Устройство для охлаждения

 

7 : ч1 тj

Мбпнот„

ОП ИСАЙКЕ

Союз Советских

Социалистических

Республик

405l44

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 31.XII,1971 (№ 1731832/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 22.Х.1973. Бюллетень № 44

Дата опубликования описания 27. т/1.1974

М.Кл. И 011 1/12

F 25b 19/04

Н 05k 7/20

Государственный комнтвт

Саавта Йнннстров СССР оо делам нэааретеннй н открытий

УДК 621.396,6,017.72 (088.8) Автор изобретения

И. В. Зайцев

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ

Изобретение относится к обпасти радиотехники.

Известны устройства для охлаждения, например, высоковольтного полупроводникового блока, содержащие последовательно соединенные полупроводниковые герметизированныс элементы, чередующиеся с индивидуальными охладителямп, снабженными тепловыми трубкамп.

Цель изобретепия — повышение эффективности охлаждения.

Для этого индивидуальные охладитсли выполнены в виде двух чашеобрааных элементов, расположенных друг над другом таким образом, что между ними образуется полость, заполненная жидкостью.

H3 чертеже показано пред пои с!11!oe ) cTpAl ство.

Охлаждаемые элементы 1 (тиристоры в корпусах таблсточного типа) собраны последовательно в столб, чередуясь с индивидуальными охладителями, выполненными в виде двух чашеобразных элементов 2 и 8, вставляемых один в другой таким образом, что между ними образуется полость 4 за счет выступов б па внутреннем чашеобразном элементе.

Полость 4 сообщена с тепловыми трубками б, представляющими собой трубчатый корпус с ребрами 7, внутри которого помещен фи2 тиль 8. Тепловые трубки расположены по окружности.

Пространство между тиристс рами 1 и ьнутренними чашеобразнымп элементами 8 заполнено изоляционным материалом 9.

Тепловой и электрический контакт осутцествляется сжатием всех элементов с по, ощью шпилек 10 и гаек 11. Блок изолирован от шпилек изоляционными втулками 12. Управляю. щие импульсы поступают на управляющие электроды 18.

Устройство расположено на основании 1:/.

1-1апряжение к блоку подводится через контактные шпильки 15 и 1б, причем всрх яя шпилька прикреплена к фланцу 17.

В одной из тепловых трубок каждого модуля предусмотрено отверстие для частпч ого заполнения жидкостью полости 4 и смачиванпя фитиля 8. Отверстие закрыто пробкой 18» > и20 лотнением 19.

Охлаждение в устройстве происходит за счет испарения охлаждающей жидкости в кольцевои полости 4 с поспедующей конденсацией паров жидкости в полости оребрен ых тепловых трубок б. Из трубок конденсат возвращается через капилляры фитиля 8 в полость 4.

Предмст изобретения зp Устройство для охлаждения, например, вы405144

Составитель Н. Блинкова

Техред 3. Тараненко

Корректор О. Тюрина

Редактор Т. Рыбалова

Изд. № 1055 Тираж 768 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 700

Загорская типография

3 соковольтного полупроводникового блока, содержащее последовательно соединенные полупроводниковые герметизированные элементы, чередующиеся с индивидульными охладителями, снабженными тепловыми трубками, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности охлаждения, индивидуальные охладители выполнены в виде двух чашеобразных элементов, Расположенных друг над другом таким образом, что между ними образуется по5 лость, заполненная жидкостью.

Устройство для охлаждения Устройство для охлаждения 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электрорадиотехники и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов узлов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), рассеивающих значительные мощности

Изобретение относится к электрорадиотехнике и технической физике и предназначено для термостабилизации элементов радиоэлектроники, выделяющих при работе в непрерывном и импульсном режимах значительное количество теплоты

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при разработке источников электропитания, в которых требуется принудительное охлаждение мощных полупроводниковых приборов с помощью конвекции воздуха
Изобретение относится к области приборостроения, в частности к способу установки приборов на панелях в космических аппаратах

Изобретение относится к электротехнике, а именно к полупроводниковой преобразовательной технике, и может быть использовано в статических преобразователях электрической энергии

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано в различных преобразовательных устройствах

Изобретение относится к электротехнике, а именно к преобразовательной технике, и может быть использовано в статистических преобразователях электрической энергии

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, более конкретно - к микроприборам, в которых требуется поддержание заданной, повышенной по сравнению со средой температуры

Изобретение относится к области теплорегулирования, в частности к теплоотводу приборов, и может быть использовано, например, для охлаждения полупроводниковых приборов и их элементов в наземных условиях в любой отрасли промышленности и в условиях невесомости на космических аппаратах

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для охлаждения полупроводниковых приборов, в том числе приборов большой мощности, имеющих большой диаметр оснований, при естественном охлаждении, и может быть использовано в преобразовательных устройствах

 // 414657

Радиатор // 436408

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к полупроводниковым СВЧ-приборам, таким, например, как лавинно-пролетные диоды, применяемым для генерации, усиления, преобразования и умножения сигналов сверхвысоких частот

Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к теплоотводам полупроводниковых приборов повышенной мощности, и может быть использовано в различных теплотехнических устройствах, работающих с большими удельными тепловыми нагрузками. Теплоотвод для охлаждения по крайней мере одного локального источника тепла содержит основание в виде алмазной пластины. На указанном основании закреплена слоистая структура из теплопроводящих пластин. Пластины слоистой структуры расположены параллельно основанию. При этом часть смежных поверхностей указанных пластин имеет тепловой контакт, а в областях между остальными частями этих поверхностей расположено теплоемкое вещество. Технический результат - повышение мощности отводимой от локального источника тепла (полупроводникового прибора) при увеличении времени работы последнего. 8 з.п. ф-лы, 1 ил.
Наверх