О п и с хтги е изобретения(ц)408509

 

Всесонавная ватентно-тех::ичаоквее

1 йбпко тен"- .; .А о и и с н и Е 4оа о9

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 09.11.70 (21) 1492735/23-26 с присоединением заявки № (32) Пр иор итет

Опубликовано 15.04.74. Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 20.09.74 (51) М. Кл. В 01j 17, 32

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР по делам изаоретений и открытий (53) УДК 621.315.592.2 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. В. Вервыка, А. С. Кузнецов и Д. И. Левинзон (71) Заявитель (54) СПОСОВ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЪНЫХ

СЛОЕВ ГЕРМАНИЯ

Изобретение относится к получепиюэпитак- сиальных слоев полупроводниковых материалов, в частности к процессам получения эпита ксиальных слоев германия восстановлением его тетрахлорида в водороде.

Известен способ получения эпитаксиальных слоев германия восста новлением тетрахлорида германия в водороде на гермапиевых подложках с ориентацией (П1) в интер вале 820—

850 С.

Цель изобретения — получить эпитаксиальные слои германния без,макроскопических дефектов «бугорков» ил и с незначительным их количеством.

Это до стигается тем, что при 780 †8 С наращивают слой толщиной 0,1 — 1 мкм. Затем при температуре до 1820 — 850 С продолжают рост слоя до заданной толщины.

Наращивание монокристаллического эпитаксиального слоя толщиной 0,1 — 1 мкм не позволяет возни кать «бугоркам», «запечатывая» дефекты подложки, и препятствует образованиео MBKpolcплавов, возааикающих до начала эпитаксиального роста при взаимодействии с запрязнениями подложки, газов и применяемых материалов.

Пример 1. Способ испытан на опытнопромышленных установках.

При испытаниях нара щивают сло и толщиной 150 мкм со скоростью 0,7 мкм/мин на германиевых подложках р-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,75 ом см, ориентированных,в направлении (П1), диаметром

28 мм. Окончательная обработка поверхности подложек — алмазная полировка. Перед наращиванием подложками травят газообразным хлористым водородом.

Наращивают;слой толщиной 1,0 мкм при

780 С, а затем повышают температуру до

10 830 С со скоростью 50 град мин — и наращивают слои зада|иной толщ и ны. Среднее количество бугорков,на 14 слоях не более 4, Пример 2. По примеру 1 нара щивают слои толщиной 0,1 м км при 800 С, затем по15 вышают температуру до 830 С со скоростью

10 град мин — и продолжают рост,прои этой температуре. Среднее количество бугорков на

14 слоях не более 5.

При наращивании слоя известным, способом

20 при 830 С среднее количество бугорков на

14 слоях составляет не менее 150 шт, т. е.

25 см — - .

25 Предмет изобретения

Способ выращивания эпитаксиальных слоев германия осаждением их на подложке при восстановлении тетрахлори да германия а1ри зо 820 — 850 С, отличающийся тем, что, с

408509

Составитель Л. Вервыка

Техред Е, Борисова Kîððåêòîð Е. Миронова

Редактор Л. Народная

Заказ 2460/5 Изд. № 1510 Тираж 651 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская, наб.. д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 целью получении слоев без дефектов аод названием «бугорки», на подложке пред вари4 тельно при 780 — 810 С наращивают слой толщи ной 0,1 — 1 мкм.