, где α1, α2 - ТКС секций; R1, R2, ρ1, ρ2 - их электрические и удельные сопротивления; n, m - количество витков первой и второй секций; R - полное электрическое сопротивление резистора, - таким образом, чтобы при сматывании сохранять установленную пропорцию витков секций, обеспечивая ТКС резистора равным нулю и доводя его полное сопротивление до номинального значения. Технический результат - достижение низкого абсолютного значения ТСК резистора и высокой точности доводки его сопротивления до номинального значения при упрощении способа изготовления резистора. 3 ил.