Моделирующая среда переменной структуры

 

0 П И С А Й И Е 405117

ЙЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСИОМУ СВИ„ЦЕТЕНЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 14.VI1.1972 (№ 1819769/18-24) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 22.Х.1973. Бюллетень № 44

Дата опубликования описания 4.IV.1974

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и атнрытий

Авторы изобретения

В, И. Панчишин, Б. Б. Нестеренко и М. М. Максимов

Заявитель

И нст

МОДЕЛИРУЮЩАЯ СРЕДА ПЕРЕМЕННОЙ СТРУКТУРЫ теплового излучения и терморезистивного слоя как управляемого моделирующего поля.

Иа чертеже представлен разрез структуры моделирующей средь и вид на структуру в

5 плане.

Моделирующая среда содержит транзисторный слой 1, созданный в едином технологическом цикле либо собранный из отдельных транзисторных элементов, электроизоляцион10 ную теплопроводную пленку 2, покрывающую р — п-переходы транзисторного слоя, и матрицу терморезисторов 3 — собственно моделиру|ощсе поле с выводами 4 в узловых точках.

Электроды 5 предусмотрены для подачи уп15 равляющнх напряжений на базы транзисторов. Электроды 6 выводов коллекторов и электроды 7 выводов эмиттеров транзисторов служат для подачи питающих напряжений.

20 Управляющие напряжения, поступающие на базы транзисторов через электроды 5, открывают транзисторы. В зависимости от напряжения н тока коллектора, диапазон изменения котсрого определяется диапазоном изменений

25 управляющего напряжения, изменяется температура р — n-переходов транзисторов от величины 7 о,!o Т. Изменение температуры через теплопроводный слой воздействует на элемен ы матрицы терморезисторов, вызывая соот30 ветствующее изменение их сопротивлений.

Изобретение относится к устройствам аналоговой н аналого-цифровой вычислительной техники, используемым для решения методами моделирования уравнений математической физики.

Известны устройства для решения уравнений математической физики, использующие моделирующие среды переменной структуры, построенные на оптронах.

Однако эта моделирующая среда имеет в качестве регулирующего элемента такой нетехнологический элемент, как лампу накаливания. Особенности конструкции элементов оптронной пары»е позволяют изготавливать оптрон в едином технологическом цикле. Устройство управления моделирующей средой на оптронах является довольно сложным и громоздким.

Предлагаемая моделирующая среда переменной структуры позволяет значительно расширить диапазон изменения параметров элементов среды, создать гибкую и оперативную систему управления, получить высокую степень сочетаемости элементов среды с интегральными элементами современных ЦВМ и высокой технологичностью в производстве.

Предлагаемая среда представляет собой сочетание транзисторного слоя как источника

1

1 М. Кл. G 06g 7/48

>

1

УДК 688.333(088.8) !

405117

Предмет изобретения

У(ЯТ/

Л

Ят

Составитель Е. Тимохина

Техред Е. Борисова

Редактор И. Грузова

Корректор Л. Орлова

Заказ 718/13 Изд. № 2093 Тиран(047 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К-35, Раушская паб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Моделирующая среда переменной структуры, содержащая матрицу терморезисторов с выводами в узловых точках, отлича(общался тем, что, с целью расширения диапазопа изменения параметров моделирующей среды, увеличения универсальности эксплуатации, оиа содержит электроизоляцпоппую теплопровод иую пленку, расположенную па матрице тсрморезисторов, и транзисторный слой с управ5 ляющими электродами, установленный на электроизоляционной теплопроводпой пленке,